Поиск
Показаны результаты для тегов 'infineon'.
-
Разработанная компанией Infineon технология изготовления полевых транзисторов с суперпереходом позволила создать семейство MOSFET CoolMOS S7, которое, в свою очередь, привело к появлению на рынке малогабаритных, дешевых и надежных твердотельных реле постоянного и переменного тока. Несмотря на то, что электромеханические реле разработаны более ста лет назад, они все еще остаются одними из самых распространенных коммутационных приборов и активно используются в наши дни для управления нагрузками как постоянного, так и переменного тока. Ключевыми преимуществами электромеханических реле являются простота и повышенная нагрузочная способность, однако низкая надежность и ограниченный срок службы заставляют многих производителей электронной техники искать альтернативные решения, не содержащие механических контактов. Читать статью >>
-
Компания Infineon расширила линейку уже успевших завоевать популярность транзисторов OptiMOS, дополнив ее новыми приборами в корпусах TOLG и TOLT. Транзисторы OptiMOS относятся к полевым транзисторам с суперпереходом (SJ MOSFET) и имеют лучшее в своем классе сочетание повышенной установочной мощности, малого уровня потерь и низкой стоимости, позволяющее использовать их в самых разнообразных приложениях. Cпециализированные корпуса нового поколения TOLG (PG-HSOG-8) и TOLT (PG-HDSOP-16) относятся к семейству безвыводных корпусов TOLх, предназначенных для поверхностного монтажа. Их ключевой особенностью является отсутствие традиционных для приборов подобного класса проволочных или штыревых выводов. Подробнее >>
-
В последние годы в области импульсного преобразования сложился определенный баланс между реальным значением КПД, которого можно достичь при использовании существующих технологий, и ценой, которую современные потребители готовы платить за столь высокую эффективность. В статье рассматриваются характеристики одной из основных сфер применения широкозонных транзисторов – сетевых источников питания, состоящих из корректора коэффициента мощности (ККМ) и изолированного преобразователя постоянного напряжения. А также обосновывается, всегда ли новые полупроводниковые материалы – карбид кремния и арсенид галлия – позволяют создавать преобразователи с лучшими характеристиками, чем при использовании традиционного кремния. Читать статью >>
-
Какую элементную базу выбрать для проектирования инверторов солнечных батарей – новую карбид-кремниевую или традиционную кремниевую? Еще не так давно считалось, что характеристики инверторов для солнечных электростанций достигли своего технического максимума, и дальнейшее их повышение, из-за недостатков и ограничений существующей элементной базы, маловероятно. Однако в последнее время в конструировании этого типа устройств появилось два новых направления, причем оба положительно сказываются на всех ключевых характеристиках этих преобразователей, в первую очередь – на величине КПД и удельной мощности. Первый способ заключается в замене традиционных кремниевых транзисторов их аналогами, изготовленными из полупроводников с большей, чем у кремния, шириной запрещенной зоны, например, из карбида кремния. Второй способ направлен на поиск новых схемотехнических решений силовой части, позволяющих создавать преобразователи на основе традиционных низковольтных кремниевых MOSFET, имеющих намного лучшие характеристики, чем их высоковольтные аналоги. Использование новых решений позволило создавать инверторы, КПД которых может превышать 99%, что при использовании традиционных принципов построения является недостижимым результатом. В статье рассмотрены ключевые особенности обоих подходов, а также вопросы, на которые нужно обращать внимание при выборе того или иного метода. Читать статью >>
-
hitfet Максимальная гибкость разработки с ключами HITFET+
КОМПЭЛ опубликовал тема в Объявления пользователей
Семейство HITFET+ – это новое поколение на основе новейшей технологии, которая позволила уменьшить габариты до 50% по сравнению с линейкой HITFET. Семейство включает в себя стандартные (BTS3xxxTF/EJ) и полнофункциональные (BTF3xxxEJ/TE) ключи нижнего плеча (от 11 до 125 мОм) в корпусах TO252 (DPAK-3 и DPAK-5) и TDSO-8. Возможность выбора функциональности и корпуса гарантирует соответствие любым применениям. В пределах одного типа корпусов HITFET+ позволяет подобрать подходящий по токовым характеристикам ключ без необходимости замены печатной платы или программного обеспечения. Подробнее о семействе HITFET+
-
Каждой топологии – своя технология. Часть 2
КОМПЭЛ опубликовал тема в Объявления пользователей
Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволяют преодолевать ограничения, свойственные Si-ключам. В статье рассмотрены особенности силовых ключей CoolSiC, CoolGaN, CoolMOS производства компании Infineon на примере построения DC/DC-ступеней однофазных источников питания с высоким КПД. Читать статью >>.png.6f957b27a738ce1ef23a54c2cf2c18b9.png)
-
С появлением бюджетных датчиков Холла, измеряющих вертикальную составляющую магнитного поля, стали популярны линейные измерения магнитного поля. Такие датчики полезны для многих применений, например, для контроля положения клапанов, они встречаются в приводах систем климат-контроля, используются для распознавания столкновений в роботах-пылесосах и т.д. В силу того, что магнитные измерения являются бесконтактными, в суровых условиях эти изделия более надежны, чем контактные резистивные датчики, для которых влага и грязь могут быть губительны. Применяют два способа измерения магнитного поля вдоль одной оси с помощью стандартных 1D-датчиков Холла: прямой и непрямой. Оба способа предполагают использование магнита, выставленного соосно с датчиком Холла. Читать далее >>
-
В приложениях силовой электроники комбинации различных тепловых и силовых режимов приводят к появлению различных термических напряжений внутри устройства. Для обеспечения надежности и заданной наработки на отказ силовых устройств необходимо наличие диаграмм, описывающих все эти комбинации режимов. В процессе эксплуатации необходимо обеспечивать максимальные нагрузки, не выходящие за пределы, заданные соответствующими диаграммами. Различают два типа циклов нагрузок: энергетические циклы (PC), влияющие на температуру перехода (ΔTvj), и термические циклы (TC), влияющие на температуру паяного соединения и корпуса устройства (ΔTс). Рассмотрим условия эксплуатации, приводящие к отказу устройств, и изучим диаграммы соответствующих энергетических и термических циклов, рассмотрим практические примеры расчета наработки на отказ модулей IGBT. Ознакомится со статьей>>
-
Технология микрошаблонных канавок MPT-IGBT оптимизирована для применения в электроприводе, и на ней основано новое поколение транзисторов IGBT на 1200 В производства Infineon. Это позволило повысить производительность за счет снижения VCE,sat до примерно 600 мВ и увеличить плавность выключения. Представляем новую технологическую концепцию для следующего поколения IGBT на 1200 В с использованием MPT, оптимизированную для управляющих приложений. Подробнее о устройстве, характеристиках и особенностях>>
-
Компания Infineon представила новое семейство магнитных датчиков тока, построенных на базе технологии без использования сердечника. Первым представителем семейства стала микросхема TLI4971, являющаяся более прогрессивной версией датчика TLI4970. Ознакомиться с характеристиками и применением>>
-
IM69D120 – новое решение от компании Infineon, построенное по технологии MEMS Infineon Dual Backplate и являющейся логическим продолжением IM69D130 для 16-битных систем. При использовании IM69D130 в 16-битных системах отношение сигнал/шум (SNR) ограничено динамическим диапазоном системы. Подробнее о характеристиках>>
-
Датчики REAL3 от Infineon используют ToF-технологию для измерения времени пролета ИК-импульсов света и построения трехмерной картины окружающего пространства. Главной особенностью этих сенсоров становится чувствительная матрица, способная не только фиксировать ИК-излучение, но и измерять амплитуду принимаемых сигналов. Благодаря компактным размерам, сенсоры REAL3 могут использоваться не только в промышленных приложениях, но и в компактных коммерческих устройствах, таких как современные смартфоны. Узнать больше о датчиках REAL3 от Infineon >>
-
Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники. Хотя возможности кремниевых полупроводниковых приборов еще до конца не исчерпаны, и производители электронных компонентов ежегодно сообщают о появлении новых линеек транзисторов и диодов с улучшенными характеристиками, давно очевидно, что для следующего витка развития силовой электроники необходима новая элементная база. Неполная управляемость, высокие потери при коммутации, наличие паразитных компонентов и прочие недостатки кремниевых полупроводниковых приборов серьезно ограничивают количество доступных схемотехнических решений и максимальную частоту переключений преобразователей, без чего КПД этих узлов станет недопустимо малым для практического использования. Читать статью
-
S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1 - плата расширения на основе микросхемы Hi-End контроллера безопасности SLS 32AIA семейства OPTIGA™ Trust E. Изделие поставляется с готовыми к использованию библиотеками Arduino. OPTIGA™ Trust E – это решение, способное обеспечить высокую степенью безопасности для систем промышленной автоматизации, умных домов, бытовых или медицинских устройств, обеспечивающее улучшенную защиту сервисов, бизнес-моделей и наработок пользователя. Основанное на механизме односторонней аутентификации, это решение однозначно идентифицирует объекты и защищает сети PKI ( Public Key Infrastructure – Инфраструктура Открытых Ключей). Микросхема SLS 32AIA предварительно запрограммирована с целью минимизации усилий разработчика при ее использовании и готова к полной и простой системной интеграции. Высококачественный контроллер безопасности совместим с новым стандартом USB Type-C. Микросхема использует алгоритмы шифрования на основе эллиптических кривых (ECC - Elliptic Curve Cryptography) с длиной ключа 256 бит и SHA-256. Чип предоставляет до 3 КБ пользовательской памяти. В качестве коммуникационного интерфейса используется интерфейс I2C. Комбинируя платы Shield2Go с адаптерами Infineon MyIoT, можно разрабатывать индивидуальные системные решения. Форм-фактор плат Shield2Go полностью совместим с платами XMC2Go. Применение Встроенные системы, подключенные к сети через Интернет вещей Промышленный контроль и автоматизация Медицинское оборудование Бытовая электроника Умный дом Сети PKI Посмотреть характеристики, узнать наличие
-
Построение оптимального преобразователя мощности
КОМПЭЛ опубликовал тема в Объявления пользователей
Управляющие контроллеры, драйверы и МОП-транзисторы являются важнейшими элементами для инверторов и импульсных источников питания. Современные системы питания нуждаются в компактных и надежных импульсных преобразователях, способных работать с высокими напряжениями и высокой частотой коммутаций, а также обеспечивающих минимальный уровень потерь при минимальных габаритах. Очевидно, что выбор МОП-транзисторов сильно влияет на успешное удовлетворение этих потребностей. Тем не менее, достижение максимальной эффективности также зависит и от правильного выбора других компонентов схемы. Одной из наиболее важных задач, стоящих перед разработчиком, является поиск оптимальных драйверов для МОП-транзисторов с учетом особенностей конкретного приложения. Поскольку частота коммутаций и токи управления продолжают постоянно расти, интегральные драйверы становятся все более важными компонентами современных импульсных преобразователей. Грамотный выбор драйверов с учетом особенностей современных SJ МОП-транзисторов, например, представителей серии CoolMOS C7 600 В, позволяет разработчикам увеличивать эффективность, уменьшать габариты, повышать надежность и снижать общую стоимость импульсных преобразователей. Проектирование современных импульсных преобразователей, таких как импульсные источники питания (SMPS), DC/DC-преобразователи, приводы промышленных двигателей и инверторы солнечных батарей, необходимо выполнять с учетом целого ряда факторов. Существуют коммерческие, законодательные и экологические требования, направленные на повышение эффективности, снижение потерь, уменьшение эксплуатационных расходов, минимизацию потребления энергии и сокращение вредных выбросов парниковых газов. Кроме того, пользователи хотят видеть постоянное повышение эффективности без какого-либо увеличения габаритов и необходимости принятия дополнительных мер для защиты как элементов схемы, так и самих пользователей. Рассмотрим действия для достижения показателей эффективности