[viael 0]

Кто как сохраняет пользовательские настойки в разрабатываемых девайсах, а то SiLabs пожадничали прикрутить EEPROM к ихним камням.Я просто поражен :cranky: неужели это так сложно было.

Так что остается 2 варианта, писать во флэш, или наружи епром цеплять.

Как лучше получается(из соображения размера кода)?

[Toto Cutugno 0]

Я во внутреннюю flash контроллера пишу. Функция записи небольшая получается, да и быстродействие несоизмеримо по сравнению с вариантом EEPROMа.

[Гость Igor_K]

Делаю так же, в scratchpad пишу. Недостаток вижу только в том, что flash пишется не побайтно, а секторами.

[viael 0]

Я во внутреннюю flash контроллера пишу. Функция записи небольшая получается, да и быстродействие несоизмеримо по сравнению с вариантом EEPROMа.

 

Я так понимаю надо работать с целым сектором даже если надо записать 1 байт?

[Toto Cutugno 0]

Я во внутреннюю flash контроллера пишу. Функция записи небольшая получается, да и быстродействие несоизмеримо по сравнению с вариантом EEPROMа.

 

Я так понимаю надо работать с целым сектором даже если надо записать 1 байт?

Да, с целым сектором 512 байт. Поэтому перед записью даже одного байта, придётся все полезные данные сохранить в буфер, т.к. операции записи предшествует операция стирания.

[viael 0]

Я во внутреннюю flash контроллера пишу. Функция записи небольшая получается, да и быстродействие несоизмеримо по сравнению с вариантом EEPROMа.

 

Я так понимаю надо работать с целым сектором даже если надо записать 1 байт?

Да, с целым сектором 512 байт. Поэтому перед записью даже одного байта, придётся все полезные данные сохранить в буфер, т.к. операции записи предшествует операция стирания.

[/7quote]

Явно не подходит для кристалов с RAM<768 байт. :(

[Toto Cutugno 0]

Я во внутреннюю flash контроллера пишу. Функция записи небольшая получается, да и быстродействие несоизмеримо по сравнению с вариантом EEPROMа.

 

Я так понимаю надо работать с целым сектором даже если надо записать 1 байт?

Да, с целым сектором 512 байт. Поэтому перед записью даже одного байта, придётся все полезные данные сохранить в буфер, т.к. операции записи предшествует операция стирания.

[/7quote]

Явно не подходит для кристалов с RAM<768 байт. :(

Почему не подходит? Никто ведь не заставляет запоминать состояние всех 512 байт. Если у Вас, скажем, 10 байт настроек, так и сохраняйте в буфер эти 10 байт. А потом после стирания их восстанавливайте во флеш.

[viael 0]

Почему не подходит? Никто ведь не заставляет запоминать состояние всех 512 байт. Если у Вас, скажем, 10 байт настроек, так и сохраняйте в буфер эти 10 байт. А потом после стирания их восстанавливайте во флеш.

 

 

А у вас есть пример реализации на кейле.Этож надо сразу забить блок флеша размером 512 шоб компилятор его не заюзал.

[Toto Cutugno 0]

Почему не подходит? Никто ведь не заставляет запоминать состояние всех 512 байт. Если у Вас, скажем, 10 байт настроек, так и сохраняйте в буфер эти 10 байт. А потом после стирания их восстанавливайте во флеш.

 

 

А у вас есть пример реализации на кейле.Этож надо сразу забить блок флеша размером 512 шоб компилятор его не заюзал.

Завтра вышлю пример

[viael 0]

Почему не подходит? Никто ведь не заставляет запоминать состояние всех 512 байт. Если у Вас, скажем, 10 байт настроек, так и сохраняйте в буфер эти 10 байт. А потом после стирания их восстанавливайте во флеш.

 

 

А у вас есть пример реализации на кейле.Этож надо сразу забить блок флеша размером 512 шоб компилятор его не заюзал.

Завтра вышлю пример

Я уже сам допер

Поковырялся в апликухах и написал это:

   void write_flash( unsigned char dat,unsigned char xdata *ptr )
  {
   unsigned char xdata *pwrite;
   char EA_save,PCA0MD_save;

     // Disable Watchdog timer
   PCA0MD_save=PCA0MD;
   PCA0MD &= ~0x40;                    // WDTE = 0 (clear watchdog timer 
                                       // enable)

   // erase the FLASH page at 0x1000
   EA_save = EA;
   EA = 0;                             // disable interrupts (precautionary)

   // initialize write/erase pointer
   pwrite = ptr;
   PSCTL = 0x03;                       // MOVX writes erase FLASH page

   FLKEY = 0xA5;                       // FLASH lock and key sequence 1
   FLKEY = 0xF1;                       // FLASH lock and key sequence 2
   *pwrite = 0;                        // initiate page erase

   PSCTL = 0;                          // MOVX writes target XRAM

   // copy a dat FLASH memory at address ptr

   pwrite = ptr;                    // initialize FLASH write pointer
   PSCTL = 0x01;                    // MOVX writes target FLASH memory

   FLKEY = 0xA5;                    // FLASH lock and key sequence 1
   FLKEY = 0xF1;                    // FLASH lock and key sequence 2
   *pwrite = dat;                   // copy byte

   PSCTL = 0x00;                    // MOVX writes target XRAM
   EA = EA_save;                    // re-enable interrupts
   PCA0MD=PCA0MD_save;
  }

 

записывается dat по указателю ptr с предварительным стиранием блока начиная с ptr.Проверил в железе на F321 работает.

Но примерчик все рано вышли интересно как у тебя реализовано.

[Toto Cutugno 0]

Почему не подходит? Никто ведь не заставляет запоминать состояние всех 512 байт. Если у Вас, скажем, 10 байт настроек, так и сохраняйте в буфер эти 10 байт. А потом после стирания их восстанавливайте во флеш.

 

 

А у вас есть пример реализации на кейле.Этож надо сразу забить блок флеша размером 512 шоб компилятор его не заюзал.

Завтра вышлю пример

Я уже сам допер

Поковырялся в апликухах и написал это:

   void write_flash( unsigned char dat,unsigned char xdata *ptr )
  {
   unsigned char xdata *pwrite;
   char EA_save,PCA0MD_save;

     // Disable Watchdog timer
   PCA0MD_save=PCA0MD;
   PCA0MD &= ~0x40;                    // WDTE = 0 (clear watchdog timer 
                                       // enable)

   // erase the FLASH page at 0x1000
   EA_save = EA;
   EA = 0;                             // disable interrupts (precautionary)

   // initialize write/erase pointer
   pwrite = ptr;
   PSCTL = 0x03;                       // MOVX writes erase FLASH page

   FLKEY = 0xA5;                       // FLASH lock and key sequence 1
   FLKEY = 0xF1;                       // FLASH lock and key sequence 2
   *pwrite = 0;                        // initiate page erase

   PSCTL = 0;                          // MOVX writes target XRAM

   // copy a dat FLASH memory at address ptr

   pwrite = ptr;                    // initialize FLASH write pointer
   PSCTL = 0x01;                    // MOVX writes target FLASH memory

   FLKEY = 0xA5;                    // FLASH lock and key sequence 1
   FLKEY = 0xF1;                    // FLASH lock and key sequence 2
   *pwrite = dat;                   // copy byte

   PSCTL = 0x00;                    // MOVX writes target XRAM
   EA = EA_save;                    // re-enable interrupts
   PCA0MD=PCA0MD_save;
  }

 

записывается dat по указателю ptr с предварительным стиранием блока начиная с ptr.Проверил в железе на F321 работает.

Но примерчик все рано вышли интересно как у тебя реализовано.

 

Например, так

#define InternalFLASHAddress 0x7A00    // Адрес начала области для хранения параметров
#define SYSTEM_PARAMETERS_SIZE 190     // Размер области для хранения системных параметров

xdata unsigned char InternalBuffer[SYSTEM_PARAMETERS_SIZE]; //Внутренний буфер для параметров

void WriteToInternalFlash(unsigned char *ptr)
{
    unsigned char xdata *FlashPointToWrite;     //Указатель на 512-байтную область памяти
    idata unsigned char index;
    FlashPointToWrite = InternalFLASHAddress;
    
    FLSCL = 0x88;                         // set FLASH scale register for 12000000Hz system clock
    PSCTL = 0x03;                         // set PSWE and PSEE to ‘1’s (MOVX instructions erase the corresponding FLASH page)
    *FlashPointToWrite = 0;                     // initiate the erase cycle
    PSCTL = 0x01;                         // clear PSEE, leaving PSWE set to ‘1’. MOVX instructions will write to the corresponding FLASH address.
    for (index=0;index<SYSTEM_PARAMETERS_SIZE;index++) 
       *(FlashPointToWrite++) = *(ptr+index);
    PSCTL = 0;                                     
    FLSCL = 0x8f;                                     
    return;
}

void main(void)
{
// .....
    WriteToInternalFlash(&InternalBuffer[0]);
// ....
}

[Гость Igor_K]

Не обязательно работать с такими большими секторами. Scratchpad - это тоже сектор, и имеет размер 128 байт. Очень удобно как раз для хранения настроек, и в XRAM много места не занимает при обработке.

[Toto Cutugno 0]

Не обязательно работать с такими большими секторами. Scratchpad - это тоже сектор, и имеет размер 128 байт. Очень удобно как раз для хранения настроек, и в XRAM много места не занимает при обработке.

Полностью согласен. Всегда стараюсь так делать, если для хранения настроек хватает 128 байт.

[viael 0]

Не обязательно работать с такими большими секторами. Scratchpad - это тоже сектор, и имеет размер 128 байт. Очень удобно как раз для хранения настроек, и в XRAM много места не занимает при обработке.

Полностью согласен. Всегда стараюсь так делать, если для хранения настроек хватает 128 байт.

А если Scratchpad нет в применяемом контроллере

[Toto Cutugno 0]

Не обязательно работать с такими большими секторами. Scratchpad - это тоже сектор, и имеет размер 128 байт. Очень удобно как раз для хранения настроек, и в XRAM много места не занимает при обработке.

Полностью согласен. Всегда стараюсь так делать, если для хранения настроек хватает 128 байт.

А если Scratchpad нет в применяемом контроллере

Используйте 512-байтный сектор