[l1l1l1 0]

Не спорю в AWR нет синтеза ответвителей, но в Genesys есть.

я Genesys не очень хорошо знаю, подскажите, где он там?

 

[RFF-11 2]

я Genesys не очень хорошо знаю, подскажите, где он там?

В Signal Control

[l1l1l1 0]

В Signal Control

о, спасибо, действительно там довольно широкий набор вариантов представлен -

и шлейфный, и Ланге, и с боковой связью, и с лицевой. круто.

 

[K0nstantin 5]

Добрый день. В свойствах подложки ЕМ-структуры в EMS есть два поля: Conductor и Impedance Definitions. Проводники с малым удельным сопротивлением чертил в Conductot D., а с большим - в Impedance D. А тут чего-то задался вопросом, будет ли разница, если я вместо удельной проводимости буду использовать сопротивление. Помоделировал простенькие полоски - существенной разницы не выявил.

Хотелось бы услышать мнения, есть ли какие-либо предпочтения или нюансы в выборе первого или второго типа свойств материала проводников?

 

Изменено 24 июля, 2014 пользователем K0nstantin

[EUrry 3]

Хотелось бы услышать мнения, есть ли какие-либо предпочтения или нюансы в выборе первого или второго типа свойств материала проводников?

Очевидно, что используются различные модели. Посмотрите на расширенные параметры в случае проводника: это модель, учитывающая объемные параметры. Импедансная модель, по-видимому, упрощенная - учитывает поверхностные параметры и применима, наверное, когда объемными параметрами или их изменением можно пренебречь (последний тезис следует уточнить!!!).

Всё зависит от задачи. Ваши пробные примеры не включали расширенные возможности моделей. Поэтому, результаты сопоставимы

[evgdmi 0]

Хотелось бы услышать мнения, есть ли какие-либо предпочтения или нюансы в выборе первого или второго типа свойств материала проводников?

Для проводников, определённых в Conductor, назначается толщина. Для проводников, определённых в Impedance толщину назначить нельзя, она обнуляется автоматически. Для одиночных проводников это не имеет особого значения. Но для связанных линий с малым зазором, например в направленных ответвителях с сильной связью, учёт толщины может повлиять на результаты существенно. Лучше такой анализ делать в AXIEM, где толщину учесть просто. Можно примерно посчитать и в EMSight, если толщину проводника создать искуственно добавлением ещё одного слоя. Так что Eurry совершенно прав, всё зависит от задачи.

[K0nstantin 5]

Да, толщину проводников с импедансом скидывает в тонкий слой. Но непонятно, что представляет из себя перемычкам VIA сделанная из такого материала. Я не представляю как так ... :05:

 

Опять EMsight VS AXIEM...

"Лучше такой анализ делать в AXIEM, где толщину учесть просто. Можно примерно посчитать и в EMSight, если толщину проводника создать искуственно добавлением ещё одного слоя. Так что Eurry совершенно прав, всё зависит от задачи."

Разве EMsight не учитывает толщину проводников? Я думал и там и там 2,5D. С недавних пор перешёл с EMs на AXIEM, хотя так и не понял в чём их отличительные особенности. Просто последний использует ресурсы компьютера по максимому и дела идут соответственно быстрее :) А результаты практически не отличимы.

[EUrry 3]

...Но непонятно, что представляет из себя перемычкам VIA сделанная из такого материала...

Тонкостенный проводник.

[evgdmi 0]

Разве EMsight не учитывает толщину проводников? Я думал и там и там 2,5D. С недавних пор перешёл с EMs на AXIEM, хотя так и не понял в чём их отличительные особенности. Просто последний использует ресурсы компьютера по максимому и дела идут соответственно быстрее :) А результаты практически не отличимы.

При вычислении параметров порта (S-параметров и др.) EMSight толщину проводника не учитывает. AXIEM по умолчанию кстати тоже не учитывает, чтобы он учёл, нужно отметить соответствующую опцию.

Вовсе не всегда результаты EMSight и AXIEM не отличимы. Попробуйте, например, посчитать топологию с наклонными резонаторами (Фильтр с боковыми связями и развёрнутыми резонаторами). В EMSight с его прямоугольной сеткой точного результата Вы не получите. Кроме того, в AXIEM топология не обязательно должна точно совпадать с сеткой, он сетку встроит как надо. Да и сетку можно брать крупнее без потери точности. Но попробуйте в AXIEM встроить топологию в корпус с боковыми стенками и верхней крышкой и сравните скорость анализа.

И ещё. Добавление проводников в области Conductor испльзуется для задания геометрических параметров элементов схемы (W, L, h), а в области Impedance - для электрических (волновые сопротивления, электрическая длина). В старых версиях MWO (до 7-ой) эти области так и назывались, физическая и электрическая. Видимо электрические параметры предполагалось использовать при анализе схем, заданных электрическими параметрами. Наприме, в iFilter вы можете синтезировать фильтр и передать в MWO схему с электрическими параметрами.

[cyro 0]

Доброго времени суток, уважаемые. Подскажите, как настроить структуры SBCPL для отображения в 3D? В help'е есть указания по редактированию lpf файла, сделал все как написано: добавил строки точно такие же как в Help'е, переименовал названия структур в свойствах SBCPL, а оно не работает...

[serega_sh____ 2]

Подскажите как задавать температуру при моделировании у схемы?

Имею схему со SPICE моделям. SPICE модели имеют температурные зависимости. Мне нужно оптимизировать мою схему в температурном диапазоне.

 

Для примера я взял один транзистор и смотрю как у него меняется ток колектора. Если я изменяю температуру на транзисторе, то ток изменяется (открываю свойства транзистора и вывожу температуру на крутилку). Если я изменяю глобальную температуру(_TEMP), то ток не меняется.

Vopros_temp.zip

[RFF-11 2]

На сайте компании CREE скачайте пример Thermal Performance Guide for High Power SiC MESFET and GaN HEMT Transistors

 

<br />На сайте компании CREE скачайте пример Thermal Performance Guide for High Power SiC MESFET and GaN HEMT Transistors<br />

<br /><br /><br />

Thermal Optimization of GaN HEMT Transistor Power Amplifiers Using New Self-heating Large-signal Model

[serega_sh____ 2]

На сайте компании CREE скачайте пример Thermal Performance Guide for High Power SiC MESFET and GaN HEMT Transistors

Спасибо, но в этом документе я не нашёл ответа как в AWR MWO моделировать разные температуры. И как их задавать при моделировании схемы.

[RFF-11 2]

Спасибо, но в этом документе я не нашёл ответа как в AWR MWO моделировать разные температуры. И как их задавать при моделировании схемы.

Посмотрите пример (2-й указанный файл) - Thermal Optimization of GaN HEMT Transistor Power

Amplifiers Using New Self-heating Large-signal Model

[serega_sh____ 2]

Посмотрите пример (2-й указанный файл) - Thermal Optimization of GaN HEMT Transistor Power

Amplifiers Using New Self-heating Large-signal Model

Я Вас не понимаю. Можно попросить дать ссылку на этот второй файл. Или дать правильное название или указание.