_Pasha 0 23 мая, 2008 Опубликовано 23 мая, 2008 · Жалоба Решил, что проблема в ударном возбуждении контура, образованного выходными емкостями транзисторов и индуктивностью монтажа. ..........<skipped>.......... Скорость включения - очень важный параметр, в него всё и упирается. Не, там чуть посложнее. Как раз веселье, по идее, начинается при попытке запараллелить модули. И получается, ИМХО, что все равно они неодновременно открываются, появляется достаточно добротные контура с участием, как Вы сказали,выходной емкости, но недооткрытого транзистора. И после того, как генерация началась, колебательный процесс получает еще и подпитку путем воздействия на затвор через пресловутый емкостной делитель (Cres/Cies). :bb-offtopic: Я когда эту статейку впервые увидел, она мне жутко не понравилась. Шаманство, знаете ли... А теперь - повзрослел, поумнел и даже внимательно прочитал.:) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
pantelei4 0 23 мая, 2008 Опубликовано 23 мая, 2008 · Жалоба Не, там чуть посложнее. Как раз веселье, по идее, начинается при попытке запараллелить модули. И получается, ИМХО, что все равно они неодновременно открываются, появляется достаточно добротные контура с участием, как Вы сказали,выходной емкости, но недооткрытого транзистора. Да нет же - работают не параллельно, управление разнесено во времени. Тут действительно с RC цепью шаманить нужно. Возможно и транс на выходе своих проблем подкидывает. Вот SAVC дельные мысли подкидывает, буду думать в этом направлении. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 23 мая, 2008 Опубликовано 23 мая, 2008 · Жалоба Не, там чуть посложнее. Как раз веселье, по идее, начинается при попытке запараллелить модули. И получается, ИМХО, что все равно они неодновременно открываются, появляется достаточно добротные контура с участием, как Вы сказали,выходной емкости, но недооткрытого транзистора. И после того, как генерация началась, колебательный процесс получает еще и подпитку путем воздействия на затвор через пресловутый емкостной делитель (Cres/Cies). Угу. Если ещё сюда добавить неравномерность открывания самого кристалла IGBT, совсем страшно становится. Насколько я понял, здесь другая ситуация: транзисторы хоть и запараллелены, но управление ими разнесено по времени для увеличения частоты. В каждом такте работает только один транзистор. Поэтому пока можно свободно изучать один полумост, благо и там помехи возникают :) :bb-offtopic: А статья довольно сырая. Про управление транзисторами в начале не всё сказано. Какие ферриты использовались, не сказано. Прочитав статью, вовсе нет однозначного вывода о том, что применение ферритовых бусин - самое оптимальное решение. Не доказано. Это личное мнение автора. Рис. 2 - ни о чём. Где там затворный ризистор с ферритовой бусиной??? Скучно... :08: :07: Я умираю... Это ещё и не оригинал. Это урезанная перепечатка заметки по применению. Фигеть. Журнальные статьи фтопку. Весь журнал туда же. Зря только хорошую бумагу переводят, балин. И так леса уже не осталось... А эта заметка опирается на макулатуру 83-85х годов. Вот её ещё имеет смысл почитать. И добраться наконец до первоисточника Раньше, всё-таки, осторожнее бумагу переводили :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
pantelei4 0 26 мая, 2008 Опубликовано 26 мая, 2008 · Жалоба В каждом такте работает только один транзистор. Поэтому пока можно свободно изучать один полумост, благо и там помехи возникают :) Тут есть небольшие сложности с работой без нагрузки, поэтому выкладываю картинки выходного напряжения в штатном режиме работы. Первые две без RC цепи на выходе инвертора. Третья с цепью RC 5R + 3.3nF. Сопротивления безиндуктивные. Чесно говоря трудно сделать какой-то вывод. Одно понятно dV/dt не менее 8V/ns. SAVC, как думаешь - надо тормозить как-то? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 26 мая, 2008 Опубликовано 26 мая, 2008 · Жалоба Тут есть небольшие сложности с работой без нагрузки, поэтому выкладываю картинки выходного напряжения в штатном режиме работы. Первые две без RC цепи на выходе инвертора. Третья с цепью RC 5R + 3.3nF. Сопротивления безиндуктивные. Если я правильно понял, картинки - это осциллограммы в диагонали моста. На второй картинке хорошо видно колебания на фронте импульса. Это колебания внутри контуров полумост+фильтр, сложенные на нагрузке. Причём, на третьей они тоже есть(!), хотя на полочке уже с гораздо большим периодом. Где стоит RC-цепь? В диагонали моста? Если так, то нужно поставить на нижний ключ в каждом полумосте. Насколько я понял, значение 3.3nF отталкивается от выходной ёмкость IGBT. Неплохо для начала, но нужно учесть, что эффективная ёмкость значительно меньше. К сожалению, в DS об этом ничего не нашёл. Прикинул, для 300pF эффективной ёмкости, а это 150pF для двух последовательно включенных IGBT, и периоде 50ns, индуктивность монтажа получается около 420nHn. Может у вас быть такая индуктивность? Чесно говоря трудно сделать какой-то вывод. Одно понятно dV/dt не менее 8V/ns. SAVC, как думаешь - надо тормозить как-то? Скорость в полумосте будет в два раза меньше. Около 4,6V/ns по первой картинке. Нужно попробовать притормозить: поставить затворный резистор на заряд такой, чтобы уменьшить скорость раза в три. Хорошо бы смоделировать ситуацию и посмотреть, что там со сквозными токами. Имею ввиду, что присходит на затворе закрытого транзистора при открывании оппозитного. На нижнем транзисторе это можно глянуть осциллографом. Вопрос: какая нагрузка инвертора? И что за проблема при работе без нагрузки? Есть ли модель этих транзисторов? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
pantelei4 0 27 мая, 2008 Опубликовано 27 мая, 2008 · Жалоба SAVC, спасибо отпишусь потом. Нашёл хороший материал по ЭМС. http://articles.security-bridge.com/articles/16/11887/print/ http://articles.security-bridge.com/articles/16/11891/print/ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
SAVC 0 29 мая, 2008 Опубликовано 29 мая, 2008 · Жалоба К вопросу о бусинах. Интересно было бы проверить в плане самого оптимального решения. Что будет эффективнее: работа с бусиной или вот такая схема: Здесь в архиве более качественная картинка 2xMOSFET_DRV_IDEA.zip Это только идея, эскиз. Сделать два драйвера, по драйверу на каждый транзистор, и перенести бусину в цепь питания драйверов. Теперь они питаются через П-фильтр, что развязывает затворы по ВЧ так же, как и бусина. В то же время, затворы управляются от низкоимпедансного источника. В частности, это даёт большую помехозащищённость. Теперь затвор надёжно "прижат" к питанию и не будет ловит ВЧ помеху. Кстати, сюда так и просится идея работы на линию передачи :) Скорости тут ого-го какие.. 2 Omen_13: Не всегда работа запараллелленных транзисторов от одного драйвера - самое лучшее решение. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
x83 0 7 июня, 2008 Опубликовано 7 июня, 2008 · Жалоба Присоединяюсь к просьбе автора темы. Может кто подскажет теорию, application notes, faq и т.п. вещи по работе с IGBT. В моем случае необходимо проработать вопрос о возможности реализации преобразователя(инвертора) на IGBT для разогрева металлических болванок в индукционных печах. Там немного больше токи (до 1500А) чем при управлении асинхронными двигателями. Поверхностный просмотра сайта Mitsubishi показал, что самые мощные модули CM1000HA-24H рассчитаны на ток 1000А. Сразу возникает вопрос о том, как обеспечить 1500А, есть ли готовые модули на такой ток? На сайте www.ixys.com есть инфа по управлению MOSFET и IGBT. У меня есть книга на английском. Думаю, что в электронном виде там должна быть. Пошукайте там. Название книги не помню, но страниц на 200:) поищите. Может чего и нароете. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
