[files 0]

Ячейка динамической памяти построены на основе конденсатора и полевого транзистора.

 

Очень нужно узнать, хотя бы приблизительно:

- какова емкость конденсатора ячейки современной оперативной памяти (например, DDR3 SDRAM)?

- каково сопротивление сток-исток полевого транзистора такой ячейки?

 

Нигде не могу найти эту информацию.

Может, кто может дать ссылку, где посмотреть

 

[nicom 0]

...Очень нужно узнать, хотя бы приблизительно:

- какова емкость конденсатора ячейки современной оперативной памяти (например, DDR3 SDRAM)?

...

 

Частично полезная информация:

 

...При DRAM технологии ~300нм ёмкость была порядка 300fF...

 

При DDR технолгии ~30нм ссылка показала 25fF.

 

http://www.google.ru/url?sa=t&rct=j&am...bGE&cad=rjt

 

(про параметры страница 11)

Не думаю, что емкость можно уменьшать слишком сильно, т.к. токи утечек по прежнему будут определять минимальный период регенерации...

Но мир не стоит на месте... :-))

 

Примерно так...

[SM 0]

На 90нм, емкость 30 фФ, ток утечки примерно 1 фА (это точные данные, но не могу сказать, сами понимаете почему, от какой именно технологии какой именно фабрики).

[DASM 0]

А кроме TMSC еще есть? Или чего там, Интель?

[SM 0]

SMIC, UMC, сасунг, микрон, huynix, nanya, toshiba, x-fab, и т.д. толпа их