terraelectronica 0 3 сентября, 2019 Опубликовано 3 сентября, 2019 (изменено) · Жалоба В статье впервые предлагается методика оценки устойчивости GaN-транзисторов к выбросам напряжения. Новая методика позволяет определить наиболее важные параметры силовых ключей с точки зрения защиты от выбросов напряжения, что является важным фактором при разработке надежных источников питания на базе GaN-транзисторов. В статье также впервые показано, что в реальных условиях GaN-транзисторы сохраняют работоспособность при воздействии скачков напряжения, возникающих в линиях питания. Кроме того, статья определят методику построения источников питания, устойчивых к выбросам напряжения, на базе GaN-транзисторов. Подробнее>> Изменено 3 сентября, 2019 пользователем terraelectronica Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться