[НЕХ 4]

Диоды VD2 VD3 не участвуют в открытии тиристоров, они заперты. 

[DEX777 0]

1 minute ago, НЕХ said:

Диоды VD2 VD3 не участвуют в открытии тиристоров, они заперты. 

пожалуйста нарисуйте или опишите вашу версию протекания тока L3 через тиристоры.

[Plain 185]

Вам уже ответили — ток L3 идёт только через два УЭ, остальные детали не участвуют и бесполезны.

[DEX777 0]

2 hours ago, Plain said:

ток L3 идёт только через два УЭ, остальные детали не участвуют и бесполезны.

тоесть один открыт другой пробит по управлению?

[Plain 185]

Да, а на резисторе чуть больше нуля.

[DEX777 0]

12 hours ago, Plain said:

Вам уже ответили — ток L3 идёт только через два УЭ, остальные детали не участвуют и бесполезны.

так? разным цветом ток при разной полярности на L3

[НЕХ 4]

Да, токи циркулируют именно так. 

При отрицательном напряжении на УЭ переход ведёт себя как обычный стабилитрон на 9 Вольт. Измерил на ВТ152. 

Когда на УЭ отрицательный выброс он остаётся закрытым - в это время открывается оппозитный тиристор. 

Плохо это всё по 2 причинам. 

Биполярный транзисторы деградируют от такой вольности - уменьшается усиление по току. 

Второе - большая часть тока управляющей катушки вместо УЭ течёт через R1. Тиристорам смерть, если ток УЭ мал! 

Лучше придумать так -  при прохождении зазора растёт напряжение на управляющей катушке и R1, для помехоустойчивости ждём когда напряжение на обратносмещенном УЭ тиристора без внутреннего шунта достигнет 3- 5 вольт, затем закорачиваем его и весь ток устремляется в УЭ противоположного тиристора. Теперь через R1 ток незначительный, ведь там уже не десяток Вольт. 

В таких схемах надёжность определяется параметром  тиристора  dI/dt, лучший отечественный КУ221- стояли в развёртке старинных ТВ. 

Большой ток УЭ при открытии тиристора очень важен. В моем предложении с аналогом низковольтного динистора можно параллельно R1 добавить конденсатор, чтобы импульс тока был острее. 

 

[DEX777 0]

1 hour ago, НЕХ said:

При отрицательном напряжении на УЭ переход ведёт себя как обычный стабилитрон на 9 Вольт. Измерил на ВТ152. 

в даташите на BT152-800R пиковое отрицательное напряжение на затворе не может быть больше 5В! (приложил pdf)

 

по мне проще добавить форсирующие цепочки в каждый УЭ и зашунтировать управляющий переход. две схемки нафантазировал. 

 

PS особенность оригинальной схемы МБ2 - большое количество витков датчика L3 - 4070 в-в.

BT152-800R.pdf

1 hour ago, НЕХ said:

Тиристорам смерть, если ток УЭ мал! 

почему смерть? 

Изменено 8 сентября, 2021 пользователем DEX777

[НЕХ 4]

Форсирующие RC это не то... 

Рост тока УА должен быть стремительным, сразу и много. 

Иначе локальный перегрев кристалла и тепловой пробой в малой области. 

Сладкая парочка - динистор(диак) и тиристор - обеспечивает разряд ёмкости в УЭ. 

Можно поставить один DB3, увеличить R1, зашунтировать его небольшой ёмкостью, поставить пару обратных диодов на УЭ тиристоров. 

Пока напряжение не достигнет 30 Вольт на R1, схема молчит. Достигло - диак открылся и разрядил ёмкость в УЭ тиристора. 

https://www.semikron.com/dl/service-support/downloads/download/semikron-application-note-thyristor-triggering-and-protection-of-diodes-and-thyristors-en-2018-11-19-rev-02.pdf

[DEX777 0]

21 minutes ago, НЕХ said:

Можно поставить один DB3, увеличить R1, зашунтировать его небольшой ёмкостью, поставить пару обратных диодов на УЭ тиристоров. 

так?

 

[НЕХ 4]

Да, R1 yвеличить до 1кОм.

DB3 нарисовать симметричным)) 

На натурных испытаниях подобрать значение ёмкости воизбежании резонансов и задержек чрезмерных. 

[DEX777 0]

2 minutes ago, НЕХ said:

Да, R1 yвеличить до 1кОм.

DB3 нарисовать симметричным)) 

На натурных испытаниях подобрать значение ёмкости воизбежании резонансов и задержек чрезмерных. 

спасибо! DB3 такой в библиотеке EasyEDA.

зажигание по меркам полупроводников штука медленная - 10 тысяч об/мин это 166 об/сек и 333 Гц если две искры за оборот.

Изменено 8 сентября, 2021 пользователем DEX777

[НЕХ 4]

Запаздывание зажигания будет неправильным достоинством новой схемы)) 

В любом случае - включение тиристора отрицательным всплеском на УЭ - это абсурд! 

Семь футов под килем! 

В чинимом мною БП была оригинальная схема поджига тиристоров 3фазного моста. 

Катоды тиристоров к + силовых ёмкостей, питание схемы чуть выше этого напряжения. Составные транзисторы пропускают импульсы тока в УЭ при подходящем напряжении на аноде. 

Плата многослойная, слева внутренний слой GND выгорел до обрыва... 

Изменено 8 сентября, 2021 пользователем НЕХ

[Plain 185]

4 часа назад, DEX777 сказал:

так?

Пару 51 Ом потеряли.

[DEX777 0]

Just now, Plain said:

Пару 51 Ом потеряли.

параллельно диодам?