Citizen777 0 30 июня, 2015 Опубликовано 30 июня, 2015 · Жалоба ток через диод рассчитывают, исходя из требуемого dU/dt тут же считают и конденсатор, и резистор, и потери но прибижённо можно взять 0,1 от макс. тока ключа у меня максимальный ток через ключ 9А, т.е. 0.1 от максимального = 0.9А. ёмкость снабберного конденсатора 330пФ, частота работы = 50кГц. Не могу подобрать конденстор 330пФ с необходимым током. Что посоветуете?. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
shf_05 0 30 июня, 2015 Опубликовано 30 июня, 2015 · Жалоба Что посоветуете?. а какое у вас меню? вима, епкос или К78-2? http://www.wima.de/EN/tpl_products_snubber_overview.htm не занимайтесь "прикидками" - вот нормальная методика http://www.cde.com/resources/catalogs/igbtAPPguide.pdf ваша емкость скорее всего слюдяной конденсатор. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Citizen777 0 30 июня, 2015 Опубликовано 30 июня, 2015 · Жалоба а какое у вас меню? вима, епкос или К78-2? http://www.wima.de/EN/tpl_products_snubber_overview.htm не занимайтесь "прикидками" - вот нормальная методика http://www.cde.com/resources/catalogs/igbtAPPguide.pdf ваша емкость скорее всего слюдяной конденсатор. следуя методике http://www.cde.com/resources/catalogs/igbtAPPguide.pdf, я выбрал слюдяной конденсатор от CDE (http://www.cde.com/resources/catalogs/CD-CDV16.pdf) со следующими параметрами C = 330pF Vdc = 500V Vac = 300V Ipk = 66A Irms (при 85 градусах по Цельсию) при частоте 100 кГц = 0.062А. У меня частота ещё ниже, 50 кГц, т.е. ток Irms будет ещё ниже. Вопрос по току так и остался открытым. Т.е. не понятно - подойдёт ли мне этот конденсатор или нет? Если следовать соотношению (ток конденсатора = 0.1 макс. тока ключа), которое мне советовали в теме, то не подходит, т.к. у меня макс. ток через ключ равен 9 А, т.е. ток конденсатора, он же Irms должен быть 0,9А. Подскажите, пожалуйста, правильно я рассуждаю или нет? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
shf_05 0 30 июня, 2015 Опубликовано 30 июня, 2015 · Жалоба Подскажите, пожалуйста, правильно я рассуждаю или нет? как через такой конденсатор подать 0,9А rms? например синусоидальное напряжение 100В, 50кГц, 330 пФ даст ток 0,01А. импульсный ток при сопротивлении снаббера 50 Ом (сколько у вас ???) будет 100/50 = 2 А, с другой стороны импульсный ток не будет больше тока нагрузки. ПС - у вас RCD снаббер там немного другая методика расчета но порядок цифр выходит тот же. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Muxa 0 30 июня, 2015 Опубликовано 30 июня, 2015 · Жалоба вот и мне непонятно как цеплять драйвер. вероятно только вариант - отдельный изолированный драйвер на каждый транзистор или трансформаторные схемы. ну вот как на картинке снизу подключить не пойму. если драйвер не изолированный и с общим выводом GND/COM, как IR2111, то решение видимо надо брать из dt97-3. примерно так, как на картинке. но резистор должен быть много меньше резистора в цепи затвора верхнего транзистора (который не показан на рис.). ведь они будут включены последовательно. пс- при включении последовательно с нагрузкой проблем нет никаких - картинки тока и напряжения красивые, только кольцо разогревается прилично. надо думать... не так совсем плохо. и да, если использовать такие драйверы, как во вложении, то без проблем. но они жутко дорогие Infineon_1ED020I12FTA_DS_v02_01_en.pdf у меня максимальный ток через ключ 9А, т.е. 0.1 от максимального = 0.9А. ёмкость снабберного конденсатора 330пФ, частота работы = 50кГц. Не могу подобрать конденстор 330пФ с необходимым током. Что посоветуете?. без проигрышный вариант полипропилен (MKP), но они габаритные. самому стало интересно. измерил ESR двух керамических конденсаторов от Murata. под рукой оказалось 2 маленьких диска: DEBB33F221 (220пФ 3.15кВ) - 140 Ом на 100КГц DEBB33A471 (470пФ 1кВ) - 80 Ом на 100КГц. наверное можно применить и такой, только в сопротивлении снаббера учесть внутреннее сопротивление конденсатора. чисто для сравнения Epcos MKP серия 652 10нФ на 1кВ постоянного тока ESR около 0.08..0.1 Ома. к сожалению меньшей ёмкости MKP у меня не нашлось Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Ydaloj 0 30 июня, 2015 Опубликовано 30 июня, 2015 · Жалоба да, я видимо ляпнул не то. не задавался вопросом расчёта тока через конденсатор. Как-то больше по напряжению выбираю. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Citizen777 0 30 июня, 2015 Опубликовано 30 июня, 2015 · Жалоба как через такой конденсатор подать 0,9А rms? например синусоидальное напряжение 100В, 50кГц, 330 пФ даст ток 0,01А. импульсный ток при сопротивлении снаббера 50 Ом (сколько у вас ???) будет 100/50 = 2 А, с другой стороны импульсный ток не будет больше тока нагрузки. ПС - у вас RCD снаббер там немного другая методика расчета но порядок цифр выходит тот же. величина сопротивления снаббера равна 6,2 кОм Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
shf_05 0 1 июля, 2015 Опубликовано 1 июля, 2015 · Жалоба величина сопротивления снаббера равна 6,2 кОм ну с таким сопротивление только ток заряда емкости снаббера (для RCD) может быть большой - как ток нагрузки. DESIGN_OF_SNUBBERS_FOR_POWER_CIRCUITS.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Орлёнок 0 1 июля, 2015 Опубликовано 1 июля, 2015 · Жалоба А эти насыщаемые дроссели нужно обязательно подключать к истоку мосфетов как на рисунках? Или всё же можно к стоку, разве должна быть разница? Так ведь и управлять мосфетами проще а можно ссылку, я бы почитал. если не трудно. что то я с поиском не справляюсь... Возможно имеется в виду эта тема http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=119007 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Muxa 0 3 июля, 2015 Опубликовано 3 июля, 2015 · Жалоба А эти насыщаемые дроссели нужно обязательно подключать к истоку мосфетов как на рисунках? Или всё же можно к стоку, разве должна быть разница? Так ведь и управлять мосфетами проще Возможно имеется в виду эта тема http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=119007 Во первых спасибо за ссылку,- почитаю. Как я понимаю вопрос (возможно и не правильно). Паразитная индуктивность в истоке/эмиттере неприятна именно с точки зрения управления транзистором. важен именно контур исток - земля драйвера - выход драйвера - затвор. в момент закрывания транзистора энергия паразитной индуктивности препятствует процессу закрывания, поднимая потенциал земли драйвера. особенно неприятны здесь колебания. они могут повторно и несколько раз вновь включать и выключать транзистор через землю драйвера. этот процесс может затянутся во времени и превысить дид тайм в полумостовой схеме. в результате возникнут сквозные токи, которые, как минимум увеличат потери. включение в этот контур последовательно с паразитной индуктивностью дросселя с потерями, как считают изготовители, должно сорвать колебания в цепи затвор - исток/эмиттер. сделать переходной процесс плавным и апериодичным. если вы включите этот дроссель в цепь стока или коллектора, то вы просто сгладите нарастание или спад полезного коммутируемого тока, но не повлияете на контур управления. кроме дополнительных потерь ничего полезного не получиться. хотя я довольно скептически отношусь к такому решению. нужна гарантия, что во всём диапазоне рабочих токов дроссель будет входит в глубокое насыщение. иначе он только ухудшит управление транзистором. возможно написал чушь, пусть люди с большим опытом меня поправят. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
