Перейти к содержанию
    

Выходная мощность с биполярного транзистора, ВЧ

Суть вопроса в том сколько можно получить выходной мощности с транзистора например при условии что:

- максимальная мощность рассеивания транзистора 1 Вт,

- граничная частота 300 МГц,

- частота усиливаемого сигнала 150 МГц,

- работает в классе В или С.

 

Если кто делал из опыта сколько можно получить?

Просто спаял усилитель всё настроил согласовал, и в итоге каскад потребляет 5 Вт (12В*400мА), а на выходе имею 1..1,5 Вт. Нагрузка 50 Ом греется на 1 ватт примерно а транзистор горячий, вата 4 видимо на нём рассеивается.

Вот и думаю есть ли смысл пытаться получить больше. Понимаю что можно выжать больше, но есть ли смысл...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

КПД транзисторного усилительного каскада в классе C можно довести до 50-60% (если очень постараться). Сильно больше 1 Вт на выходе не получите, а вот потребляемую мощность снизить есть потенциал. Лучше сначала поиграться с моделью в ADS. Увеличение входной мощности с одновременным уменьшением смещения по базе в принципе может дать рост КПД, но надо считать. Плюс из-за этого потребуется больше усилительных каскадов, что плохо скажется на КПД многокаскадного усилителя в целом.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

- граничная частота 300 МГц,

- частота усиливаемого сигнала 150 МГц,

Fгр всего в 2 раза выше сигнала, какое усиление планируете получить в дБ?

скорее всего КПД силно упал из-за неэффективности транзистора как транзистора.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Fгр всего в 2 раза выше сигнала, какое усиление планируете получить в дБ?

Сколько получится, не меньше 3 дБ. Но я думаю там побольше должно быть...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Сколько получится, не меньше 3 дБ. Но я думаю там побольше должно быть...

ток базы при этом будет немогим больше тока эмиттера, так что кпд будет ниже положенного для таких схем

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

ток базы при этом будет немогим больше тока эмиттера, так что кпд будет ниже положенного для таких схем

А ток базы, при нормальном режиме работы транзистора, может быть больше тока эмиттера?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

ток базы Эмиттера при этом будет немогим больше тока эмиттера базы, так что кпд будет ниже положенного для таких схем

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...