[TarelkaSemok 0]

Ответ скрывается, скорее всего, в исполнении производителем структуры транзистор+зенер в кремнии. Где-то там есть паразитный p-n переход, который при отрицательном Vgs приводит к открытию диода от стока через подложку, через зенера на вывод затвора. 

[Plain 168]

Ну если такая тупизна, т.е. вместо оксида кремния сделали область "n", то да — затвор получается эмиттером, подложка "p" — базой, а сток "n" — коллектором.