khach 43 6 сентября, 2008 Опубликовано 6 сентября, 2008 · Жалоба Полевики действительно любят ток стока побольше. В этой области увеличивается крутизна и поэтому уменьшаются приведенные ко входу шумы. На практике это обычно 10-20 мА при напряжении питания порядка 10 В. Но известные мне подходящие высокочастотные полевики имеют входную емкость около 2 пФ (например BF998). Буду очень признателен, если кто-то сообщит другие модели с меньшей входной емкостью и крутизной не менее 30 мСм на диапазон UHF. Тут надо разделить мух от котлет- полевики нужны именно с изоляцией p-n переходом -JFET- они шумят меньше MOSFET и работают при нулевом или отрицательном смещении на затворе. MOSFET в таких схемах без внешнего смещения практически неработоспособны, а делитель смещения своими шумами и утечками убьет всю логику схемы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
jam 0 6 сентября, 2008 Опубликовано 6 сентября, 2008 · Жалоба Тут надо разделить мух от котлет- полевики нужны именно с изоляцией p-n переходом -JFET- они шумят меньше MOSFET и работают при нулевом или отрицательном смещении на затворе. MOSFET в таких схемах без внешнего смещения практически неработоспособны, а делитель смещения своими шумами и утечками убьет всю логику схемы. Интересно откуда такой вывод? Схемы я делал - те же BF998 работают при нулевом смещении - неужели можно лучше? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
khach 43 8 сентября, 2008 Опубликовано 8 сентября, 2008 · Жалоба Интересно откуда такой вывод? Схемы я делал - те же BF998 работают при нулевом смещении - неужели можно лучше? Из личного опыта. Да, для малого сигнала BF998 и другие приемные полевики с левой характеристикой работают вроде нормально. Но как только амплитуда сигнала начинает расти, начинается какая-то ерунда. Например затягивает фронты импульса, несимметрично фронт и спад, притом неравномерно, такое впечатление что частотные характеристики полевика меняются от амплитуды сигнала. Что там за нелинейные эффекты в транзисторе- я честно говоря неразобрался, поставил полевик с изоляцией p-n переходом и все заработало как в учебнике. Если кто поделится нормально работающей схемкой на BF998 итд- буду очень благодарен. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
jam 0 8 сентября, 2008 Опубликовано 8 сентября, 2008 · Жалоба Из личного опыта. Да, для малого сигнала BF998 и другие приемные полевики с левой характеристикой работают вроде нормально. Но как только амплитуда сигнала начинает расти, начинается какая-то ерунда. Например затягивает фронты импульса, несимметрично фронт и спад, притом неравномерно, такое впечатление что частотные характеристики полевика меняются от амплитуды сигнала. Что там за нелинейные эффекты в транзисторе- я честно говоря неразобрался, поставил полевик с изоляцией p-n переходом и все заработало как в учебнике. Если кто поделится нормально работающей схемкой на BF998 итд- буду очень благодарен. Дело в том, что у p-n транзистора при большом сигнале приоткрывается переход, а у изолированного нет - если резистор в цепи обратной связи маленький, например 100ком - усилитель восстанавливается без выбросов и затягивания фронта - ну большой чуствительности при этом конечно не получить. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MosAic 0 9 сентября, 2008 Опубликовано 9 сентября, 2008 · Жалоба 3sk323 Спасибо, уважаемый jam. Прибор, конечно, любопытный. Однако, не указана почему-то нигде входная емкость. Для всех остальных малосигнальных MOSFET Ренесаса указана, а для этого нет. Может она не нормируется из-за сильного разброса? Любопытно... Тут надо разделить мух от котлет- полевики нужны именно с изоляцией p-n переходом -JFET- они шумят меньше MOSFET и работают при нулевом или отрицательном смещении на затворе. MOSFET в таких схемах без внешнего смещения практически неработоспособны, а делитель смещения своими шумами и утечками убьет всю логику схемы. Знаете, у меня вот какое представление по этому поводу: 1. JFET не забираются в UHF. Просто в силу принцыпа действия. В начале этого века JFETы на арсениде галлия едва дотягивали, если не изменяет память, до 30-70 МГц. В то же время, MOSFET работали уже на десятках гигагерц. Вернусь домой через пару недель - уточню в своих книжках. 2. JFET, как правило, имеют сравнитеьно небольшую крутизну по сравнению с MOSFET при одинаковой входной емкости. Это большой минус для малошумящих усилителей высокой частоты, как впрочем и значительная входная емкость этих приборов. 3. JFET имеет преимущество перед нормальными MOSFET только на низких частотах (порядка десятка килогерц, а то и ниже). И связано это именно с шумом 1/f (розовым). Просто есть такая качественная зависимость, что чем резче границы между структурами полупроводникового прибора, тем больше розовый шум. У JFET граница канала размытая и действительно именно розовый шум у лучших представителей на удивление низкий. 4. JFET проигрывает MOSFET еще и по току утечки (а следовательно и по дробовому шуму). В некоторых приложениях это может быть существенно. Например при измерении очень низких освещенностей, когда ловятся практически отдельные фотоны. Прошу считать все изложенной моим личным "сухим остатком", оставшимся от просеивания литературы и некоторого опыта. Если в чем-то ошибся, буду рад узнать о своих заблуждениях. :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SIA 0 11 сентября, 2008 Опубликовано 11 сентября, 2008 · Жалоба 1. JFET не забираются в UHF. Просто в силу принцыпа действия. В начале этого века JFETы на арсениде галлия едва дотягивали, если не изменяет память, до 30-70 МГц. В то же время, MOSFET работали уже на десятках гигагерц. Вернусь домой через пару недель - уточню в своих книжках. Неверные цифры. На арсениде галлия получаются именно Jfet-ы, только затвор, как правило, не с p-n переходом, а Шоттки. Частоты там другие, 30-70 ГГц. Преимущество MOSFET - возможность получения очень короткого канала (меньше физической ширины затворной линии), недостаток - меньшая поверхностная подвижность носителей по сравнению с объемной. 2. JFET, как правило, имеют сравнитеьно небольшую крутизну по сравнению с MOSFET при одинаковой входной емкости. Это большой минус для малошумящих усилителей высокой частоты, как впрочем и значительная входная емкость этих приборов. Отношение C/S при равных проектных нормах и длинах каналов как раз лучше у JFET. Нельзя сравнивать КП302 с каналом 15 мкм и нерасщепленными затворами с субмикронными каскодными Mosfet. 3. JFET имеет преимущество перед нормальными MOSFET только на низких частотах (порядка десятка килогерц, а то и ниже). И связано это именно с шумом 1/f (розовым). Просто есть такая качественная зависимость, что чем резче границы между структурами полупроводникового прибора, тем больше розовый шум. У JFET граница канала размытая и действительно именно розовый шум у лучших представителей на удивление низкий. Причина совершенно другая. В МОП большую роль играют поверхностные состояния, Jfet же работает "внутри" кристалла, где нет этого механизма флуктуаций. Размер же ОПЗ как раз желательно иметь минимальный (т.е. с четкими границами канала) для уменьшения числа попадающих в ОПЗ центров генерации-рекомбинации, служащих источниками утечек и НЧ-шума. 4. JFET проигрывает MOSFET еще и по току утечки (а следовательно и по дробовому шуму). В некоторых приложениях это может быть существенно. Например при измерении очень низких освещенностей, когда ловятся практически отдельные фотоны. Ток утечки затвора Jfet при равной температуре заведомо меньше тока утечки фотодиода, а емкость источника сигнала реально не бывает меньше сотых долей пФ. Напряжение от единичного фотона при этом настолько мало, что проблемы все равно создает ЭДС, а не ток шума. Поэтому зарядочувствительные усилители для интегральных фотоприемников, имеющие RMS шумовой заряд, опускающийся до величин меньше 1 e, выполняются в основном на Jfet, и как правило, с расщепленным затвором. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MosAic 0 11 сентября, 2008 Опубликовано 11 сентября, 2008 · Жалоба Неверные цифры. На арсениде галлия получаются именно Jfet-ы, только затвор, как правило, не с p-n переходом, а Шоттки. Частоты там другие, 30-70 ГГц. Преимущество MOSFET - возможность получения очень короткого канала (меньше физической ширины затворной линии), недостаток - меньшая поверхностная подвижность носителей по сравнению с объемной. Отношение C/S при равных проектных нормах и длинах каналов как раз лучше у JFET. Нельзя сравнивать КП302 с каналом 15 мкм и нерасщепленными затворами с субмикронными каскодными Mosfet. Спасибо за интересные комментарии. Не могли бы вы указать какие-нибудь модели JFET, иллюстрирующие такие высокие рабочие частоты и C/S? Особенно интересуют маломощные высокочастотные приборы с возможно меньшей входной емкостью. Я коллекционирую такие :) Причина совершенно другая. В МОП большую роль играют поверхностные состояния, Jfet же работает "внутри" кристалла, где нет этого механизма флуктуаций. Размер же ОПЗ как раз желательно иметь минимальный (т.е. с четкими границами канала) для уменьшения числа попадающих в ОПЗ центров генерации-рекомбинации, служащих источниками утечек и НЧ-шума. Центры генерации-рекомбинации, насколько я знаю, возникают из-за нарушения структуры кристаллической решетки. Наиболее проблемные места - резкие границы между различными структурами прибора, ограничивающие канал. В JFET они расплывчатые по сравнению с MOSFET и поэтому "ловушек" носителей в них гораздо меньше, несмотря на бОльшие размеры канала. Просто они реже образуются. Разве не так? Ток утечки затвора Jfet при равной температуре заведомо меньше тока утечки фотодиода, а емкость источника сигнала реально не бывает меньше сотых долей пФ. Напряжение от единичного фотона при этом настолько мало, что проблемы все равно создает ЭДС, а не ток шума. Поэтому зарядочувствительные усилители для интегральных фотоприемников, имеющие RMS шумовой заряд, опускающийся до величин меньше 1 e, выполняются в основном на Jfet, и как правило, с расщепленным затвором. Почему же заведомо? Все зависит от конкретного исполнения. Да и про температуру вы сами упомянули. Вобщем-то я даже не задавался определенным типом прибора, слово "фотодиод" не звучало. И если емкость источника 0,1 пФ (мне кажется это реальнее), то изменение напряжения от 1 е будет 1,6 мкВ. Не такая уж малая величина. Особенно если вспомнить, что мы еще не задавались и полосой пропускания усилителя. Понятно , что для подсчета фотонов лучше использовать трубки. Но я все же имел в виду как раз случай, когда ток датчика соизмерим с током утечки JFET. Прошу прощения за "практически отдельные фотоны". Это была неудачная фраза. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SIA 0 27 сентября, 2008 Опубликовано 27 сентября, 2008 · Жалоба Спасибо за интересные комментарии. Не могли бы вы указать какие-нибудь модели JFET, иллюстрирующие такие высокие рабочие частоты и C/S? Особенно интересуют маломощные высокочастотные приборы с возможно меньшей входной емкостью. Я коллекционирую такие :) Центры генерации-рекомбинации, насколько я знаю, возникают из-за нарушения структуры кристаллической решетки. Наиболее проблемные места - резкие границы между различными структурами прибора, ограничивающие канал. В JFET они расплывчатые по сравнению с MOSFET и поэтому "ловушек" носителей в них гораздо меньше, несмотря на бОльшие размеры канала. Просто они реже образуются. Разве не так? Почему же заведомо? Все зависит от конкретного исполнения. Да и про температуру вы сами упомянули. Вобщем-то я даже не задавался определенным типом прибора, слово "фотодиод" не звучало. И если емкость источника 0,1 пФ (мне кажется это реальнее), то изменение напряжения от 1 е будет 1,6 мкВ. Не такая уж малая величина. Особенно если вспомнить, что мы еще не задавались и полосой пропускания усилителя. Понятно , что для подсчета фотонов лучше использовать трубки. Но я все же имел в виду как раз случай, когда ток датчика соизмерим с током утечки JFET. Прошу прощения за "практически отдельные фотоны". Это была неудачная фраза. ОК, принято. Напишу через 2 дня. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dac 0 7 октября, 2008 Опубликовано 7 октября, 2008 · Жалоба почитайте на тему рентгеновской спектрометрии - задача та же - pin-диод - усилитель насколько знаю, строится по такой схеме - диод + полевик (jfet) сидят на пельтье в вакууме (при t=-60) для минимизации шумов, далее ОУ в тех что видел - AD829. возможно подойдет OP847 от TI. типичное смещение на диоде 100-160В. поскольку там задача ловить отдельные кванты, то упрощенно: сделан интегратор, затем диф цепочка - фнч - ацп подробнее в книгах Акимов "полупроводниковые детекторы" они есть в библиотеке у Lord-n. там же расписано на тему шумов и оптимизации передаточной характеристики Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
MosAic 0 7 октября, 2008 Опубликовано 7 октября, 2008 · Жалоба Жаль, что самого интересного вы не сообщили. А именно полосу пропускания и тип JFET. Ну и тип фотодиода, конечно. Судя по смещению и назначению, он лавинный. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
dac 0 7 октября, 2008 Опубликовано 7 октября, 2008 · Жалоба Жаль, что самого интересного вы не сообщили. А именно полосу пропускания и тип JFET. Ну и тип фотодиода, конечно. Судя по смещению и назначению, он лавинный. диод не лавинный, а именно p-i-n. полоса обратно пропорциональна шумам ;) там маленько другие критерии оценки шума (сводится к энергетическому разрешению по падающим квантам), примерно могу сказать так - длительность фронтов после диф цепочки - сотни нс до единиц мкс, время сбора заряда на диоде - десятки-сотни наносекунд, а дальше формировка - чем шире полоса, тем больше шум. зы ИМХО - вклад электроники к шуму детектора (диода) - порядка 20% если судить по разрешению при 125 теор. возможном реально - 150 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
sysel 0 15 октября, 2008 Опубликовано 15 октября, 2008 · Жалоба Есть один операционничек: LMP7721 Input Bias Current 3 fA Но насчет полосы его не уверен. LMP7721.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 5 15 октября, 2008 Опубликовано 15 октября, 2008 · Жалоба Есть один операционничек: LMP7721 Input Bias Current 3 fA Но насчет полосы его не уверен. Судя по Open Loop Frequency Response Gain - не очень... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
jam 0 3 ноября, 2008 Опубликовано 3 ноября, 2008 · Жалоба диод не лавинный, а именно p-i-n. полоса обратно пропорциональна шумам ;) там маленько другие критерии оценки шума (сводится к энергетическому разрешению по падающим квантам), примерно могу сказать так - длительность фронтов после диф цепочки - сотни нс до единиц мкс, время сбора заряда на диоде - десятки-сотни наносекунд, а дальше формировка - чем шире полоса, тем больше шум. зы ИМХО - вклад электроники к шуму детектора (диода) - порядка 20% если судить по разрешению при 125 теор. возможном реально - 150 Подскажите, а где эти пин-диоды можно реально купить? Только желательно не такие большие как у хамамацу, ну миллиметров 30-50квадратных... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 5 4 ноября, 2008 Опубликовано 4 ноября, 2008 · Жалоба Подскажите, а где эти пин-диоды можно реально купить? Только желательно не такие большие как у хамамацу, ну миллиметров 30-50квадратных...Это небольшие?! У всякого производителя есть разные. Но для ВЧ такую площадь? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться