sergeyshushkov

Хочу найти все темы про ОУ, созданные на электрониксе. Ввожу в строке поиска (вверху справа) "ОУ", жму Enter, но в результате: Found 0 results. Подскажите пожалуйста, как можно найти на электрониксе тему по ключевому слову в названии темы.

Спасибо, Владимир. Второй футпринт добавил: Но теперь не могу понять как выбрать футпринт на PCB: В списке библиотек нет библиотеки Vault, хотя она подгружена.

в P-CAD это было возможно. Почему же в Vault нет? Добавляю 2-й фут-принт как показано на рисунке

Подскажите, пожалуйста, как в библиотеке компонентов Vault для Altium Designer одному компоненту присвоить два футпринта? При создании компонента указываю ему два футпринта, но после сохранения остается только один. В чем может быть дело?

Кто-нибудь сталкивался со смесителями типа LAVI-25VH+ (Mini-Circuits) (смеситель на FET с нулевым смещением)? Интересует его коэффициент шума. К сожалению производитель не привел зависимости КШ от частоты. Возможно, что КШ численно равен потерям преобразования, а возможно и нет (может быть значительно больше потерь).

Спасибо! В региональных настройках системы поменял формат на "Английский (США)" и прога заработала. Расположение можно не менять.

Уважаеме форумчане, нужен дистрибутив PLLatinumSim от Texas Instruments. Прога бесплатная, выложена на сайте Texas Instruments, но скачанный архив распаковывается с ошибкой и после установки программа не работает - запускается, но не дает возможность выбрать чип и при каждом действии выдает ошибку. Может быть у кого-нибудь есть рабочий дистрибутив, пусть и не самой последней версии. Поделитесь пожалуйста.

Что-то времена огромные - это времена на выходе силового транзистора или на его затворе? Не могу найти даташит на 20N60С3. Кто его производит? Какие у него емкости? Сопротивление R1 5,5к - это много. Я понимаю что при его уменьшении будет расти протекающий через него ток и соответственно будет расти рассеиваемая на R1 мощность, но при таком большом сопротивлении даже биполярники будут долго переключаться, а время переключения силового транзистора скорее всего еще больше затянется. Но тем не менее 15 мкс это очень много. Какие биполярники вы используете? Входной транзистор по схеме с общим эмиттером это транзистор оптопары? Самым простым способом увеличения скорости переключения биполярников без увеличения протекающего через R1 тока будет установка промежуточного каскада на менее мощных транзисторах с меньшими емкостями. А если посмотреть схемы драйверов в даташитах, то видно что в них в качестве ограничителя тока коллектора входного транзистора стоит источник тока.

А где задается точность прорисовки полигона? В свойствах полигона? Вы имеете ввиду параметры Remove Islands Less Than, Arc Approximation, Remove Necks When Copper Width Less Than?

Или имеется ввиду разрешение экрана? При использовании P-CAD при таком же разрешении экрана даже на более старых компьютерах (работал в P-CAD примерно с 2007 по 2010 год) не замечал никаких торможений. P-CAD вообще не тормозил. Неужели Altium Designer каким-то образом нагружает графическую систему сильнее чем P-CAD (странно, в 2D режиме никаких особых графических эффектов не замечал).

в Preferences/PCB Editor в поле Always repour polygons on modification галочка снята. Что вы имеете ввиду под разрешением - шаг сетки?

Заметил еще следующее - торможения происходят, когда изменения касаются цепи GND - если передвигается компонент, проводник или переходное отверстие подключенные к цепи GND, изменяется полигон GND и т.д. Даже если компонент (хотя бы один пад которого подключен к GND) находится вне зоны печатной платы и не контактирует ни с одним проводником или полигоном, то при его передвижении Altium подвисает (если ни один пад не подключен к цепи GND, то подвисания нет). При подвисании на экране появляется надпись Removing Polygon from Database... Такое ощущение что подвисания происходят из-за того, что большое количество компонентов подключено к цепи GND. Проблему частично решил разбиением земли у плат - для большой платы назвал цепь земли GND, для маленьких GND1, GND2 и т.д. Теперь подвисания происходят только при изменении цепи GND большой платы и время подвисания стало значительно меньше. Но как дальше быть непонятно - разбить землю у одной платы я не могу. Сейчас более менее работать можно, но если будет еще больше схема, то торможение Altium будет мешать сильнее.

Да, действительно. Согласен. Я использовал схему б) (со сквозным током) - переключал с ее помощью P-канальный полевик IRF9321Pbf (включал и выключал питание на нагрузке). На затворе IRF9321Pbf при использовании биполярных транзисторов BC807 и BC817 получал задний и передний фронты примерно 100 нс (открывался и закрывался полевик примерно с той же скоростью). Для ускорения работы биполярников использовал форсирующие конденсаторы в их базах. Так как управление шло с маломощного микроконтроллера, то чтобы не перегружать его выход для раскачки BC807 и BC817 использовал такую же схему из транзисторов BC847 и BC857 (у них тоже форсирующие емкости), ну а перед ними для преобразования уровней (у микроконтроллера питание 3,3 В, а управление полевиком 12 В) ставил обычный каскад с общим эмиттером на том же BC847 (пришлось ставить в его коллекторе небольшой резистор 220 Ом чтобы не слишком затягивать открытие и закрытие первой "комплементарной" цепочки на BC847 и BC857 - при питании 12 В ток коллектора около 54 мА, но так как транзистор был открыт не постоянно, то средний ток значительно меньше). Я имел ввиду что мне не известна скорость переключения схемы а).

Нужно уточнить - я использовал схему б) на частоте переключения 30 кГц. При увеличении частоты переключения влияние тока утечки будет все больше сказываться на нагреве биполярников и на КПД самого драйвера. Поэтому конечно нужно либо ставить ограничивающие коллекторные резисторы, либо переходить на схему а). Я не держусь за схему б), просто она мне понятна и я ее уже использовал. Со схемой а) вроде разобрался (как работает). Осталось только узнать реальную скорость ее переключения, например на тех же транзисторах BC807, BC817.

Спасибо! Действительно неизвестно точно какое напряжение насыщения, но приблизительно предположить можно (например принять равным 0,7 В), так как скорее всего оно в диапазоне температур и базовых токов находится в диапазоне +/- 0,2 В, что несущественно если уровень сигнала управления например +12 В. Существенно только в том случае, если управление происходит полевиком с уровнем управления КМОП. Действительно, уменьшить сквозной ток до приемлемого для перехода коллектор-эмиттер уровня можно с помощью двух резисторов в коллекторах биполярников и снимать сигнал управления полевиком между этих резисторов. Я на практике проверял - использовал в качестве драйвера одни из самых распространенных и дешевых биполярников BC817 и BC807 - они даже без коллекторных резисторов не выходят из строя. Сквозной ток конечно есть, но время протекания сквозного тока слишком мало чтобы вывести из строя транзисторы (в том числе не ставил резистор в затвор полевика чтобы не затягивать его время включения/выключения). Но для надежности конечно стоит заложить резисторы. Не всегда есть возможность купить драйвер, либо время его доставки сравнительно велико. Сравнительно с покупкой дешевых и распространенных биполярных транзисторов (например тех, которые я привел выше). Кроме того, биполярники будут стоить в несколько раз меньше чем микросхема драйвера. Практически каждая микросхема уникальна. Если вы заложились на какую-то микросхему, а с ее поставкой проблемы, то придется туго. А вот с широко распространенными биполярниками такой проблемы быть не может - их выпускают все кому не лень.

Что такое Place Design? Это какой-то режим? Как его запускать?

Разработал МПП (4 слоя) с размером примерно 190 х 75 (в схеме чуть больше 400 компонентов). При ее трассировке не возникало никаких проблем. Пока в редакторе PCB была только эта плата, Altium нормально реагировал на любые изменения в топологии - не подвисал при изменении проводников, переходных отверстий, полигонов и т.д. Создал мультизаготовку из данной сравнительно большой платы и 9 маленьких платок на которых заложил для проверки различные узлы с большой платы. И теперь при любом изменении топологии на мультизаготовке (хоть на большой плате, хоть на маленьких) Altium подвисает секунд на 5, что очень затягивает процесс редактирования платы. В процессе создания мультизаготовки заметил что чем больше количество входящих заготовок, тем больше тормозит Altium. Маленькие платы создавал не с помощью Ctrl+C и Ctrl+V, а добавлял компоненты на схеме на отдельном листе подключенном к проекту, потом транслировал изменения в PCB и на каждой платке вручную проводил трассировку и прокладывал Polygon Pour и Solid Region. То есть вероятность копирования какой-то ошибки из одной платки в другую минимальна (да и схемки на них совершенно разные). Маленькие платки очень простые с минимум компонентов и проводников, топологический рисунок вообще только на слое TOP, а на остальных слоях просто Polygon Pour подключенные к земле. Большая плата во много раз сложнее чем все маленькие платы вместе взятые. Если сейчас удалить с мультизаготовки маленькие платки, то Altium перестает тормозить. Режим показа зазоров (Display Clearance Boundaries) совсем отключил. В чем может быть дело? В перезаливке большого числа Polygon Pour (всего на мультизаготовке получилось 94 полигона)? К сожалению не могу выложить плату так как она не радиолюбительская, а коммерческая. Но может быть эксперты в Altium и без платы смогут подсказать в чем еще может быть причина подвисания Altium. Версия Altium 16.1.

В том то и дело, что данная схема (рисунок а)) приводится много где, но конкретного описания протекания токов и падения напряжений я так и не нашел (в том числе в книге Искусство схемотехники). В схеме б) действительно нужно ставить отдельные базовые токоограничивающие резисторы чтобы она работала. Несмотря на то что эта схема заходит в насыщение при большом базовом токе и в момент переключения через оба транзистора (пока один еще не полностью закрылся, а второй не полностью открылся или вообще уже полностью открылся) протекает сквозной ток, схема проверена на практике - она работает. Она действительно схеме КМОП только в биполярном исполнении (при использовании раздельных базовых резисторов). Поправляю рисунок: В схеме а) путь протекания базовых токов транзисторов замыкается через емкость затвора управляемого полевого транзистора. По мере заряда емкости затвора базовый ток через верхний транзистор будет уменьшаться, а следовательно верхний транзистор начнет закрываться. Допустим что напряжение управления поступающее на базы биполярных транзисторов имеет ту же амплитуду, что и напряжение на коллекторе верхнего транзистора (которое и подается через переход коллектор-эмиттер верхнего транзистора на затвор полевика) - назовем его просто напряжением питания. До какого напряжения зарядится емкость затвора? До напряжения питания минус минимальное напряжение база-эмиттер верхнего транзистора? Насыщение транзисторов влияет только на время задержки открытия/закрытия управляемого транзистора. Это важный параметр только в случае обратной связи (например, если данный драйвер используется в импульсном источнике питания - чем больше задержка в схеме обратной связи тем больше ошибка в регулировке выходного напряжения). Если же обратной связи нет, то зная время задержки его можно учесть подавая управляющий сигнал заранее. В случае отсутствия обратной связи на первое место выходит скорость открытия и закрытия управляемого полевика. Вот мне и не понятно какая из схем даст лучшие фронты на выходе полевика. Промоделировать бы эти схемы на скорость переходного процесса, но к сожалению не знаю такой САПР, которая более-менее моделирует ключевой режим транзистора по SPICE-модели. Уважаемые знатоки подскажите САПР который нормально моделирует процесс переключения транзисторов по SPICE-модели (чтобы можно было все характеристики импульса посмотреть - фронты, неравномерность вершины импульса).

Подскажите пожалуйста, как работает драйвер MOSFET изображенный на рисунке а). Я понимаю как работает драйвер на рисунке б). При подаче на базы pnp и npn транзисторов положительного напряжения открывается npn-транзистор, а pnp закрывается. При подтягивании баз pnp и npn транзисторов к земле npn-транзистор закрывается, а pnp, наоборот открывается. В схеме же а) что при подаче положительного напряжения на базы биполярных транзисторов, что при подаче нуля, ни один транзистор по идее открываться не должен - нет пути для протекания базового тока (сопротивление затвора полевого транзистора очень велико). Тем неменее во многих статьях про драйверы полевых транзисторов приводится именно схема на рисунке а). Как она работает? В чем ее преимущество перед схемой б)? Подскажите где можно почитать про данное включение коммплементарной пары транзисторов.

Спасибо!

Подскажите пожалуйста, как на электрониксе посмотреть список созданных мною тем. В Панели управления и Личной почте нет данного списка.

Спасибо! А как переключиться в режим Transparent?

Подскажите, есть ли в Altium Designer аналог режима Draft Mode из P-CAD (горячая клавиша Q по умолчанию)? Что делает горячая клавиша Q в Altium Designer (в Customize написано Toggle Units, но при нажатии не вижу чтобы что-то происходило).

Спасибо!

При ручном проведении проводника от какого-либо пада PCB переходит в режим отображения приведенный на картинке. При этом Altium начинает подтормаживать (это скорее всего зависит от мощности компьютера, то есть на более мощных ПК возможно подтормаживание не заметно). Видимо я случайно нажал какую-то комбинацию кнопок на клавиатуре и PCB перешел в данный режим. Подскажите пожалуйста что это за режим, для чего он предназначен и как из него выйти.