[serega98700 0]

Надеяться на типовые параметры - очень стрёмное занятие грозящее бо-ольшими проблемами в будущем.

А на какие параметры нужно опираться при проектировании РЭА?

[artemkad 53]

Тогда что нужно сделать для повышения надежности?

Ну к примеру решение от Гаммы:

http://microchip.ua/simcom/?link=/SIM900x/...es%20-%20raznoe

Хотя я предпочитаю работать сразу с контроллером на 3В и не е..ть себе одно место...

[aleksandr-zh 4]

схема актуальна при питании МК от 3.3В, а GSM - от 3.5в и выше

 

если МК - от 5, а GSM - от 3.3-4.2в (для SIMcom, например), то TX модуля сразу завожу на МК, уменьшаю наряжение только для линии GSM Rx

[artemkad 53]

А на какие параметры нужно опираться при проектировании РЭА?

На гарантированные. Если в доке написано, что входной уровень единицы минимум 3.15V, а типовой 2.4V, надо рассчитывать на 3.15В, потому как 2.4В рано или поздно вылезет боком. В частности тут попытка работать на 2.8В на выходе появился сильно усиленный шум массы.

[CADiLO 11]

У этой схемы два недостатка

1. падение сигнала на биполярном транзисторе что не позволяет согласовывать уровни при малой разнице - например 2.8 <> 3.3

2. На втором транзисторе при отсутствии Vext напряжение MCU_VCC через коллекторный переход запитает схему.

 

Поэтому надежнее использовать так назывемый "филлипсовский" ключ который был рекомендован ими в апноте по I2C

 

Преимущества:

1. двунаправленность - кстати если она не нужна, то один резистор можно исключить

2. меньше деталей

3. меньше падение, а значит можно согласовывать близкие напряжения.

 

Подробнее здесь - http://we.easyelectronics.ru/Shematech/sog...-ustroystv.html

[artemkad 53]

схема актуальна при питании МК от 3.3В, а GSM - от 3.5в и выше

 

если МК - от 5, а GSM - от 3.3-4.2в (для SIMcom, например),

 

У GSM-модулей питание 4.2В используется для питания радиочасти. Цифровая часть и почти все входные и выходные сигналы (иногда за исключением PWRKEY) имеют 3В, а то и 2.8В уровни. Внутри модуля есть мелкий стабилизатор который и запитывает цифровую часть. Причем ядро может питаться и от 1.2В что вылазит боком при появлении на ногах уровней выше нуля даже на выключенном модуле(ядро запускается или при выключении модуля не выключается, что приводит к "нечистым электромагнитным силам".

 

[aleksandr-zh 4]

это я знаю. И часто вижу проблемы у других в этой же теме... Всё надо использовать соответственно каждой конкреной задаче

[artemkad 53]

Подробнее здесь - http://we.easyelectronics.ru/Shematech/sog...-ustroystv.html

Это аналог предыдущей схемы только когда поменять местами вход и выход(и питание). Обе схемы двунаправленные(в обратном направлении биполярник работает в инверсном режиме). В вашей первой там просто надо в нужный момент выключать TxD контроллера подав с него массу.

 

ЗЫ. И да, при прочих равных особенно для начинающих вариант с двумя(Rx и Tx) полевиками включенными затворами на Vext конечно предпочтительней...

 

это я знаю.

Ну так если знаете, чего даете вредные советы?! Ведь половина(большая) читающих начинающих не долго думая примут 4В уровни как данное. И хорошо если у них не попадется МК с уровнем единицы при 4В(5В) питании выше 2.8В...

[serega98700 0]

Ну к примеру решение от Гаммы:

http://microchip.ua/simcom/?link=/SIM900x/...es%20-%20raznoe

Хотя я предпочитаю работать сразу с контроллером на 3В и не е..ть себе одно место...

Да, сначала я хотел использовать данную схему, но протестировав увидел выбросы напряжения и решил от нее отказаться. Тем более на микросхеме все решается гораздо проще и удобнее.

 

 

На гарантированные. Если в доке написано, что входной уровень единицы минимум 3.15V, а типовой 2.4V, надо рассчитывать на 3.15В, потому как 2.4В рано или поздно вылезет боком. В частности тут попытка работать на 2.8В на выходе появился сильно усиленный шум массы.

Все ясно, спасибо. При питании микросхемы от 4 вольт, входной уровень в 2.8В должен гарантированно распознать логическую единицу.

 

И снова про питание. Нашел 5 танталовых б/у конденсаторов 22мкФ 25В ESR=0,3 Ом. Какие лучше применить: танталовые или электролит Low ESR 2200мкФ 10В ESR=0,03 Ом? Если бы танталы были новые, то без вопросов запаял их.

[artemkad 53]

И снова про питание. Нашел 5 танталовых б/у конденсаторов 22мкФ 25В ESR=0,3 Ом. Какие лучше применить: танталовые или электролит Low ESR 2200мкФ 10В ESR=0,03 Ом? Если бы танталы были новые, то без вопросов запаял их.

Если делаешь с линейником, то на выходе пять танталовых, а на входе электролит побольше, причем не обязательно Low ESR. Ну и конечно не забыть параллельно этому добру керамику на 0.1мкФ и 100пФ.

[serega98700 0]

Может тогда поставить и то и другое. Танталам уже лет 10-15.

[serega98700 0]

Получше порылся в своем загашнике и обнаружил материнские платы из которых выпаял вот такие конденсаторы:

 

 

У полимерного конденсатора емкость 280 мкФ ESR менее 0,01 Ом, похоже исправный. У трех танталовых емкость вместо 330 мкФ около 430-440 мкФ. Измерял тремя разными приборами. Показания примерно одинаковые. Почему тогда реальная емкость отличается на 100-110 мкФ? Хотя 2 конденсатора были системе питания 3В, другой на 5В. ESR у всех 0,01 Ом.

[serega98700 0]

Собрал наконец девайс. Заработал сразу. Выкладываю финальную версию печатной платы (sprint-layout 6.0).

 

 

SIM900D.rar

На счет прошивки. К сожалению 1137B03SIM900D64_ST_ENHANCE найти не смог т. к. модуль приобретал не у официального дилера. Зато откопал 1137B01SIM900D64_ST_ENHANCE и 1137B09SIM900D64_ST_DTMF_JD_MMS. Какую лучше поставить?

[aleksandr-zh 4]

может пригодится?... ;)

для sim900D. Всё, что у меня есть от официальных товарищей из России

 

Ссылка для скачивания файла: 42,5 МБ

http://www.fayloobmennik.net/5572017

 

 

[CADiLO 11]

1137B03SIM900D64_ST_ENHANCE

 

черкните мейл в личку - выложу и дам ссылку

условие одно - не выкладывать в открытый доступ - меняйтесь ссылками в личке