terraelectronica 0 19 августа, 2019 Опубликовано 19 августа, 2019 · Жалоба Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей при построении источников питания на примере POL-преобразователей. Также в статье рассказывается об особенностях интегральной микросхемы LMG5200 со встроенными нитрид-галлиевыми транзисторами от Texas Instruments. Силовые транзисторы обладают высокой скоростью переключений и позволяют уменьшить габариты источников питания, а также увеличить их КПД. Отсутствие необходимости использования громоздких радиаторов делает возможным создание новых компактных форм-факторов для блоков питания и модулей, в том числе для тех, что используются в беспроводных зарядных устройствах. Компании Texas Instruments и Efficient Power Conversion (EPC) сосредоточили свои усилия на разработке силовых компонентов для приложений, требующих компактных габаритов и высокой эффективности. Читать далее >> Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
