Поиск

Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволяют преодолевать ограничения, свойственные Si-ключам. В статье рассмотрены особенности силовых ключей CoolSiC, CoolGaN, CoolMOS производства компании Infineon на примере построения DC/DC-ступеней однофазных источников питания с высоким КПД. Читать статью >>

Управляющие контроллеры, драйверы и МОП-транзисторы являются важнейшими элементами для инверторов и импульсных источников питания. Современные системы питания нуждаются в компактных и надежных импульсных преобразователях, способных работать с высокими напряжениями и высокой частотой коммутаций, а также обеспечивающих минимальный уровень потерь при минимальных габаритах. Очевидно, что выбор МОП-транзисторов сильно влияет на успешное удовлетворение этих потребностей. Тем не менее, достижение максимальной эффективности также зависит и от правильного выбора других компонентов схемы. Одной из наиболее важных задач, стоящих перед разработчиком, является поиск оптимальных драйверов для МОП-транзисторов с учетом особенностей конкретного приложения. Поскольку частота коммутаций и токи управления продолжают постоянно расти, интегральные драйверы становятся все более важными компонентами современных импульсных преобразователей. Грамотный выбор драйверов с учетом особенностей современных SJ МОП-транзисторов, например, представителей серии CoolMOS C7 600 В, позволяет разработчикам увеличивать эффективность, уменьшать габариты, повышать надежность и снижать общую стоимость импульсных преобразователей. Проектирование современных импульсных преобразователей, таких как импульсные источники питания (SMPS), DC/DC-преобразователи, приводы промышленных двигателей и инверторы солнечных батарей, необходимо выполнять с учетом целого ряда факторов. Существуют коммерческие, законодательные и экологические требования, направленные на повышение эффективности, снижение потерь, уменьшение эксплуатационных расходов, минимизацию потребления энергии и сокращение вредных выбросов парниковых газов. Кроме того, пользователи хотят видеть постоянное повышение эффективности без какого-либо увеличения габаритов и необходимости принятия дополнительных мер для защиты как элементов схемы, так и самих пользователей. Рассмотрим действия для достижения показателей эффективности

EVAL1EDFG1HBGANTOBO1 – оценочная плата полумоста на основе 600 В нитрид-галлиевых GaN транзисторов семейства CoolGaN™ обеспечивает простую и быструю настройку и тестирование их возможностей. Общая топология может быть настроена для работы с повышением или понижением напряжения, тестирования в импульсном или непрерывном режиме работы на полной мощности. Контрольные точки обеспечивают легкий доступ для наблюдения сигналов с помощью осциллографа с целью оценки эффективности транзисторов CoolGaN™ и драйверов затвора. Плата избавляет пользователя от необходимости разработки собственного драйвера затвора и схемы питания для оценки нитрид-галлиевых транзисторов. Плата полумоста отличается наличием одного входа ШИМ, предназначенного для подключения выхода 50-омного импульсного генератора. Плата питается от одного источника питания 5 В, который питает все, включая источники питания изолированного драйвера затвора. Мертвое время между верхним и нижним плечом установлено на 100 нс и может регулироваться с помощью потенциометра. Внешняя индуктивность может быть подключена с использованием прилагаемого разъема. Выходное напряжение и напряжение шины могут достигать 450 В, что ограничено номиналом конденсатора. Этот полумост может коммутировать непрерывные (continuous) токи 12А и пиковые токи 35А, работать с жестким или мягким переключением. Рабочая частота может достигать нескольких МГц в зависимости от рассеивания транзистора (ограничено примерно 15 Вт на девайс с соответствующим радиатором и потоком воздуха). Преимущества: Простая настройка и использование Возможно несколько конфигураций Оценка высокочастотных возможности GaN транзисторов Оценка формы сигнала с низким уровнем звона, перерегулированием, EMI Позволяет легко оценить возможности на мультикиловаттных уровнях мощности Посмотреть технические характеристики, узнать наличие

EVAL2500WPFCGANATOBO1 – оценочная плата 2500 Вт полномостового CCM тотемно-полюсного (totem pole) корректора коэффициента мощности (PFC), в котором используются нитрид-галлиевые CoolGaNTM 600 В e-mode HEMT транзисторы компании Infineon. Плата демонстрирует высокую эффективность каскада PFC. В изделии используются преимущества технологии Infineon CoolGaNTM для повышения эффективности системы выше 99% (benchmark efficiency of 99.2 percen) для таких критически важных приложений, как блоки питания серверов или выпрямители телекоммуникационного оборудования. Для достижения этого требуется два дискретных 70 мОм CoolGaNTM переключателя в сочетании с двумя дискретными 33 мОм 650 В CoolMOSTM C7 Gold. Управление осуществляется в стандартном режиме непрерывной проводимости CCM с использованием микросхемы контроллера ICE3. Частота ШИМ установлена на 65 кГц. Для изготовления CoolGaNTM e-mode HEMT транзисторов используется полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, что определяет низкие динамические потери при переключениях. В таких транзисторах полностью отсутствует какое-либо обратное восстановление заряда. Диапазон входного напряжения платы находится в пределах от 90 В до 265 В переменного тока, в то время как выходное напряжение составляет 390 В постоянного тока. Все силовые компоненты изделия – это компоненты для поверхностного монтажа (SMD), что позволяет сделать процесс сборки более быстрым и недорогим. Целевые приложения Импульсные источники питания (SMPS) Источники питания серверов (server PSU) Выпрямители телекоммуникационных устройств (telecom rectifiers) Посмотреть характеристики, узнать наличие