[READY 0]

При увеличении температура окружающей среды возрастают токи утечки диодов, что эквивалентно увеличению нагрузки. Как можно бороться с этим эффектом, может какие то способы компенсации, за счет топологии эти влияния не заметны, может замена высоковольтных диодов ключами (хотя меньше чем 250 мкА у полевиков не встречал ), .т.п.??? Уважаемое сообщество, кто что думает, знает, поделитесь мыслями, опытом.

Изменено 14 января, 2009 пользователем [email protected]

[Jurenja 1]

Использовать "правильные" комплектующие. Чтобы токи утечки при предельных температурах и напряжениях оставались в допустимых пределах.

Для "высоких" вольт придуманы высоковольтные диодные сборки: несколько последовательно соединенных диодов в общем корпусе.

[READY 0]

Для "высоких" вольт придуманы высоковольтные диодные сборки: несколько последовательно соединенных диодов в общем корпусе.

Это все равно не решает целиком и полностью данную проблему. И не всегда удается найти именно то что хочется, часто приходится оперировать наличием на рынке (доставаимостью).

Изменено 14 января, 2009 пользователем [email protected]

[Jurenja 1]

Это все равно не решает целиком и полностью данную проблему. И не всегда удается найти именно то что хочется, часто приходится оперировать наличием на рынке (доставаимостью).

Можно делать аналог таких высоковольтных сборок на диодах прямо на плате: токи утечки сами выровняют обратные напряжения на диодах. И лучше конечно предварительно подобрать диоды по похожести токов утечки и предельных обратных напряжений.

[ArizonaWeird 0]

Нужны специальные диоды.

"Горячий" ток утечки можно уменьшить облучением диода.

Нужно обращать внимание в спецификации на ток утечки при 125С, они могут отличатся на порядок для одинакового номинала тока.

[SNGNL 12]

"Горячий" ток утечки можно уменьшить облучением диода.

Объявите, пожалуйста, дозу.

[ArizonaWeird 0]

Объявите, пожалуйста, дозу.

Доза (гамма-кванты) сильно зависит от легирования N-drift и пострадиационного отжига.

Можно танцевать в обе стороны от 1Е5 Gy.

Изменено 11 февраля, 2009 пользователем ArizonaWeird

[READY 0]

Доза (гамма-кванты) сильно зависит от легирования N-drift и пострадиационного отжига.

Можно танцевать в обе стороны от 1Е5 Gy.

 

Уважаемый коллега, не подскажите ли, свинцовые трусы какой массы нужно использовать в подобных опытах?

[Burner 0]

Предлагаю использовать лаборанта из соотв. латоратории. Хай облучит там готовые диоды. И не надо трусы конструлить.

[ArizonaWeird 0]

Для уменьшения горячих токов утечки еще используется сильнолегированный N-буфер со стороны анода, глубиной до 25 мкм

[ArizonaWeird 0]

Уважаемый коллега, не подскажите ли, свинцовые трусы какой массы нужно использовать в подобных опытах?

В производстве обычно используется фартук из освинцованной резины.

[Jurenja 1]

Не думаю что топикстартер будет заниматься облучательством.

имхо нужны диоды с требуемыми параметрами, гарантированными изготовителем.

Если для хороших параметров их нужно облучать, то что мешает делать это изготовителю....

[SNGNL 12]

Не думаю что топикстартер будет заниматься облучательством.

имхо нужны диоды с требуемыми параметрами, гарантированными изготовителем.

Если для хороших параметров их нужно облучать, то что мешает делать это изготовителю....

А требуемые хорошие параметры и не приводились. Например, у высоковольтных диодов серии SHV ,применяемых в сплит трансформаторах (ТДКС), приводится ток утечки не более 3мка, при максимальном обратном напряжении(2-24кв) и температуре 100°С.

Изменено 14 марта, 2009 пользователем SNGNL

[READY 0]

А требуемые хорошие параметры и не приводились. Например, у высоковольтных диодов серии SHV ,применяемых в сплит трансформаторах (ТДКС), приводится ток утечки не более 3мка, при максимальном обратном напряжении(2-24кв) и температуре 100°С.

MUR1100 100°С 50uA, BY8404 Tj = 120 °C 3uA. Правда последние уже не выпускаются.

[_Pasha 0]

Если для хороших параметров их нужно облучать, то что мешает делать это изготовителю....

Эээ... облучать надо для того чтобы убрать разброс параметров afaik.

Логично?