addi II 0 29 января, 2023 Опубликовано 29 января, 2023 · Жалоба 4 hours ago, byRAM said: Так какой там MOSFET, Si2307 или Si2308, p- или n-канальный??? SI2308BDS Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
k155la3 26 30 января, 2023 Опубликовано 30 января, 2023 · Жалоба 20 часов назад, addi II сказал: . . . . По поводу затвора я думал он будет открываться , но не на полную мощность и предполагал что этого хватит. . . . . Самый правильный режим для MOSFET - или полностью открыт, или полностью закрыт. Да, можно "открыть не на полную мощность", но в этом случае все, что осталось от "полной мощности" будет рассеиваться температурой на полу-открытом канале транзистора. Регулировать так мощность в нагрузке как минимум нерентабельно-вредно. Хотите эффективно регулировать мощность в нагрузке MOSFET-ом (да и биполярным тоже) - используйте ключевой режим / ШИМ. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
byRAM 24 30 января, 2023 Опубликовано 30 января, 2023 (изменено) · Жалоба 1 час назад, k155la3 сказал: Хотите эффективно регулировать мощность в нагрузке MOSFET-ом (да и биполярным тоже) - используйте ключевой режим / ШИМ. Какой там ШИМ, в когда у человека с законом Ома проблема, а не только с недостаточно открытым ПТ. Там не только ПТ может сгореть, но и управляющий вывод микроконтроллера, если R3=0 Ом. И датчик тока R1 должен быть известного номинала, а не 0 Ом. Изменено 30 января, 2023 пользователем byRAM Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
