Перейти к содержанию
    

Использование слабых транзисторов в логике SC

Всем привет!

Вопрос по разработке SC.

Есть схема нужного мне триггера (С-элемента) с использованием слабых транзисторов. К примеру, пока входные pmos закрыты, потенциал выхода утягивает вниз слабый nmos (скажем, с тройной длинной канала и минимальной ширины). Если хоть один pmos открывается, потенциал уходит вверх. Недостатки этой схемы понятны - сквозной ток, и заваленный фронт. Вопрос в другом. Насколько допустима такая схема на 65нм, и, скажем, 28нм?

 

Триггер будет использоваться в качестве базового, т.е. фактически как standard cell -повсеместно в дизайне.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Схема такая допустима.

 

PS. Но вот только есть ли смысл применять это при доступности КМОП схемотехники...

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Схема такая допустима.

 

PS. Но вот только есть ли смысл применять это при доступности КМОП схемотехники...

Спасибо!

 

Не понял только про КМОП схематехнику. Это ведь тоже КМОП?

Я пробовал сравнивать потребление такой схемы, и аналогичной по функционалу обычной логики. Несмотря на сквозной ток, эта потребляет меньше в разы, и меньше по площади тоже в разы. Проблема только в скорости, поскольку переключение в одну стороны быстрое, а в другую контролируется током слабого транзистора, т.е. очень тормозное.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Спасибо!

 

Не понял только про КМОП схематехнику. Это ведь тоже КМОП?

Я пробовал сравнивать потребление такой схемы, и аналогичной по функционалу обычной логики. Несмотря на сквозной ток, эта потребляет меньше в разы, и меньше по площади тоже в разы. Проблема только в скорости, поскольку переключение в одну стороны быстрое, а в другую контролируется током слабого транзистора, т.е. очень тормозное.

Главный принцип КМОП схемотехники - отсутствие сквозного тока если состояние схемы не меняется.

Вы используете КМОП технологию, но намеренно отказываетесь от КМОП схемотехники. Но если видите в этом выигрыш, то "нет препятствий..." :-)

Я бы, если быстродействие позволяет, использовал бы КМОП с уменьшенным напряжением питания...

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Главный принцип КМОП схемотехники - отсутствие сквозного тока если состояние схемы не меняется.

Вы используете КМОП технологию, но намеренно отказываетесь от КМОП схемотехники. Но если видите в этом выигрыш, то "нет препятствий..." :-)

Я бы, если быстродействие позволяет, использовал бы КМОП с уменьшенным напряжением питания...

Спасибо, понял.

На самом деле я не собираюсь использовать диодное включение транзисторов - слабые транзисторы тоже будут управляться. А значит, сквозной ток будет протекать не при всех комбинациях входов.

Что касается уменьшения напряжения питания, то - идея хорошая, но пока технически сложновата. А вы используете Multivoltage в своих проектах?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

... Что касается уменьшения напряжения питания, то - идея хорошая, но пока технически сложновата. А вы используете Multivoltage в своих проектах?
Занимаюсь преимущественно аналоговыми и mixed-signal дизайнами. Если для площади и потребления выгодно понижать питание, то делаем это. А в чем сложность? Сделать LDO можно практически на любой КМОП технологии.

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А в чем сложность? Сделать LDO можно практически на любой КМОП технологии.

Сделать LDO можно, но для проектов на SC с добавлением доменов питания весь маршрут сильно усложняется. Перехарактеризация библиотек, CPF/UPF и т.д. Пока не хочется с этим связываться.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

В общем, проектирование библиотечных элементов - это выбор оптимального соотношения между потреблением/быстродействием/(частично площадью).

Жертвуя быстродействием, выигрываем в потреблении.

Не совсем понятно зачем так между различными переключениями перекашивать фронты? Наоборот, при проектировании библ.элементов их стараются максимально выровнять между собой.

А так - делайте, что душе угодно. Но на моей практике, элементы с увеличенной длиной канала в логических элементах иногда проигрывали не только по быстродействию, но и по потреблению из-за возросших паразитов в топологии.

В схеме было все очень хорошо, после экстракции топологии быстродействие иногда падало в 2-3 раза.

И еще, такое неоптимальное соотношение между размерами n и p транзисторов ведет к сильному смещению точки переключения элементов, что значительно снижает помехозащищенность элементов. Для низких напряжений питания - особо актуально.

 

И в дополнение,

SC - это обозначение в схемотехнике закреплено за switched-capacitor circuits.

Для стандартных библиотечных элементов используют все-таки STD cells.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Вопрос в другом. Насколько допустима такая схема на 65нм, и, скажем, 28нм?

А в чем принципиальная сложность провести моделирование этой схемы (аналоговое, ну и характеризацию ячейки целиком) на этих технологиях? Хотите просто отмасштабироваться?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

KMC

Спасибо! Буду думать.

 

SM

У меня нет 28нм. Но слухи ходят всякие разные - и об ужесточении рулов, и о фиксированных затворах, которые уже нельзя изогнуть буквой зю. Да и мало ли чего -вот и спрашиваю, вдруг, к примеру, на 28нм нельзя слабые транзисторы делать.

Т.е. Вы попали в точку - не хочется делать элемент, который потом не удастся отмасштабировать. А так, моделирование, топология и характеризация на 65нм - все делаю, получается, работает.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

... Да и мало ли чего -вот и спрашиваю, вдруг, к примеру, на 28нм нельзя слабые транзисторы делать...
М.б. нельзя только потому, что не будет моделей для моделирования в каком-то диапазоне размеров. В крайнем случае никто не может запретить соединить последовательно нужное количество транзисторов с "разрешенным" размером.

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

и о фиксированных затворах, которые уже нельзя изогнуть буквой зю.

Об этом я тоже слышал, но думается так, что если ОЧЕНЬ хочется (и есть соотв. средства и возможность экспериментировать), то можно, но осторожно. А если надо оставаться в рамках масштабирования, чтобы иметь хотя бы некую уверенность в первой итерации (после масштабирования), и нету возможности моделировать на уровне TCAD, то соединяйте последовательно транзисторы с минимальным W/L из тех и той геометрии, что гарантированы технологами. Да, площади много. Но потреблять будут мало. Но тут Вам, действительно, не с 0.5 на 0.35 переход, тут все куда жестче.

 

PS

Это мое личное мнение, а так, вообще, тут вопрос еще стоит в оценке риска влипнуть в какие-то непредвиденные обстоятельства, если не быть докой в физических процессах, мешающих классическому масштабированию на тонких технологиях. Поэтому, так как я не сильно посвящен в эти самые недра физики - мой совет был именно такой.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

SM

У меня нет 28нм. Но слухи ходят всякие разные - и об ужесточении рулов, и о фиксированных затворах, которые уже нельзя изогнуть буквой зю. Да и мало ли чего -вот и спрашиваю, вдруг, к примеру, на 28нм нельзя слабые транзисторы делать.

Т.е. Вы попали в точку - не хочется делать элемент, который потом не удастся отмасштабировать. А так, моделирование, топология и характеризация на 65нм - все делаю, получается, работает.

 

Начиная с 40 нм, действительно, есть особенности по требованиям по ориентации поликремния.

В 28 нм, например, он в должен быть расположен регулярно и в одном направлении в чипе.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Начиная с 40 нм, действительно, есть особенности по требованиям по ориентации поликремния.

В 28 нм, например, он в должен быть расположен регулярно и в одном направлении в чипе.

А можно уточнить по 28нм:

1. в чем заключается регулярность: шаг затворов везде одинаковый по всей площади кристалла?

2. что с длинной затворов - их можно делать разной длинны, или они тоже все одинаковые? А что с шириной, можно менять?

3. что с контактами, их можно в любую точку затвора или поликремния помещать (с учетом DRC), или тоже есть сетка/ другие ограничения?

 

И что то я еще слышал, что на 28нм в основном FinFet используется (с которым я пока дело не имел, и чем чреват переход на это, даже не представляю) - так ли это?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А можно уточнить по 28нм:

1. в чем заключается регулярность: шаг затворов везде одинаковый по всей площади кристалла?

2. что с длинной затворов - их можно делать разной длинны, или они тоже все одинаковые? А что с шириной, можно менять?

3. что с контактами, их можно в любую точку затвора или поликремния помещать (с учетом DRC), или тоже есть сетка/ другие ограничения?

 

И что то я еще слышал, что на 28нм в основном FinFet используется (с которым я пока дело не имел, и чем чреват переход на это, даже не представляю) - так ли это?

FinFET = FF - это 16nm (если говорить о TSMC)

28nm - планарные затворы, поликремний (LP) или HKMG (HPC/HPM/HPL...)

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...