Перейти к содержанию
    

Кто знает, на счет потдержки GPU? Спрашиваю, потому что, в прошлый раз на конференции AWR заявили потдержку.

Также интересно какие симуляторы будут поддерживать GPGPU.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Также интересно какие симуляторы будут поддерживать GPGPU.

В хелпе упоминаний о GPU не попадалось. Если речь об обработке гафики, то, возможно имеется ввиду, что в AWR имеется множество команд для редактирования графики, например, ЕМ структур.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Добрый вечер! Помогите, пожалуйста, разобраться с правильным заданием портов при расчете в Axiem. Требуется рассчитать цепи согласования для мощного транзистора в Ku-диапазоне, который описан S-параметрами в виде файла *.s6p (файл "0"). При автоматической экстракции в axiem создается EM-структура с портами на всю ширину микрополоска (файл "1"). Результаты расчетов, в этом случае, ужасны (возбуждение во всем частотном диапазоне, K<1) и сильно не совпадают со схематиком (в схематике K>1). От автоматической экстракции отказался. В ручную перебрал все возможные варианты присоединения портов, с обычным деембедингом, с "connect to lower", со смещением реф.плоскости и без деембединга (файлы 2,3,4), результаты отличаются. Как все-таки правильно задавать порты в моем случае? Кто сталкивался с расчетом таких цепей согласования, помогите, пожалуйста.

screen.rar

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Добрый вечер! Помогите, пожалуйста, разобраться с правильным заданием портов при расчете в Axiem.

Наверное лучше всё-таки выложить проект, а не картинки.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Наверное лучше всё-таки выложить проект, а не картинки.

 

к сожалению не смогу выложить, частоты секретные. тут важен принцип, нужен ли деембединг или нет? Без него лучше характеристики, но правильно ли это? Усиление отличается от схематика на 1-3 дБ в зависимости от того как порты установишь. И в дополнении возбуждение в некоторых случаях появляется.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

тут важен принцип, нужен ли деембединг или нет?

Деембединг нужен обязательно с установкой connect to lower и топологию лучше моделировать в разных ЕМ структурах, а не в одной. Результаты могут зависеть от установленных опций AXIEM.

Попробуйте посчитать ЕМ структуры в EMSight. Расстояние до референсных плоскостей для деембединга не менее двух толщин подложки. Расстояние до верхней крышки побольше, 6-7 мм, и верхнюю крышку сделать проводящей или из идеального металла. Не забудьте в опциях EMSight отметить Enable AFS. Если всё сделано правильно, то результаты AXIEM и EMSight должны совпасть довольно хорошо.

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

evgdmi, спасибо за подробный ответ!

...топологию лучше моделировать в разных ЕМ структурах, а не в одной...

а как же учет связи между стоковой и затворной площадками? Попробую в EMSight. Пробовал изначально, долго очень считалось (один поток из 8 задействуется), недождался обрубил.

Изменено пользователем Разработчик

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

а как же учет связи между стоковой и затворной площадками?

Да, если расстояние очень маленькое, погрешность может возрасти. Но если полученные результаты будут приемлимы, то можно по аналогии посчитать и в одной структуре. И, наверное, тогда всётаки лучше использовать экстракцию, чтобы учесть нагрузки на входах-выходах ЕМ структур.

p.s. Да, EMSight хуже использует ядра, если их несколько. В таком случае лучше использовать вычислитель Sonnet непосредственно из MWO.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Здравствуйте, уважаемые коллеги.

Требуется помощь для решения следующей задачи: создаю короткозамкнутый шлейф в схеме, далее произвожу экстракцию в EMSight, характеристика данного шлейфа как у разомкнутого. Я предположил что EMSight не видит землю. Кажется у Дмитриева в мануале есть на эту тему такая рекомендация: для заземления в ЭМ-структуре использовать компонент Via1P, но у меня ничего не вышло. Как в ЭМ-структуре из экстрации правильно организовать землю?

Кто сталкивался с такой проблемой и как ее решал?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

но у меня ничего не вышло.

Всё получается. Почитайте мануал внимательнее. Если опять не получится, выложите схему или её часть, которую включаете в экстракцию.

MPL.rar

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Кажется у Дмитриева в мануале есть на эту тему такая рекомендация: для заземления в ЭМ-структуре использовать компонент Via1P, но у меня ничего не вышло. Как в ЭМ-структуре из экстрации правильно организовать землю?

Кто сталкивался с такой проблемой и как ее решал?

Мне кажется, идеально организовать землю в EM структуре сразу при экстракции топологии математической модели невозможно. EM-анализ как раз и предполагает, что вы будете учитывать заземление через переходные отверстия в плате или боковую металлизацию на торце структуры (например, с помощью GND порта в AXIEM или Analyst 3D).

Как запустить Via Port в EMSight-симуляторе я так и не разобрался (да и не пользуюсь я этим симулятором давно). Мне кажется Via Port Вам будет не очень полезен. Проще сделать переходные отверстия к земляному слою платы, как и предполагается в реальной плате.

 

Всё получается. Почитайте мануал внимательнее. Если опять не получится, выложите схему или её часть, которую включаете в экстракцию.

Спасибо за пример! Всё хорошо работает. Как-то не возникало необходимости делать раньше экстракцию переходных отверстий. Всё дорабатывалось уже в EM-редакторе. Но будем знать, в принципе полезная вещь.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста: как можно рассчитать импеданс платы относительно земли при подключении к одному из портов 50 омной линии исходя из ее измеренных значений S параметров (плата подключалась к анализатору цепей с двух ее портов)? Есть S параметры платы S11, S12, S21 и S22, записанные в одном файле. Плата представляет собой НЧ фильтр и имеет вид микрополосковой линии с подключенными к ней отрезками полосков в разных местах платы. На входе и выходе платы стоят порты. Сначала я перевожу S параметры в Z параметры, а затем из этих Z параметров надо как то выразить импеданс платы со стороны первого порта при подключении 50-ти ом к ее второму порту. Оптимизация этих S параметров для нарисованного в AWR фильтра с похожей топологией дает почему то очень не точный результат (частоты - 3 ГГц).

 

post-64187-1384772510_thumb.png

 

Изменено пользователем Stefan1

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста: как можно рассчитать импеданс платы...

Каскадное включение четырехполюсников (двухпортовых устройств), последний из которых (линияс Z = 50 Ом) вырождается в двухполюсник (однопортовое устройство). Фельдштейн и Явич в помощь (Синтез 4-х- и 8-миполюсников на СВЧ).

P. S. Или причём здесь MWO?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Сначала я перевожу S параметры в Z параметры, а затем из этих Z параметров надо как то выразить импеданс платы со стороны первого порта при подключении 50-ти ом к ее второму порту.

Схема включения, как у вас на рисунке. Предположим Вам надо измерить импеданс "платы" со стороны первого порта при подключенной нагрузке 50 Ом ко второму порту. Находите в измерениях группу Linear и там в корне есть метод ZIN. Указываете первый порт и выбираете вашу схему в "Data Source Name". В поле "Complex Modifier" выбираете тип представляемых данных и нажимаете Ok или Apply. Так же можно измерять импедансы маркером прямо на диаграмме Смитта при измерении S11. Аналогично с Z-параметрами и т.д.

Оптимизация этих S параметров для нарисованного в AWR фильтра с похожей топологией дает почему то очень не точный результат (частоты - 3 ГГц).

А Вы в какой опорной плоскости измеряете эти S-параметры?

Изменено пользователем MePavel

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста: как можно рассчитать импеданс платы относительно земли при подключении к одному из портов 50 омной линии...

Не очень понятно, что значит подключить 50 омную линию к одному из портов. Линию подключить нельзя, можно подключить отрезок линии. Собственно сам порт и преставляет собой примерно такую линию. В таком случае входной импеданс с 50-омной нагрузкой можно определить двумя способами. Использовать измеряемую величину ZIN. Или более сложно, определив выходное уравнение для входного сопротивления, используя элементы матрицы ABCD по формуле Маттея. Во вложенном файле результаты этих способов несколько отличаются, очевидно потому, что линия не совсем 50 омная. При этом не имеет значения, использовать схему отрезка линии, или схему с включённым в неё файлом данных в качестве подсхемы.

p.s. Кстати, вовсе не обязательно переводить s-параметры в z-параметры.

MLIN.rar

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...