[Mirabella 0]

Мирабела Сергеевна, ведь не обязательно такую слоенку делать! Если у Вас диэлектрик будет снаружи (с точки зрения конструкции это должно быть все равно), то получаем диэлектрик-медь-воздух-медь-диэлектрик.

 

берём за 0 координат середину зазора, тогда вверх по оси получается так: половина воздушного зазора -медь тольщиной 0.035...0.05 мм-диэлектрик (ФАФ-4Д, толщиной сколько можно, но не менее 1 мм из соображений мех.прочности) - воздушный зазор порядка 20мм -медь (экран). Вниз по оси абсолютно симметрично.

 

В этом случае, особенно если толщина диэлектрика будет меньше толщины меди, то его, практически, можно не учитывать. Погрешность будет проценты и легко компенсируется изменением зазора по воздуху при отработке. Если же наоборот, то большое значение будет иметь отношение толщин диэлектрика и воздуха, но и здесь поправка будет лишь немногим больше, чем в первом случае. Но для второго случая я сразу не готов ответить, посмотрю литературу.

 

Какая все же у Вас толщина диэлектрика и меди?

Понимаю, что пора нарисовать, но пока не знаю в чём.

 

Итак: представьте обычный направленный ответвитель с лицевой связью: есть две линии, своей плоскостью обращённые друг к другу. Вверху и внизу этих линий располагаются экраны. обычно обе линии располагаются на РАЗНЫХ сторонах диэлектрической платы и ширина зазора определяется диэлектрической проницаемостью платы.

теперь попробуем сделать так, чтобы диэлектрическая проницаемость материала зазора была минимальной, например, соответствующей диэлектрической проницаемости воздуха.

Вопрос: на чём в этом случае будут держаться линии, если они длинные (примерно 300 мм), тонкие (0.05 мм) и еще хитро закручены в некую 2D баранку?

 

Решение: каждую из линий изготавливаем на отдельной плате и располагаем их относительно друг друга так, чтобы получился требуемый ВОЗДУШНЫЙ зазор.

при этом в пространстве между экранами у нас не только линии, а ещё два слоя диэлектрика толщиной от 1 до 6 мм.

 

Как учесть влияние этого диэлектрика в конечном случае на Zoo и Zoe?

 

Из чего следует, что разница с диэлектриком и без него будет минимальная?

 

[l1l1l1 0]

берём за 0 координат середину зазора, тогда вверх по оси получается так: половина воздушного зазора -медь тольщиной 0.035...0.05 мм-диэлектрик (ФАФ-4Д, толщиной сколько можно, но не менее 1 мм из соображений мех.прочности) - воздушный зазор порядка 20мм -медь (экран). Вниз по оси абсолютно симметрично.

 

Понимаю, что пора нарисовать, но пока не знаю в чём.

...

Как учесть влияние этого диэлектрика в конечном случае на Zoo и Zoe?

теперь, когда вы достаточно подробно описали вашу структуру, надобности в рисунке нет.

а нарисовать можно было хотя бы в Paint из Windows.

 

да, такая структура не считается ни в Txline(MWO), ни в LineGauge(Zeland), ни в Tline(Genesys), ни в TRL(Serenade).

(но и связанные линии с лицевой связью на разных сторонах диэлектричесой платы там тоже не считаются.

а связанные линии с боковой связью на подвешенной подложке есть только в TRL(Serenade), но у меня она не устанавливается.)

вашу структуру, как и многие другие, можно посчитать в Polar Si8000 v13 (про другие версии не знаю).

для однородного воздушного заполнения и для фторопластовых плат толщиной 1мм у меня получились следующие результаты:

с помощью этой программы, изменяя ширину линий и расстояние до экранов, как мне кажется, можно довольно легко получить нужные значения Zoo и Zoe.

Из чего следует, что разница с диэлектриком и без него будет минимальная?

влияние значительное, и чем больше толщина диэлектрика, тем больше влияние.

тем больше будет и разница фазовых скоростей четной и нечетной мод, причем, даже если удастся добиться точного равенства Zoo и Zoe соответствующим сопротивлениям при отсутствии диэлектрика, эта разница скоростей никуда не денется.

эта разница фазовых скоростей приводит в НО к уменьшению развязки.

[k0l0bun 0]

Подскажите пожалуйста, как определить эквивалнетную диэлектрическую проницаемость пространства, состоящего из слоя воздуха и слоя диэлектрика? Или по другому: при каких соотношениях между толщинами слоя воздуха и слоя диэлектрика можно принебречь диэлектрической проницаемостью диэлектрика и принимать диэлектрическую проницаемость равной единице?

 

Необходимо "подвесить в воздухе" плоскую конструкцию из тонкого металла, при этом обеспечив механическую прочность . Поэтому предполагается изготовить рисунок по обычной технологии печатных плат и крепить плату, но пока не понятно как учесть диэлектрическую проницаемость диэлектрика.

Ваша задача разобрана в книжке на с. 221-224.

 

Также там сможете найти ссылки на исходные статьи по данной тематике.

[l1l1l1 0]

Ваша задача разобрана в книжке на с. 221-224.

 

Также там сможете найти ссылки на исходные статьи по данной тематике.

дествительно, хорошая книга, спасибо.

в ней есть данные для связанных линий на подвешенной подложке

и для линий с лицевой связью на единственной подложке тоже есть.

точность и границы применимости формул по-видимому можно найти в исходных статьях.

признаться, я таких данных не встречал.

 

однако в книге нет той структуры, которая используется автором темы.

в структуре автора темы пять диэлектрических слоев (две подложки и три воздушных слоя),

а не три диэлектрических слоя при одной подложке, как в книге.

[Mirabella 0]

да, такая структура не считается ни в Txline(MWO), ни в LineGauge(Zeland), ни в Tline(Genesys), ни в TRL(Serenade).

(но и связанные линии с лицевой связью на разных сторонах диэлектричесой платы там тоже не считаются.

а связанные линии с боковой связью на подвешенной подложке есть только в TRL(Serenade), но у меня она не устанавливается.)

 

связанные линии с лицевой связью везде считаются , но только в том случае, если между платой и экранами находится не воздух, а такой-же диэлектрик, в TRL это BCL и OCL.

 

TRL из Serenade полностью перешел в Ansoft Designer, только теперь до него добраться гораздо сложнее, надо в System Design зайти в меню System , там найти TRL , определиться с типом линии, после этого определиться с подложкой и только после этого можно зайти в TRL ...

 

Спасибо за помощь , буду разбираться дальше...

[l1l1l1 0]

ответвление дискуссии, посвященное зависимости диэлектрической проницаемости от частоты, вынес в отдельную тему.