IURII

Спасибо HEX за участие и просьба к модератору удалить и закрыть тему дабы не травмировать других потенциальных читателей этой безтолковой переписки . Закрыл.

Trench но с маленким показателем по Short circuit ??? тогда не совсем понял вас : (IGBT технологии Trench, желательно с ненормируемой/запрещённой длительностью КЗ. Варистор на коллектор-эмиттер.) Можете глянуть и сказать в чём не прав человек с этим высказыванием : (если времена менее едениц мкс - есть транзисторы стойкие к кз в течении некоторого времени - к примеру для IRGP4068DPbF указано 5 μS short circuit SOA. фактически это означает, что транзистор ограничит ток на максимальном для себя уровне выйдя из насыщения, и не сгорит в течении этого времени.)

http://album.foto.ru/photos/or/399108/2954644.jpg Егоров :Вы пропустили это фото с платой из фотовспышки. В любой фотовспышке на батареях из более современных стоит по IGBT for strobe flash на прерывнии импульса но они на напряжении 400V . Проблема несинхронной работы ключей в принципе неустранима. -так утверждаете Ладно плата с фото из темы не пример тому.Изучая тему IGBT забрёл и на форум по сварочным инверторам которые тоже на куче запаралелянных IGBT http://radikal.ru/F/s55.radikal.ru/i149/09...0875df.jpg.html http://www.microchip.su/attachment.php?att...mp;d=1363800111 на Impulsite один лищь человек выступал но ни как не хотел отвечать по проще Типа -подойдёт и этот - У него нормальное состояние замкнуто. А как понять что означает замкнуто и как даташите это указываеся,? Здесь хоть узнал что лучше взять из серии Trench с высокими показателями по 10 μS short circuit а не PT/ Хотя в другом обсуждении тоже знаток уверял что для прерывания импульса нельзя с большой стойкостью к КЗ. Узнал что желетелен стабилитрон 18V на управлении.Может и ещё что узнаю.Вотзадал вопрос про модуль вместо запаралелянных - но не оветили Может и ещё кто присоеденится кроме завсегдатых.Надеюсь тему не прикроют

Какие подходят IGBT для этих целей по прерыванию разряда конденсатора -PT? NPT? или Trench с высокими показателями по 10 μS short circuit SOA. http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS100503%...300N60B3%29.pdf http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS100518A...200N65B4%29.pdf

Проблема несинхронной работы ключей в принципе неустранима. -так утверждает Егоров. Ладно плата с фото из темы не пример тому.Изучая тему IGBT забрёл и на форум по сварочным инверторам которые тоже на куче запаралелянных IGBT http://radikal.ru/F/s55.radikal.ru/i149/09...0875df.jpg.html http://www.microchip.su/attachment.php?att...mp;d=1363800111

XXXXXX

корпус абсолютно не важен.И чем он лучше чем те от IXIS http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS100157A...320N60B3%29.pdf -14$ , http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS99929A%...200N60B3%29.pdf -10$ , http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS99583B%...320N60A3%29.pdf -18$ на EBAY . Правда не зню если не левак А может по одному модулю? http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS100156A...400N60B3%29.pdf http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS99576C%...320N60A3%29.pdf

HEX спасибо за отзыв по теме потому что вы действительно в теме но и требовать не вправе от вас готовых решений.Но как на ваш взгляд на призводстве добиваются согласованности при запирании стольких IGBT как на фото или они особенные.Может в даташите по ним что пркрепил по выше вы видите что-то особенное .Может действительно всё повторить из тех-же компонентов - IGBT сопротивления 0,05 и FAN driver ?? Про блок питания для всего этого - 24V2,5A ?????

Вы всё приводите ссылки на эти транзисторы из вспышек всртоенных в фотоаппарат .Они вообще не катят

наверное есть смысл повтрить как в этой новой вспышке хоть и транзисторы старьё 2000 -го года HGT1S20N60C3S http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf...1S20N60C3S.html ,но подобрать из этой серии UFS (не знаю что бы значило) Применить такие же резисторы 0,05ом http://www.welwyn-tt.com/pdf/datasheet/OARS.pdf и тотже драйвер FAN3227T http://elcodis.com/parts/5897349/FAN3227T.html ??

OSIPOFF.ru застыл на уровне 80-х годов . Даже по тиристорным студийным осетителям там ничего нет, не говоря про IGBT. Так, пытаются заменить IGBT из мелких вспышек на что-то от IRF и не более того. HEX сделал важное примечание :IGBT имеют особенность - динамическое насыщение, т.е. вначале отпирания велико падение напряжения на ключе. Может, причина неудач первых опытов была в драйвере и питании . Из уже прочитанного узнал, что нужны драйвера способные выдать до 2,5А . Значит ли это что и блок питания для электронных компонентов управления IGBT должен быть 24V2A ? В даташите говорится, что степень насыщенности не важна если будет питание на большом токе и соответствующем драйвере. И что означает : ("The slope of the collector-emitter voltage, dv/dt, during turn-off should be kept below 700 V/μs." Из документации GT5G134 Не следует закрывать слишком быстро, а то IGBT защелкнется...) GT5G134 это маломощный транзистор - для моих целей он не подойдёт. Дросель совершенно нежелателен - он увеличивает длительность импульса. Всё делаю чтобы получить короткие по времени импульсы , с дроселем нет смысла. Разряд конденсаторов на лампу будет через трёх -четырёх метровый кабель толстый (вспышка двухблочная - конденсаторы отдельно на полу а лампа только высоко на стойке и через кабель разряд) . Так что сопротивления кабеля должно быть наименьшим и, думаю, несколько смягчит амплитуду тока в момент разряда. Есть ли в даташите параметр указывающий на более быстое - медленное переключение открытие -запирание ,или везде этот параметр одинаков?. Назревает и другая проблема. По мере читания форумов все озадачены не где подешевле а где продают оригинальные IGBT а не перемаркированные и откровенные подделки. Покупаю всякую мелчь с EBAY . Про транзисторы поспрашивал -что-то есть а как разговор об оригинальности - то упаковка якобы не оригинальная или чаще переписку вообще прекращают.

Я по выше прикрепил фотку промышленной вспышки с восемью запаралелянными IGBT и без дроселя только те резисторы -предохранители на 0,05 ом. Значит как-то на производстве их выбирают и добиваются синхронного запирания

Если можно по вопросу.Я не электронщик.Техническим языком не владею.Мне нужно сделать выбор а другой элетронщик сделает эту регулировку скорей продлжит потому что всё было сделано и регулировка шла даже от очень слабого импульса.Как японимаю прблемы была в несинхронном запирании запаралелянных транзисторов.Кто опаздал с запирание на него приходился весь фронт и он перегарал .Меняли- другой уже умирал.Хочу ещё раз попробывать на IXYS вроде если достоверен импульсный ток то довольно высок по сравнению с другими IGBT/Ещё раз пршу знающих указать в даташитах неизвестные мне характеристики сроме Pulsed Curent/Наверное важная характеристика это время реакции ,реакчия на запирание ,время за которые выдерживает большой всплеск тока и ещё что там важно.Если не имели с IGBT дело то конечно помощи не дождусь.Попробую поискатьфорумы где тусуютя знатоки и ремонтники имульсных сварочных аппаратов.IGBT в них тоже в импульсе работают и наверняка им всё про них известно.Извиняюсь если отнял время :bb-offtopic:

А собственно по вопросу про выбор IGBT из ссылок,?

Спасибо за отзыв.Значит вы в теме Alex11' Спасибо за отзыв.Значит вы в теме.Вспышка есть с регулировкой по напряжению на конденсаторах. Идеея сделать такую регулировку когда конденсаторы всегда заряжаются до 550V и отсекается разряд от высокого напряжения к малому тем самым достигается и регулировка и импуль короткий по времени.Новое веение в вспышкостроение для студии регулировка на запаралелянные IGBT в цепи разряда на лампу .А по поводу тиристора читал что проблема в не своевременном трудном его запирании . А с запаралелянными IGBT как понял из первых опытов - несинхронное запирание и подыхание более тормознутого.Но из промышленных образцов вспышек видно что как-то рещаемо.По поводу вопроса о выборе из перечисленных ?