[oleg_uzh 0]

Здравствуйте форумчане!

Может кто подскажет, есть ли микросхема для осуществления импульсной модуляции (длительность импульса порядка 10...1000 нс) по затвору GaN транзисторов, ну и где ее взять.

Я так понимаю для осуществления модуляции необходимо подать напряжение на затвор GaN транзистора порядка минус 40... минус 30 В.

Всем заранее спасибо за дельные советы.

 

[Boriskae 1]

Разве можно подавать такое напряжение на затвор? Там после -8 В обычно появляется ток утечки. Почему не попробовать модулировать по стоку?

[oleg_uzh 0]

Если, к примеру на транзистор TGF2023-2-01 указано максимальное напряжение затвор-исток минус 50, то почему бы и нет? Тем более в описании не указано напряжение отсечки. Если бы была возможность пощупать данный транзистор и определить напряжение отсечки, при поданном СВЧ сигнале на входе, вопросов бы не возникало... Модулятор по затвору можно сделать маломощным, так как токи по затвору гораздо меньше, чем по стоку. А при модулировании больших токов возникают различные проблемы...

[nikolas 0]

Если не секрет, где брали такие транзисторы?

Есть ли ограничения по количеству и какая стоимость?

 

[oleg_uzh 0]

Запроси здесь http://www.efind.ru/icsearch/?search=TGF2023-2-01 или тут http://www.skard.ru

Из этих поставщиков тебе ответят, кто сможет достать, а кто нет... Я уже этим не занимаюсь.

[Boriskae 1]

А получилось создать модулятор по затвору? Если да, то хотел бы Вас попросить подробнее рассказать про модулятор.