Перейти к содержанию
    

Быстрые диоды с малой утечкой

Там всё ограничивается временем рассасывания неосновных носителей, но его в даташитах обычно приводят только для переключательных транзисторов. Они есть со временами 6-15нс, 2sc4176 например, только я что-то вживую их найти не могу, чтобы купить 4-5штук и впаять в макет.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

арсенид галлия наверное можно поискать.

Но какие токи утечки ожидать - я пока не знаю

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А Вы не пробовали переход затвор-канал какого-нибудь JFET-а? Не знаю, как с быстродействием, а с утечкой они вне конкуренции. Самые "низкоутечечные" диоды - это и есть ПТ, если верить классикам (Х.,Х., "Искусство схемотехники"). В некоторых апнотах, например, в схемах выборки-хранения, прямо так и нарисовано: сток, соединённый с истоком, выполняет роль катода, затвор - анода.

Изменено пользователем Tuvalu

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Да, и jfetы пробовал. j310 и 2sk212. Первый выключается за 200 нс примерно, второй за 25, но очень сильно течет уже при нескольких вольтах.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Может подойдет BAS-16, у него при Vr = 25V ток утечки Ir 30nA, а trr = 4ns.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Может подойдет BAS-16, у него при Vr = 25V ток утечки Ir 30nA, а trr = 4ns.

Дык мне нужно почти на 3 порядка меньше, 50 pA (там русская буква п была написана, а не английская n :laughing:

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Что-то мне подсказывает, что эти два параметра находятся в фундаментальном антагонизме.

При прочих равных ток утечки пропорционален площади перехода, т.е. примерно току, на который диод рассчитан.

Интересно, какая утечка защитных диодов на входах полевых ОУ?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Совершенно верно. Вот что мне ответил Сергей Агеев на вегалабе. "Дело в том, что время выключения определяется временем жизни неосновных носителей, а ток утечки на единицу площади - в первом приближении обратно пропорционален времени жизни и толщине обедненной области. То есть, Ileak ~ (Im*(Um^0.7)/tr)."

 

Тогда тем более непонятно, как умудряется rohm делать диоды с таким сочетанием параметров, и почему никто не делает аналогов?

Секретный японский техпроцесс?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А ещё можно охлаждать — например, оксидом углерода, но лучше пересмотреть задачу на предмет другого её решения.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

А, что 1ss380 дорогие что ли? или, что то не устраивает в их характеристиках?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
К сожалению, ваш контент содержит запрещённые слова. Пожалуйста, отредактируйте контент, чтобы удалить выделенные ниже слова.
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...