Arlleex 183 6 февраля, 2016 Опубликовано 6 февраля, 2016 · Жалоба Добрый день! Есть задача управлять небольшим трехфазным PMSM двигателем (от HDD). На обмотки буду подавать 12В, управляющее напряжение - +5В. Схема примерно такая: Нижние ключи так и остаются, верхние же нужно подключать драйвером. Драйвер воротить не хочется, буду просто подавать 12 + 5 = 17В на затвор через биполярный транзистор. Ключ выбрал с учетом возможности управления логическим уровнем - IRLML2502. В общем-то, напряжение нужно выдерживать между затвором-истоком, которое в открытом состоянии будет равно 17 - 12 = 5В, т. е. как и у транзистора нижнего плеча. Вопрос в том, где в даташите смотреть максимально возможное напряжение относительно земли, подаваемое на затвор, ведь, как никак, 17В для IRLML уже не хорошо (наверное)? Благодарю за внимание! Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
smalcom 0 6 февраля, 2016 Опубликовано 6 февраля, 2016 · Жалоба gate-drain breakdown voltage называется. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Arlleex 183 6 февраля, 2016 Опубликовано 6 февраля, 2016 · Жалоба smalcom, нет таких параметров у транзистора (посмотрел у нескольких транзисторов). Есть Drain-to-Source Breakdown Voltage, но это максимальное напряжение сток-исток, т. е., в моем случае - фазное напряжение питания обмоток, но никак не напряжение на затворе :05: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 6 6 февраля, 2016 Опубликовано 6 февраля, 2016 · Жалоба Не пойму Ваших затруднений. На первой же странице даташита есть табличка с названием Absolute Maximum Ratings. В ней предпоследней строчкой указано Gate-to-Source Voltage. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Arlleex 183 6 февраля, 2016 Опубликовано 6 февраля, 2016 · Жалоба Herz, таким образом главное - это выдержать напряжение на затворе относительно истока не выше 12В? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Herz 6 6 февраля, 2016 Опубликовано 6 февраля, 2016 · Жалоба Herz, таким образом главное - это выдержать напряжение на затворе относительно истока не выше 12В? А можно понять эту строчку как-то иначе? :rolleyes: Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Arlleex 183 6 февраля, 2016 Опубликовано 6 февраля, 2016 (изменено) · Жалоба Ну, всякое бывает :) Посмотрел я схемы драйверов на транзисторах, в принципе, все понятно, и я набросал схему (рисунок слева, см. ниже). Т.е. имеем входные 12В, через DC/DC преобразователь повышаем до 17В, чтобы подать на затвор верхнего n-канального полевого транзистора. Двухтактный каскад на биполярных транзисторах как раз образует потенциал в 17В на затворе. Но в нескольких попавшихся мне схемах, основанных на применении двухтактного каскада, коллектор нижнего транзистора в соединен с истоком полевого. Просимулировал в мультисиме, оба варианта работают одинаково. Я так понимаю, во второй схеме при открытии нижнего транзистора PNP на его эмиттере будет не все 17В, как на первой схеме, а всего лишь 5 (относительно коллектора). Но смысл? Изменено 6 февраля, 2016 пользователем Arlleex Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться