НЕХ 7 11 мая, 2020 Опубликовано 11 мая, 2020 · Жалоба Это ШИМ должен управляться сигналом тока экрана ? Пиковым, интегральным ? 9 hours ago, serg_Fry said: Интересная идея. Ёмкость МКП существенно больше чем у фотокатода. В результате фронт будет получаться по худшему условию. Но это нужно оценить количественно, может приемлемо получится. Есть только ёмкости между фотокатодом и МКП, фотокатодом и корпусом, МКП и корпусом. ШИМ нужен для сбережения фотокатода от чрезмерной засветки или регулировка яркости так осуществляется ? Чем чревато направление оптики на Солнце при обесточенном ОЭП ? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 7 12 мая, 2020 Опубликовано 12 мая, 2020 · Жалоба Сообразил для чего нужен такой затвор. Импульсная лазерная подсветка и отделение целей на известном расстоянии в тумане. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
serg_Fry 0 12 мая, 2020 Опубликовано 12 мая, 2020 · Жалоба Quote ...это, скорее, схема привязки к уровню напряжения... Спасибо за подсказку. Quote Это ШИМ должен управляться сигналом тока экрана ? Пиковым, интегральным ? Да, обратная связь по току экрана. Экран довольно инерциальный на затухание. Поэтому скорее интегральным. Quote Есть только ёмкости между фотокатодом и МКП, фотокатодом и корпусом, МКП и корпусом. Да. Я выше писал про ёмкость фотокадод-выход_МКП и емкость вход-выход_МКП. Эти 2 ёмкости существенно отличаются. Поэтому их совместная коммутация будет заведомо медленнее (фронты) чем только коммутация нагрузки ФК-вход_МКП. Quote ШИМ нужен для сбережения фотокатода от чрезмерной засветки или регулировка яркости так осуществляется ? Чем чревато направление оптики на Солнце при обесточенном ОЭП ? И то и другое. Импульсное управление существенно расширяет рабочий диапазон вх. яркостей в сторону яркого света. При достаточно коротком минимальном импульсе отпадает потребность в защитных диафрагмах на дневном свете. Про смотреть на солнце - не хочу загадывать, все зависит от того, какие фронты и мин. длительность импульса сможем обеспечить. И собственно управление получается довольно скоростное, что позволяет сделать качественный автомат регулировки яркостей чтобы наблюдатель с комфортом работал даже в условиях вспышек и резких изменений освещенности сцены. Плюс вроде бы расширяется динамический диапазон (пока экспериментально не проверяли). Quote Сообразил для чего нужен такой затвор. Импульсная лазерная подсветка и отделение целей на известном расстоянии в тумане. И это тоже. В тумане, в дождь, под водой и прочее подобное. Это называется "активно-импульсная подсветка". Похоже у вас есть опыт по этому направлению. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 220 12 мая, 2020 Опубликовано 12 мая, 2020 · Жалоба Получить перепады 15 нс мешают Coss и ОБР — следовательно, ключи должны быть ненасыщаемыми источниками тока, и этот ток должен расти, следуя за графиком ОБР, т.е. нужны порядка 950 В транзисторы и четырёхуровневый БП, чтобы ограничить СИ на уровне 50 В. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 7 13 мая, 2020 Опубликовано 13 мая, 2020 · Жалоба IPN95R3K7P7 подходящий кандидат - SJ MOSFET является при переключении ограничителем тока на 2.5 Ампера 1000 V / 10 ns лучше не превышать За 10 нс током 2.5 А до 800 В можно прокачать 31 пФ Будет некоторая задержка, связанная с начальной зарядкой выходной ёмкости - но её легко учесть и на длительность перепада напряжения она не скажется. Управление осуществимо через "трансформатор", выполненный на ферритовой бусинке. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 220 14 мая, 2020 Опубликовано 14 мая, 2020 · Жалоба 22 часа назад, НЕХ сказал: SJ MOSFET является при переключении ограничителем тока на 2.5 А Естествоиспытания? В перерытой куче официальных бумаг не нашлось подтверждения. На графике ОБР нетрадиционный загиб виден, но это двоякотолкуемо. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 7 14 мая, 2020 Опубликовано 14 мая, 2020 · Жалоба В документации на транзистор показано, что даже 20 Вольт на затворе не приводят к росту тока - fig.5 fig.9 Это давняя особенность SJ MOSFET в режиме короткого замыкания с ограничением тока. 800 Вольт под рукой не нашел - вот результаты работы полумоста на вышеозначенном транзисторе на 500 В на частоте 32768 Гц синий луч - напряжение на затворе жёлтый луч - напряжение на резисторе 3,33 Ома, включенного последовательно с ёмкость имитирующей нагрузку 20 пФ (5V = 1.5A) Включение: mosfet ON на ixbt.photo: Длительность управляющего импульса менее 100 нс: gate pulse на ixbt.photo: Включение оппозитного ключа - на затворе сохраняется отрицательное напряжение: mosfet OFF на ixbt.photo: Управляющий трансформатор - бусинка, все три обмотки по 2 витка. Вполне хватило бы и 1 витка и 25-50 нс импульса... Для таких коротких событий ОБР не приводится)) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 7 15 мая, 2020 Опубликовано 15 мая, 2020 · Жалоба 800 Вольт ничего принципиально не меняют. 800V за 15ns на ixbt.photo: Ключи справляются с задачей. Если нужно быстрее - надо ставить более мощный транзистор. Для справки - на 500V 32768Hz потребляемая мощность 0.7 Вт, так как первые 5 нс открывающийся ключ работает на фактическое КЗ - ёмкость закрытого оппозитного ключа велика. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 220 15 мая, 2020 Опубликовано 15 мая, 2020 · Жалоба Большое спасибо, но всё равно сомнительно, хотелось бы опереться на что-то официальное — я про всё тот же странный обрыв графика ОБР на 1 мкс, формально можно истолковать, как "время переключения не должно быть меньше этого, потому что мы не проверяли". Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 7 15 мая, 2020 Опубликовано 15 мая, 2020 · Жалоба Главное не превышать 100V/ns - чтобы не открыть паразитный BJT внутри структуры. Это обернётся катастрофой. Редкий MOSFET не переживёт однократное КЗ в течении 1 мкс)) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться