Перейти к содержанию
    

Защита от разряда бортового аккумулятора

Базу VT2 надо притянуть к эмиттеру резючком килоом в 10, чтоб не болталась в воздухе. Он плохо выключается.

Как вариант

U1.BMP

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Как вариант

Если использовать Р-канальный полевик, то уж делать с гистерезисом

 

post-2483-1248319176_thumb.png

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Если менял резистор R5, задающий ПОС , в сторону уменьшения, то гистерезис увеличивался, но и с ним порог отключения опускался до 10,3 В и ниже, что уже недопустимо.
Чтобы сохранить пороги, нужно одновременно с изменением резистора R5 скорректировать номиналы резисторов делителя R1R2R3.

Пробовал моделировать схему на pnp-транзисторе.Схема получилась такая:

На р-n-p транзисторе можно сделать так: взять мощный составной (КТ825 или подобный), включить его в разрыв плюсового провода, базу через резистор соединить с катодом DA1, ещё резистором соединить базу с эммитером, с коллектора резистор гистерезиса на управляющий электрод DA1. Полевик тогда можно выбросить. Ставить вместо биполярного р-канальный полевик не советую: будет дороже и ненадёжнее.

Р-канальные MOSFETы отстают по эксплуатационным характеристикам от n-канальных и хуже переносят повышенные температуры.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Чтобы сохранить пороги, нужно одновременно с изменением резистора R5 скорректировать номиналы резисторов делителя R1R2R3.

 

На р-n-p транзисторе можно сделать так: взять мощный составной (КТ825 или подобный), включить его в разрыв плюсового провода, базу через резистор соединить с катодом DA1, ещё резистором соединить базу с эммитером, с коллектора резистор гистерезиса на управляющий электрод DA1. Полевик тогда можно выбросить. Ставить вместо биполярного р-канальный полевик не советую: будет дороже и ненадёжнее.

Р-канальные MOSFETы отстают по эксплуатационным характеристикам от n-канальных и хуже переносят повышенные температуры.

Зачем холодильнику гистерезис и чем Вы будете охлаждать КТ825(размер радиатора). Указанный полевик имеет сопротивление

в открытом состоянии несколько миллиОм, а Пельтье имеет хороший аппетит.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Чтобы сохранить пороги, нужно одновременно с изменением резистора R5 скорректировать номиналы резисторов делителя R1R2R3.

Об этом я думал, но не хотел менять то что уже работает и настроено (подразумеваю компаратор на 431), и искать резисторы 1% времени не было.

На р-n-p транзисторе можно сделать так: взять мощный составной (КТ825 или подобный), ..

.. Ставить вместо биполярного р-канальный полевик не советую: будет дороже и ненадёжнее.

Р-канальные MOSFETы отстают по эксплуатационным характеристикам от n-канальных и хуже переносят повышенные температуры.

Но ведь если мосфет используется в ключевом режиме, то и радиатор не нужен ему (именно так было реализовано исходное устройство, в маленьком корпусе плата площадью 5 кв см и на ней полевик без радиатора).

А радиатор для биполярного здесь значительно угромождает конструкцию.

В итоге я оставил такой вариант схемы:

post-23286-1248458383_thumb.jpg

Но в ходе "полевых" испытаний при падении вх. напряжения, на нижнем пороге (11,1 В), когда нагрузка должна отключаться, присутствует некоторая ступенька (всплеск) напряжения на коллекторе VT2 порядка 2,2 - 2,3 В. Из-за этого полевик закрывается не сразу и есс-но начинает греться, но спустя полминуты, все же закрывается. Это видно даже из диагарамм при моделировании (я сразу не заметил, а при мелком масштабе видно, может это паразитная проходная емкость полевика? Но ведь процесс при очень низких частотах - разряд аккумулятора и последующий его заряд).

post-23286-1248459781_thumb.jpg

Вот теперь думаю, при максимальном токе через нагрузку, выдержит ли полевик этот период ?

Верхний порог включения хороший: 12,3 В. Значит аккум успеет зарядится.

Считаю этот вариант схемы неудачным. Думаю,надо будет всеже испробовать схемы представленные коллегами выше. Позволило бы время.

Bronislav, верно на корпусе кейса холодильника указано MAX 4.7 A; 54 Watt, кушает термобатарея хорошо. Гистерезис здесь нужен для того чтобы аккумулятор смог восстановить свой заряд прежде чем снова подключится мощная нагрузка.

Изменено пользователем коля-ша

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Но ведь если мосфет используется в ключевом режиме, то и радиатор не нужен ему (именно так было реализовано исходное устройство, в маленьком корпусе плата площадью 5 кв см и на ней полевик без радиатора).

А радиатор для биполярного здесь значительно угромождает конструкцию.

Да, на биполярном потерь будет больше и переделывать под него конструкцию действительно не стоит. Это был пример так, для иллюстрации. :biggrin:

Но так же и не стоит вместо N-канального использовать Р-канальный полевик. Сопротивление канала у них выше, чем у аналогичных N-канальных и с повышением температуры растёт катастрофически. Так что без радиатора или даже без достаточной площади радиатора не получится, проверено на печальном опыте. :rolleyes:

Но в ходе "полевых" испытаний при падении вх. напряжения, на нижнем пороге (11,1 В), когда нагрузка должна отключаться, присутствует некоторая ступенька (всплеск) напряжения на коллекторе VT2 порядка 2,2 - 2,3 В. Из-за этого полевик закрывается не сразу и есс-но начинает греться, но спустя полминуты, все же закрывается. Это видно даже из диагарамм при моделировании (я сразу не заметил, а при мелком масштабе видно, может это паразитная проходная емкость полевика? Но ведь процесс при очень низких частотах - разряд аккумулятора и последующий его заряд).

 

Считаю этот вариант схемы неудачным. Думаю,надо будет всеже испробовать схемы представленные коллегами выше. Позволило бы время.

В этой схеме нет ничего принципиально неверного. Она должна работать, как задумывалось. (Зенер, конечно, несколько портит картину, но не драматически). Похоже, что не хватает коэффициента усиления у VT2(?). Он какой используется?

Попробуйте изменить свою схему на pnp-транзисторе: выбросить зенер, на его место поставить резистор R9, эмиттер соединить с "+", уменьшить резистор R10.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Похоже, что не хватает коэффициента усиления у VT2(?). Он какой используется?

Попробуйте изменить свою схему на pnp-транзисторе: выбросить зенер, на его место поставить резистор R9, эмиттер соединить с "+", уменьшить резистор R10.

Сперва использовал что под руку попалось КТ315Б

Потом нашел КТ3102 причем в металле и поставил его.

Да надо проэкспериментировать с pnp будет.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...