million68 0 1 февраля, 2014 Опубликовано 1 февраля, 2014 · Жалоба В силу некоторых причин семитранзисторный IGBT-модуль (1200 В, 50 А) будет использоваться для коммутации нагрузки (4 канала) с помощью нижних транзисторов. Каждый канал 10 А, частота менее 1 Гц, нагрузка - печи. Диоды верхних плечей будут задействованы. Транзисторы верхних плечей - не используются. Вопрос: Достаточно ли закоротить затвор-эмиттер верхних транзисторов или стоит подать отрицательное смещение? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
sergey.ka 1 1 февраля, 2014 Опубликовано 1 февраля, 2014 · Жалоба Если в описании производителя на данный модуль нет пояснений по этому вопросу, тогда будет достаточно соединить затвор с эмиттером. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
million68 0 1 февраля, 2014 Опубликовано 1 февраля, 2014 · Жалоба IGBT-модуль FP50R12KE3 Каких-то явных пояснений не заметил. Вряд ли производитель предусматривал такое "варварское" применение. График на стр.№6 обещает, что при Vge=5В, ток Ic=0. Но мало ли... FP50R12KE3.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
sergey.ka 1 1 февраля, 2014 Опубликовано 1 февраля, 2014 · Жалоба Соединяйте затвор и эмиттер вместе. Транзистор будет закрыт. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 1 февраля, 2014 Опубликовано 1 февраля, 2014 · Жалоба Нет - при резком отпирании нижнего или стремительном восстановлении запирающих свойств верхнего диода через ёмкость коллектор-затвор потечет ток, приоткрывающий запертый ключ. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
sergey.ka 1 2 февраля, 2014 Опубликовано 2 февраля, 2014 · Жалоба И как тогда работает импульсная техника...? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
