ustus 0 22 февраля, 2020 Опубликовано 22 февраля, 2020 (изменено) · Жалоба 2 hours ago, Plain said: Если Вы их соедините с данным проводом, то да, а иначе программа их от него изолирует. Такой вариант соответсвует идеи? Первый слой +12В и -12В, второй слой сигнальный Изменено 22 февраля, 2020 пользователем ustus Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 201 22 февраля, 2020 Опубликовано 22 февраля, 2020 · Жалоба Уже лучше. Теперь верните равное деление нижнего слоя на две равные половины, входной соединитель соответственно поднимется в центр платы по вертикали, а транзистор и выходной соединитель сдвиньте вниз до положения, чтобы эта горизонтальная ось встала ровно между ними — ведь Вы создали данную тему на предмет получения наибольшей площади меди — странно, что Вы же эту медь каждый раз режете в капусту. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ustus 0 22 февраля, 2020 Опубликовано 22 февраля, 2020 · Жалоба 1 hour ago, Plain said: Уже лучше. Теперь верните равное деление нижнего слоя на две равные половины, входной соединитель соответственно поднимется в центр платы по вертикали, а транзистор и выходной соединитель сдвиньте вниз до положения, чтобы эта горизонтальная ось встала ровно между ними — ведь Вы создали данную тему на предмет получения наибольшей площади меди — странно, что Вы же эту медь каждый раз режете в капусту. Можно ли такой вариант (без диода) считать окончательным? Да, и как лучше этот диод расположить? И, не нужно ли к транзистору прикручивать радиатор? (корпус TO220, насколько я знаю способен рассеивать до 50 ВТ тепла) Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 201 22 февраля, 2020 Опубликовано 22 февраля, 2020 · Жалоба Да, вариант рабочий, но под соединение транзистора и соединителя Вы несмотря ни на что продолжаете использовать слой шин питания и соответственно резать их, радикально уменьшая их сечение, поэтому добавление в эту капусту диода вряд ли что-то изменит. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ustus 0 22 февраля, 2020 Опубликовано 22 февраля, 2020 · Жалоба 3 hours ago, Plain said: Да, вариант рабочий, но под соединение транзистора и соединителя Вы несмотря ни на что продолжаете использовать слой шин питания и соответственно резать их, радикально уменьшая их сечение, поэтому добавление в эту капусту диода вряд ли что-то изменит. Спасибо кажется я понял свои ошибки и исправил. Какие Вы дали бы рекомендации по ширине проводников (связь между соединителем и транзистором сделал 2мм, связь между затвором транзистора,резисторами и пином управления 0,6мм)? И, как же лучше расположить диод? Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 201 23 февраля, 2020 Опубликовано 23 февраля, 2020 · Жалоба Логично не добавлять уменьшений сечения шин, следовательно, единственное место для диода — справа, с его контактами по осям уже существующих. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ustus 0 23 февраля, 2020 Опубликовано 23 февраля, 2020 (изменено) · Жалоба 6 hours ago, Plain said: Логично не добавлять уменьшений сечения шин, следовательно, единственное место для диода — справа, с его контактами по осям уже существующих. Добавил теперь и диод на плату следуя Вашим рекомендациям, если я их правильно уяснил... Изменено 23 февраля, 2020 пользователем ustus Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 201 23 февраля, 2020 Опубликовано 23 февраля, 2020 · Жалоба Да, теперь нормально. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ustus 0 23 февраля, 2020 Опубликовано 23 февраля, 2020 · Жалоба Just now, Plain said: Да, теперь нормально. Отлично, благодаря Вам вопрос по плате можно считатать закрытым. За что я Вам признателем и благодарю. Осталась лишь пара разношерстных вопросов по улучшению схемотехники. 1. Можно ли вместо диода использовать варистор? Стоит ли его вообще использовать? 2. Где-то вычитал, что простой диод типа 1N4007 здесь не особо уместен и лучше взять быстро восстанавливающийся импульсный диод RF157. Насколько это обосновано? 3. Вы назвали даташит на указанный полевик irlb3034pbf "раратетным", означает ли это, что лучше взять какой-то другой полевик ("более современный")? 4. Как понять, сколько ампер можно по максимуму пропустить через транзистор (скажем на 12В или 24В), чтобы не прибегать к установке радиатора? Или радиатор нужен? От какой температуры? Заранее благодарю Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Plain 201 23 февраля, 2020 Опубликовано 23 февраля, 2020 · Жалоба 1. Можно, но на порядки дороже. 2. Без разницы, лишь бы импульсный ток и средняя мощность соответствовали. 3. Означает, например. 4. На примере DMN22M5UFG из вышеприведённого списка, берём из таблицы "Electrical ..." сопротивление канала (3,5 мОм при 2,5 В на затворе), умножаем его на коэффициент 1,4 из Рис.6, умножаем на квадрат коммутируемого тока (например, 10 А), умножаем на взятое из таблицы "Thermal ..." тепловое сопротивление 127 °C/Вт (если степень нашего жабоудушения беспредельна и мы не дали транзистору нисколько меди) и получаем перегрев: 0,0035 Ом · 1,4 · 10 А · 10 А · 127 °С/Вт = 62 °C, т.е. при окружающей температуре 40 °C кристалл нагреется до: 40 °C + 62 °C = 102 °C, что вполне далековато от паспортного предела 150 °C. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Alex-lab 6 23 февраля, 2020 Опубликовано 23 февраля, 2020 · Жалоба Если у вас питание от батареи которая может выдать 1кА, я бы поставил предохранитель хотя бы на входе, а может и для каждой из нагрузок, если их независимое питание имеет смысл. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ustus 0 23 февраля, 2020 Опубликовано 23 февраля, 2020 · Жалоба 5 hours ago, Plain said: 1. Можно, но на порядки дороже. 2. Без разницы, лишь бы импульсный ток и средняя мощность соответствовали. 3. Означает, например. 4. На примере DMN22M5UFG из вышеприведённого списка, берём из таблицы "Electrical ..." сопротивление канала (3,5 мОм при 2,5 В на затворе), умножаем его на коэффициент 1,4 из Рис.6, умножаем на квадрат коммутируемого тока (например, 10 А), умножаем на взятое из таблицы "Thermal ..." тепловое сопротивление 127 °C/Вт (если степень нашего жабоудушения беспредельна и мы не дали транзистору нисколько меди) и получаем перегрев: 0,0035 Ом · 1,4 · 10 А · 10 А · 127 °С/Вт = 62 °C, т.е. при окружающей температуре 40 °C кристалл нагреется до: 40 °C + 62 °C = 102 °C, что вполне далековато от паспортного предела 150 °C. Еще раз благодарю Вас за рекомендации. На этом, думаю, что можно эту тему окончательно закрыть как решенную. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Oymyacon 0 24 февраля, 2020 Опубликовано 24 февраля, 2020 · Жалоба Закрывай, кто мешает! Или этому тоже учить надо? Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ustus 0 24 февраля, 2020 Опубликовано 24 февраля, 2020 · Жалоба 2 часа назад, Oymyacon сказал: Закрывай, кто мешает! Или этому тоже учить надо? В отличие от Вас, другие участники своими комментариями мне помогли разобраться в вопросе и "чему-то" тем самым научили. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться