Перейти к содержанию
Поиск
    

Sanyao

Свой
 Профиль  Обзор контента

  • Постов

    224

  • Зарегистрирован

  • Посещение

 Тип контента 

Сообщения, опубликованные Sanyao

  1. Опубликовано · Пожаловаться

    Да если б все изделия были наши. С нашими микросхемами как раз проблем со вскрытием нет, как и с большинством металлокерамики, в т.ч. и импортной. Болгарку в руки, и вперед )).

    Все хуже с обычными микросхемами, которые идут в комплектацию - обычные изделия серийного производства. Они проходят полный цикл испытаний, в т.ч. и на ТЗЧ, если требуется. И, как правило, они в пластиковых стандартных корпусах - SOIC, TSOP, TQFP, BGA и т.д. Ну и тут уж производителя не попросишь разварить пяток кристаллов отдельно в иной корпус :laughing:

  2. Опубликовано · Пожаловаться

    Lerk, если заключение из Сарова, не значит что они проводили испытания в Сарове )) Хотя что-то там у них есть это наверняка...

    Насчет облегчить жизнь испытателям - как раз наоборот. Вы даже, наверное, не представляете, сколько хлопот доставляет процедура вскрытия. Там целый набор и высокоточной механической обработки, химическая лаборатория, даже есть плазменное травление и рентгеноскопия. Мы с удовольствием бы облучали в корпусе, если бы были доступны ионы таких энергий с нормальной метрологией. Да и нормы задаются относительно ЛПЭ ионов на поверхности кристалла (или в чувствительной области), так что пока оптимальный метод - облучение вскрытых образцов.

     

  3. Опубликовано · Пожаловаться

    все что вы написали говорит о том, снимают лишь для того чтобы проще было получить энергию(достоверную - которую можно записать в бумажку) в самом кристалле для достижения нормативных параметров

    и это на самом деле мало имеет отношение к стойкости как функционала устройства

    Все правильно, крышку снимают чтобы обеспечить в условиях эксперимента попадание ионов на кристалл и достоверно знать параметры этих ионов.

     

    пусть есть кристал 10 см**2 и на нем есть 1 мкм**2 который даст защелку и выведет весь кристалл из строя

    возникает вопрос стойкий это кристалл к ТЗЧ или нет?

    при ваших испытаниях - (если вы еще попадете в этот 1 мкм**2, что может оказаться очень проблемматично - кстати в этом случае лазерный имитатор на тзч даст большую вероятность обнаружения этой области, кстати и испытания проводят под разными углами для этих же целей чтобы отдать энергию похитрее) такой кристалл будет не радстойкий. если же я сделаю микросхему так что она будет в виде кубика 3 грамм кремния и в объеме будет сделана сама микросхема(как вы отличите где корпус и где кристалл и это не будет корпус - то ваши испытания покажут что микросхема стойкая поскольку брэг не достигнет при ваших энергиях частиц нужной области и чтот тогда?

    На это есть нормы испытаний, в том числе и по флюенсу ионов, и по пробегам. И они берутся не "с потолка". Флюенс ионов как раз и определяется исходя из размеров чувствительных областей так, чтобы при облучении в каждую чувствительную область гарантированно попал хотя-бы один ион.

    А по поводу кубика из трех грамм кремния - понятно что испытания этого Вашего кубика будут необычными. Как вариант - сошлифовывание лишнего кремния до чувствительной области, чтобы пробега ионов в чувствительном объеме было достаточно.

     

    однако (дублирование в космосе делают всегда, а то и троирование- дублирование) и если сделать еще защиту 3 грамма ( тогда пик брэгга окажется в защите для частиц ТЗЧ с энергией до 50МЭВ)то какова вероятность, что данное устройство не будет "радстойкое"? и какова вероятность отказа от других причин? например прилетит Чебаркульский метеорит :biggrin:

    Вы путаете стойкость отдельного компонента и стойкость системы. Вообще чувствительность к ТЗЧ измеряется не термином стойкий/нестойкий, а сечением событий и пороговым значением ЛПЭ для событий. Например успешно применяют схемы, в которых есть тиристорный эффект, не приводящий к отказу, и имеющий при заданном ЛПЭ сечение, не превышающее допустимое.

    И еще, основная характеристика ТЗЧ, это не энергия иона, а ЛПЭ иона. Энергия измеряется в МэВ, а ЛПЭ в МэВ*см2/мг. Уточните, что у Вас за цифра 50 МэВ?

     

    формально кристалл не радстойкий по ЛПЭ нормативу. но как вы говорите где гарантия, что частица с большой энергии пройдя вдоль кристалла и не сделает в нем дырку? это будет радстойкое?

     

    я выдаю мысль о том - что формальное удовлетворение по ЛПЭ не говорит о "радстойкости". особенно еще в в свете того что от тзч "нет защиты" и все должно давать нужный ЛПЕ

    Похоже, здесь опять Вы путаете энергию и ЛПЭ?

    Удовлетворение по заданному ЛПЭ (например по отсутствию отказов) говорит только о том, что при попадании в чувствительный объем иона со значением ЛПЭ не более заданного, катастрофического отказа не произойдет (причем с каким-то значением вероятности).

    А защиты Вы можете поставить. Только если будете ее считать для компонента, в котором пороговое значение ЛПЭ по тиристорному эффекту в районе 10 МэВ*см2/мг или меньше, то получите такие массы, что ракета не поднимет.

     

    для примера космический корабль ЗЕМЛЯ - на нем спокойно работают не радстойкие компьютеры

    (не будем обсуждать почему - это и так надеюсь всем ясно :biggrin: )

    Почему не обсудить? с чего Вы взяли что они спокойно работают? в современных схемах уже давно есть проблема частиц, вылетающих из самого корпуса. Для авионики - сбои от нейтронов и т.п. Так что никакого спокойствия нет, просто эти события достаточно редки, и обычный пользователь их не замечает.

     

    итак резюме - поправьте если неправ

    корпус вскрывают чтобы при испытаниях можно было написать в бумажке ЛПЭ в кристалле - иначе все очень сложно для получения ЛПЭ в кристалле

    (хотя медики за счет якобы точного расчета брегга в теле пациента разрущают раковые клетки)

    Да, все правильно, корпус вскрывают для обеспечения нужного значения ЛПЭ в чувствительной области кристалла.

    Почему трудно это сделать при наличии корпуса в условиях испытательного стенда я уже писал ранее.

    Медики используют не тяжелые ионы, а протоны. У них пробеги намного больше.

     

    правда никто не знает какой вред наносится при снятии корпуса :biggrin: и как это влияет на радстойкость - улучшает ее или ухудшает

    Если корпус металлокерамический - практически ничего не изменяется. Если пластик, который травят кислотой - тут есть вопросы и ведутся исследования.

     

  4. Опубликовано · Пожаловаться

    Lerk, есть где-то информация по испытаниям на ТЗЧ в Сарове? Что то я об этом не слышал, интересно было бы посмотреть.

     

    net, посмотрите внимательно на картинку. Это спектры по ЛПЭ. Похожие спектры приведены и в нормативных документах и они отличаются для разных орбит. Исходя из условий на орбите, т.е. спектра и условий по безотказности, заданных в ТЗ, определяются требования по стойкости. Испытания проводятся на соответствие этим требованиям.

    Что энергия и ЛПЭ разные вещи я написал. Что Вы считаете неверным? Может быть Вы считаете , что если ионы из ускорителей не могут пройти крышку корпуса, то и ионы в космосе не смогут?

    Максимальное значение ЛПЭ зависит от типа иона (определяется пиком Брэгга) а пробег зависит от начальной энергии иона. При испытаниях стараются работать так, чтобы пик Брэгга был в чувствительном объеме схемы. Достигается это подбором энергии иона на поверхности кристалла.

    Теперь про энергию.

    На выходе из ускорителя имеем моноэнергетический пучок. При открытом кристалле проблем нет. Энергия на поверхности одинакова для всех ионов. В случае налачия корпуса мы должны его "пробить" и здесь есть неопределенности. Во первых торможение ионов происходит неравномерно, степень торможения сильно зависит от материала корпуса, да и тормозится каждый ион по разному. Так на выходе из корпуса имеем уже не совсем или совсем не моноэнергетический пучок. Дополнительнт мы должны задать иону такую энергию, чтобы ему хватило на "пробитие" корпуса. Если умеете пользоваться, например SRIM, прикиньте, какая должна быть энергия у иона, чтобы пройти хотя бы полмиллиметра пластика. Ну там можно оценить и разброс по энергии на выходе.

  6. Опубликовано · Пожаловаться

    самое смешное что в космосе частицы выше 50 мэв пояляются раз в 300 лет через 1 см**2

    Это не совсем верно. Если взглянуть на эту картинку интегрального спектра за 2 года, то при небольшой толщине защиты, частицы с ЛПЭ 50 МэВ*см2/мг все-таки есть. И при длительной эксплуатации большого количества аппаратуры пренебрегать влиянием ТЗЧ нельзя.

    post-6521-1470207421_thumb.png

     

    на ускорителе же испытывают от 60 мэв

    Совсем неверно. Испытания проводятся при ЛПЭ от единиц МэВ*см2/мг. Обычные требования - отсутствие катастрофических отказов при ЛПЭ менее 40 (иногда 60) МэВ*см2/мг. Но это только по отказам. А есть еще сбои. По сбоям проводят определительные испытания, и, иногда, вообще опускаются до ЛПЭ ниже единицы. А вот сбои бывают разные, иногда совсем неприятные, и знать их свойства нужно.

     

    и если убогий пластик не дает испытать - откуда проблемма ТЗЧ?

    Пластик мешает проводить испытания только на земле. Все-таки земные ускорители по энергиям ионов (не путайте с ЛПЭ ионов) еще не дошли до естественных космических ускорителей. На испытательных стендах пробеги ионов относительно невелики, поэтому кристалл и открывают, чтобы корпус не мешал.

     

     

     

  8. Опубликовано · Пожаловаться

    всегда интересовало, а зачем нужен открытый кристалл ?

    В земных условиях очень сложно, а часто и невозможно, получить такие ионы, которые "пробьют" корпус и долетят до чувствительной области. В космосе ионы имеют существенно бОльшие энергии и пробеги в материале, чем мы можем получить на экспериментальных установках. Это основное.

    Ну а еще есть проблемы с расчетом ЛПЭ иона в чувствительной области после прохождения корпуса.

    Есть технологии уменьшения толщины пластикового корпуса над кристаллом, чтобы ион его прошел. Но проще, если это возможно, открыть кристалл и работать непосредственно с ним.

  10. Опубликовано · Пожаловаться

    monitor7, во всем Вы правы. Но реалии таковы, что индастриал летает. И у нас и у них... Сертификация да, дорогая, но ее делают. Есть разные аппараты и разные требования к ним. Конечно, в ответственную аппаратуру просто так микросхемы не берут. Всё считают по требованиям к аппаратуре, в том числе и по стойкости к спецфакторам и надежности. Если Вам повезло проектировать аппаратуру исключительно на спейс компонентах - могу за Вас только порадоваться. А по применению индастриала в космосе уже давно идет спор, что можно, что нельзя.

    Я, в общем-то, погорячился. Действительно, не все так просто и с сертификацией, и с разработкой и изготовлением спейса, и с определением что есть партия. Однако страшного в индастриале нет. Страшно если его применяют без головы. Если требования для аппарата заданы правильно, и что-то под эти требования подходит, почему бы не применять.

    А выход - почти все правильно:

    1. Соблюдать требования НТД на применение (не забывать, что при отказе придут умные люди и в первую очередь будут проверять соблюдение требований НТД).

    2. Системный (приборный) подход к проектированию аппаратуры и алгоритмов в комплексе с выбором (разработкой) специализированной ЭКБ. Стойкая ЭКБ в стране есть и целевую задачу можно всегда решить. самый простой пример: елочной гирляндой можно управлять несколькими триггерами с частотой 0,2 Гц а можно применить контроллер на 1 ГГц и пару миллионов транзисторов :-)

    Вот только со стойкой ЭКБ, которой можно все решить - сильно не соглашусь. Да, стойкая есть, и ведутся работы по разработке новой, но не всегда ей можно решить задачу при заданных массо-габаритных и энергетических показателях. То же самое касается и импортного спейса. Как правило, все эти специализированные схемы на два-три, а то и больше поколений отстают от современных "гражданских" схем. Тут всегда нужна золотая середина, чтобы получить нужные характеристики в требуемые сроки и уместившись в заданный бюджет.

  11. Опубликовано · Пожаловаться

    Если не space, то никогда не будет гарантий, что конкретный образец ИС, установленный в "лётный" прибор будет обладать стойкостью, значение которой получено по результатам испытаний industrial . есть конечно методики малых нагружений, прогнозирования стойкости, отжига и установки в прибор. Но....

    Почему не будет гарантий? делается просто - сертифицируется пария. Она проходит весь цикл испытаний - входной контроль, механика, климатика, спецфакторы, надежность и т.п. Если прошла - можно применять. Но только изделия из этой конкретной партии.

    Тот же спейс - отбираются в точности также. Проводят испытания выборки по всем параметрам и требуемым факторам, сертифицируют технологию изготовления пластин, сборки, применяемые материалы, методики проверки и подтверждения характеристик. На выходе получают дорогущие микросхемы с заданной стойкостью.

    Да, согласен, есть вопросы к индастриалу. Но сейчас всем рулят фантики )). Ставить всюду спейс и получать неподъемное оборудование, но зато с надежностью в кучу девяток никому не выгодно. Приборов с такими супер требованиями по надежности и стойкости не так много. Индастриал служит в космосе и у нас, и за бугром. Если подбирать с умом, то и волки будут сыты, и овцы целы.

    Делают, конечно, для ответственных применений и специальные схемы. Например тот же Xilinx предлагает плису RadHard by Design, которую они специально проектировали с учетом стойкости к радиации, в том числе к ТЗЧ. Вот только стоимость зашкаливает, и купить ее, я думаю, просто так не получится.

  12. Опубликовано · Пожаловаться

    ieeexplore да, коммерческий, но в России покупать статьи как-то пока не принято.. :rolleyes:

    есть вариант поискать по названию статьи в гугле - часто копии лежат открыто на сайтах организаций и университетов. Ну и есть еще масса вариантов как скачать с ieee за спасибо... В том числе часть описаны на этом форуме.

    dim99, таблица это только типы ионов при испытаниях, а не характеристики схемы. По статье - тиристорного эффекта не обнаружено. Есть отказы при ЛПЭ равном 53. ну и сбои различного вида, в том числе связанные с потерей информации. Вообще отказы для флешей - обычное дело, особенно при ЛПЭ от 20 и выше. Как правило связаны с режимом записи, когда включается внутренний генератор повышенного напряжения. Отказывает функция стирания/программирования. Еще у некоторых типов есть скачки тока потребления (по иностранному Spike). Иногда отказы случаются от них.

    yes, и с MRAM (в общем-то, как и с другими схемами ;) ) тоже надо осторожно. Не могу сказать за все MRAMы, но есть сведения для некоторых типов о пороговом ЛПЭ по тиристорному эффекту ниже 7.

  13. Опубликовано · Пожаловаться

    dim99, я так понимаю мы с Вами общались по e-mail?

    повторюсь здесь - информацию по иностранным изделиям можно поискать на http://ieeexplore.ieee.org/. там есть как сборники, так и по отдельным статьям можно покопаться.

    еще есть база NASA, правда она не суперсвежая http://radhome.gsfc.nasa.gov/radhome/radda...addatabase.html

     

     

  14. Опубликовано · Пожаловаться

    у них несколько градаций - Rad Tolerant, Rad Hard. есть еще Screened и всякая другая классификация в зависимости от производителя.

    По-нашему радиационно-устойчивые или радиационно стойкие. Хотя, по сути, все эти Rad XXX означает только то, что есть стойкость до определенной известной дозы, проведены официальные испытания по подтверждению степени стойкости и производитель гарантирует заданную стойкость выпускаемого изделия.

  16. Опубликовано · Пожаловаться

    Вот чем хороши некоторые ФГУПы, так это тем, что там времени свободного навалом... Для набора опыта по собственным делам и работы "на сторону" - самое то. Зачастую даже все необходимое оборудование есть. Часто видел, что в не совсем "живой" конторе выделяется костяк активных и грамотных людей, которые уже дальше ведут свою тему, и вполне успешно.

     

  17. Опубликовано · Пожаловаться

    доставка есть. Мне в подмосковье привозили - все ОК.

    А таможенные вопросы это их головная боль, т.к. у вас счет рублевый от Российской компании, т.е. сам заказчик формально ничего не везет из-за бугра. Вы по документам покупаете товар в Российском магазине. Как и в том же чип-дипе.

  18. Опубликовано · Пожаловаться

    Нормальная контора - брал там несколько раз. Цены да, не самые низкие, но зато все официально через таможню. Если партии побольше брать, а не по 1-2 штучки - выходит не так уж и дорого.

    После отправки заказа с сайта, выставляет счет Питерская контора - представитель. Счет в рублях с конечной суммой и сроками, и если нужно с доставкой. Работают и с частниками. Пока не подводили.

  19. Опубликовано · Пожаловаться

    Учитывая закрытость (секретность) большей части нашей информации на эту тему...

    По всей видимости инфа по стойкости импортной элементной базы совсем не секретная и ее при желании можно найти в инете. Имеется только коммерческая ценность....

    Информация о стойкости отдельных компонентов, в общем то, не особо и секретная, максимум ДСП - очень много ее публикует и NASA и ESA и наши испытательные центры, презентуеся на всякого рода конференциях-семинарах ("Стойкость", RADECS, NSREC). Если знать где посмотреть и как интерпретировать, то что-то можно почерпнуть и из открытых источников. Другое дело, что полной картины по всем факторам для конкретного компонента найти затруднительно.

    А так, в первую очередь, испытания это деньги, причем существенные, и раздавать результаты просто так никто не будет.

    Jenka, если Вам нужна информация официальная - попробуйте получить доступ к базе Роскосмоса kosrad.ru. Там можно найти что-то интересное.

     

     

  20. Опубликовано · Пожаловаться

    Да. На плате как раз стоит зарядное, плюс схема защиты самого аккумулятора.

    Зарядный ток, скорей всего, достаточно большой (1А), но можно перенастроить заменой одного из резисторов (R3?). Для "буферного" режима я бы снизил зарядный ток.

     

     

  21. Опубликовано · Пожаловаться

    и тут берем и ставим над каждой микросхемой 1 см al(3гр/см*22) и вся радиация...

    открываете выше указанные госты и там есть различные массы(просто 1 см ал это примерно 3 грамма) как они ослабляют ТЗЧ и накопленную дозу

    От ТЗЧ такая защита "массой" не особо эффективна. Да, разрабатываются контейнеры для отдельных элементов, которые защищают со всех сторон но если это делать без головы, то снова ракета-носитель не поднимет аппарат. А просто сверху прицепить брусок хоть люминия, хоть чугуния - не поможет.

    Требования по стойкости к ТЗЧ считают исходя из требований по надежности аппарата.

    Да, частиц с высокими ЛПЭ не так много, но отбрасывать их нельзя. На любую защиту может прилететь частица, которая ее пройдет и попадет в чувствительную область микросхемы. Вероятность этого события и считается для каждой орбиты. Потом уже определяют, сколько аппаратов из группировки можно потерять, например за год, или за срок службы и сравнивают с требованиями, сколько допустимо потерять...

    а стойкость к дозе, как и говорит zzzzzzzz, сильно влияет на время жизни железа.

  22. Опубликовано · Пожаловаться

    MCP73831 и подобные - стоят копейки, 5 выводов всего. Из плюсов - умеет отключать зарядный ток при полном заряде батареи, а потом опять включать подзаряд при падении напряжения. Фактически, у Вас получится тоже "циклы" заряд-разряд, но не полные, а с каким-то минимальным процентом разряда. Теоретически можно прикинуть срок службы даже в циклах.

    Специальные для буферного режима не встречал. Мне кажется, можно ориентироваться на характеристики хранения - там обычно есть параметры саморазряда, от них и плясать с количеством циклов.

     

  23. Опубликовано · Пожаловаться

    Для заряда, наверное, лучше ставить микросхему специализированную, например MCP73831.

    Хорошо бы еще защищать сам аккумулятор от переразряда - либо взять уже готовый защищенный, либо ставить контроллер самому.

    Как сказывается буферный режим на деградацию емкости аккумулятора - нужно смотреть внимательно документацию на применяемый аккумулятор и сопоставлять с режимом работы. В зависимости от конструкции у них может быть разное назначение - для буфера, для запаса солнечной энергии, для больших токов и т.п.

    Есть сведения что использование литий-иона в режиме неполного заряда (например не до 4,2, а до 4,1 или 4,0 Вольта) увеличивает срок службы аккумулятора.

    Некоторые данные тут http://batteryuniversity.com/learn/article...based_batteries

     

     

     

  24. Опубликовано · Пожаловаться

    "Контрафакт" - неудивительно. Видел неизвестные компоненты с маркировкой от ведущих производителей. Большинство - при покупке в розницу в обычных магазинах.

    К сожалению, способ маркировки не показатель оригинальности. Для ответственных применений контроль происхождения компонента должен начинаться задолго до его покупки в обычном магазине. Несколько обезопасить себя можно покупкой через официальных представителей.

  25. Опубликовано · Пожаловаться

    Почему микросхемы памяти, позиционное обозначение которых по ГОСТ DSxxx зачитали как VDD1, VDD4, VDD5...

    на сегодняшнем "показе" https://russian.rt.com/article/138050 вроде видно что маркировка хитрая- на одной стороне платы BDDx (БДД по-русски произносят) а на другой стороне TDDx. По ходу дела маркировка от слов Bottom и Top по стороне расположения микросхем на плате.

    По перегрузкам - такие микросхемы, по отдельности, легко держат 1000g и более - они мелкие, легкие и им "до лампочки" на такие перегрузки. Мы сами испытали много микросхем, и флешей в таких корпусах в том числе и до ускорений в 5000g. Но!! Здесь следует учитывать места приложения нагрузки. Если действовать "по ГОСТУ", т.е. обеспечивать одновременное приложение нагрузки по всей площади микросхемы - все шоколадно (может быть это и вызвало ошибку разработчиков). Но если приложить ударную нагрузку к одной стороне - например припаять одну сторону выводов к плате и ударить по плате, то, конечно же, корпус рассыпается. Мне кажется, это совсем не учтено в конструкции. Что мешало "зажать" каждую плату между прочными пластинами с ребрами жесткости, например? Тогда бы не было, во первых, такой деформации платы (ну сорвало бы ее с креплений, краешки выкрошились, да и ладно), а во-вторых, ударная нагрузка распределилась бы по всей площади микросхемы, сохранив, хотя-бы, элементы памяти.

    А так, по сути, согласен со многими здесь высказавшимися, конструкция в виде этажерки на стойках совсем не понятна в плане стойкости к ударным воздействиям.

     

×
×
  • Создать...