[terraelectronica 0]

В статье впервые предлагается методика оценки устойчивости GaN-транзисторов к выбросам напряжения. Новая методика позволяет определить наиболее важные параметры силовых ключей с точки зрения защиты от выбросов напряжения, что является важным фактором при разработке надежных источников питания на базе GaN-транзисторов. В статье также впервые показано, что в реальных условиях GaN-транзисторы сохраняют работоспособность при воздействии скачков напряжения, возникающих в линиях питания. Кроме того, статья определят методику построения источников питания, устойчивых к выбросам напряжения, на базе GaN-транзисторов.

 

Подробнее>>

 

 

Изменено 3 сентября, 2019 пользователем terraelectronica