greezol 0 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 · Жалоба Посоветуйте полевик с током утечки СИ порядка хотя бы меньше наноампера. Что ни тыкаю вразнобой документацию, все попадаются с защитным диодом. Это из-за него такие бешеные токи утечки в сотни и тысячи наноампер? Желательно без индуцированного канала, n-типа. А можно ли запереть полевик n-типа еще больше, от токов утечки, подав на затвор отрицательное напряжение? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
rezident 0 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 · Жалоба Вы видимо ищете среди MOSFET? А вам нужно искать JFET. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ledum 0 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 (изменено) · Жалоба Посоветуйте полевик с током утечки СИ порядка хотя бы меньше наноампера. Что ни тыкаю вразнобой документацию, все попадаются с защитным диодом. Это из-за него такие бешеные токи утечки в сотни и тысячи наноампер? Желательно без индуцированного канала, n-типа. А можно ли запереть полевик n-типа еще больше, от токов утечки, подав на затвор отрицательное напряжение? А в чем ограничение, что именно транзистор - габариты? Ведь можно применить микросхемы - ключи MAX326/7, ADG1611/1613. Температурный диапазон? Сопротивление в открытом состоянии? Быстродействие? Диапазон напряжений? при малых однополярных - какие-нибудь ADG781/783 Изменено 21 июля, 2009 пользователем ledum Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 4 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 · Жалоба Вы видимо ищете среди MOSFET? А вам нужно искать JFET. Да нет, наверное. Может, вот так: (переименовать в формат djvu. Кстати, почему файлы этого формата запрещены к вложению напрямую?) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
rezident 0 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 · Жалоба Да нет, наверное. Может, вот так:Симметричный ключ на двух MOSFET это не то. В смысле, что он не решает проблему топикстартера (утечки в закрытом состоянии). Топикстартер, см. таблицу JFET, например, от ON Semiconductor. Хотя.... если просмотреть даташиты беглым взглядом, то у большинства из них 1нА@25°C гарантируется. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 4 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 · Жалоба Симметричный ключ на двух MOSFET это не то. В смысле, что он не решает проблему топикстартера (утечки в закрытом состоянии). Почему же, это типичное решение для сброса интегратора. Если оно приемлимо схемотехнически, то снимает жёсткие требования к полевикам. И проблему утечек как раз решает. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
alexkok 0 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 · Жалоба Посоветуйте полевик с током утечки СИ порядка хотя бы меньше наноампера. Что ни тыкаю вразнобой документацию, все попадаются с защитным диодом. Это из-за него такие бешеные токи утечки в сотни и тысячи наноампер? Желательно без индуцированного канала, n-типа. А можно ли запереть полевик n-типа еще больше, от токов утечки, подав на затвор отрицательное напряжение? Например MMBF4117 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
GAin 0 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 (изменено) · Жалоба В принципе и MOSFET-ы выпускаются (выпускались). Просто искать нужно по определению типа small signal MOSFET и т.п. А топикстартер похоже нарывается только на power MOSFET - они первые в поисковиках выскакивают... У филипса например был BSD22 (можно отдельно "запотенциалить" подложку). А наиболее правильный путь - это идти на сайт конкретного производителя и шарить там. Изменено 21 июля, 2009 пользователем GAin Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
greezol 0 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 (изменено) · Жалоба А в чем ограничение, что именно транзистор - габариты? Ведь можно применить микросхемы - ключи MAX326/7, ADG1611/1613. Температурный диапазон? Сопротивление в открытом состоянии? Быстродействие? Диапазон напряжений? при малых однополярных - какие-нибудь ADG781/783 Схема простейшая, накопительный конденсатор заряжается от обратно включенного фотодиода, соотв. токи от долей наноампера до нескольких мА (не хочу лишних дорогих ОУ). Напряжение на конденсаторе до ~0.5-1В, потом подключается (также через полевик) ОУ с усилением G=2..4, и дальше на АЦП. Время зарядки конденсатора варьируется микроконтроллером. Питание однополярное, 3..5В, отрицательное напряжение и положительное 10В для полевика - накачкой. Температурный диапазон -40..+50. Сопротивление в открытом диапазоне до 1ком, но это неважно. Будем сбрасывать сколько надо). Быстродействие не критично. Смотрю также в сторону оптронов типа 4N26, 1нА обратного тока, насыщение тысячные доли вольта,... ого MAX326 - утечка меньше 1пА круто! дорогой правда.. Желательно обойтись все таки не такими дорогими компонентами Re: alexkok ага, почитал Я так понимаю, подложка играет роль второго затвора. Может на нее стоит тоже подать минус, чтобы "сузить канал" Re: GAin искал в терраэлекткронике общего назначения, но у всех этот обратный диод (International Rectifier сразу исключал) Изменено 21 июля, 2009 пользователем greezol Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ledum 0 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 · Жалоба ADG819 + AD8603 до +50С должны прокатить, стоят копейки (американские :) ). Питания Вашего должно хватить без всякой накачки, ОУ быстрей всего может быть подключен постоянно :). Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 23 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 (изменено) · Жалоба Схема простейшая, накопительный конденсатор заряжается от обратно включенного фотодиода, соотв. токи от долей наноампера до нескольких мА (не хочу лишних дорогих ОУ). Напряжение на конденсаторе до ~0.5-1В, потом подключается (также через полевик) ОУ с усилением G=2..4, и дальше на АЦП.насколько мне помнится, ток обратно смещенного фотодиода при малых освещенностях дает гораздо большую погрешность и меньший динамический диапазон по освещенности , чем схема работы фотодиода при нулевом смещении в качестве генератора тока на усилитель с нулевым входным сопротивлением ( преобразователь ток -напряжение или к примеру ток-заряд на ОУ ) . А Вы собирались что-то там мерять? Изменено 21 июля, 2009 пользователем тау Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
greezol 0 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 · Жалоба ADG819 + AD8603 до +50С должны прокатить, стоят копейки (американские smile.gif ). Питания Вашего должно хватить без всякой накачки, ОУ быстрей всего может быть подключен постоянно от то что надо пожалуй, спасибо насколько мне помнится, ток обратно смещенного фотодиода при малых освещенностях дает гораздо большую погрешность и меньший динамический диапазон по освещенности , чем схема работы фотодиода при нулевом смещении в качестве генератора тока на усилитель с нулевым входным сопротивлением ( преобразователь ток -напряжение или к примеру ток-заряд на ОУ ) . А Вы собирались что-то там мерять? Дело в том что у меня (измерение освещенности, экспонометр короче) скорость измерения практически абсолютно не важна, и хотелось использовать то преимущество, что сигнал можно накапливать, а не снимать моментально - т.е заместо дорогого "лазер-триммед" ОУ тупо поставить "гигантский" 0.1..1 микрофарадный конденсатор и с него не торопясь снимать значение чуть ли не напрямую АЦП контроллера. И тут-то встал вопрос об утечке самих ключей. Для целей высокой точности (для схемы генератора тока) мне посоветовали интегрирующий усилитель IVC102 - шикарная вещь. Но я хотел сделать схему с максимально дешевыми и доставаемыми компонентами, пусть немного в ущерб точности. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
тау 23 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 · Жалоба Но я хотел сделать схему с максимально дешевыми и доставаемыми компонентами, пусть немного в ущерб точности. А сколько в пикоамперах или наноамперах темновой ток утечки Вашего фотодиода при 30-40 градусах цельсия? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
greezol 0 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 (изменено) · Жалоба А сколько в пикоамперах или наноамперах темновой ток утечки Вашего фотодиода при 30-40 градусах цельсия? у дорогого BPW21 - 2 нА/ 25°, значит около 32/ 40° ФД-256 - 5 нА/25°, но намного меньше чувствительность В режиме без смещения наверное пойдет только преобразователь, поскольку не представляю как заряжать одиночный конденсатор - нужно прямое смещение не более 0.01В, значит надо как то контролировать напряжение на конденсаторе -> опять втыкать ОУ. Если только как-то переносить заряд... Изменено 21 июля, 2009 пользователем greezol Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
alexkok 0 21 июля, 2009 Опубликовано 21 июля, 2009 · Жалоба Для целей высокой точности (для схемы генератора тока) мне посоветовали интегрирующий усилитель IVC102 - шикарная вещь. Но я хотел сделать схему с максимально дешевыми и доставаемыми компонентами, пусть немного в ущерб точности. Самый дешевый вариант наверное будет если нагрузить фотодиод на низкоомный резистор и сразу оцифровывать, к примеру ADS1230 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
