MSprut

Устройства по схеме 2 у меня нет собранного, а по схеме 1 разница в температуре мосфетов в каждом канале 3-4°С. Измерял термопарой и тестером, чем богаты, как говорится. p-mosfetы греются чуть больше.

А почему мосфет не сгорает в КЗ, а с каким-то сопротивлением остается? Или это особенности производства мосфет? Характер сгорания как-то зависит от того по какой цепи он сгорел, З-И, С-И, встроенный диодили еще как-то?

Все устройство стОит как один драйвер, но все равно спасибо. Все же хочется домучить то что есть, а не кидатся от решения к решению.

Да, между С-И, и часто встречается информация о том что лучше поставить обратный диод внешний. Тут придется неизвестно сколько ждать, может день, а может месяц до сгорания. И схема вроде вполне нормальная получается из всех рассуждений, т.е. стабилитроны в затворах есть, но нужно уровень понизитьдо 15-16В, обратные диоды внутри мосфетов есть, обратные диоды параллельно нагрузке есть. Единственное чего нет во второй схеме, так это ограничения по питанию. И снова мысль возвращается к началу. Диод там есть, его в этом куске схему нет. Номинал С10 - 47мкФх35В

Это если на затворе есть напряжение уже, а если VT5 (сх.2) закрыт, то с истока на затвор, через стабилитрон приходит полное напряжение помехи или что там прийдет. Да наверно даже и открытый VT5 не поможет, затворные диоды подпираются через стабилитрон напряжением с истока и на затворе все равно напряжение завышено получается. В симуляторе сейчас проверил. А еще если напряжение помехи на истоке положительное и больше напряжения бортсети, то напряжение на мосфет становится обратной полярности и открывается встроенный обратный диод. Возможно это он все портит?

Все остается целым кроме одного из мосфетов. Все расположено на одной плате. В схеме 2 действительно трудно сказать откуда подкрадывается, мог и со стока, т.к. параллельно И-С нет ограничителя, а мог и к затвору, т.к. стабилитрон обыкновенный, а не двуханодный.

С каждым ответом все меньше соображаю что делать, схема растет как снежный ком. Первое что приходит это перетрясти топологию платы для схемы 1, т.к. транзисторы горели в схеме 2, где не было выбросов, а следовательно топология была относительно правильной и в нее остается только добавить ограничение напряжения на мосфет и пересмотреть уровни ограничения на затворах, а в схеме 1 потом обвешать все снабберными цепочками, И-С мосфета, затвор, выходные транзисторы драйвера и т.д.

Не уникальный.

Я уже ознакомился раньше. Никого не хочу обидеть, но как по мне, этот ГОСТ только познавательную ценность имеет в моем случае.

В понедельник обязательно все предложенные варианты попробую.

Не уверен, но других все равно нет. Исхожу из того что в одной схеме нет, а в другой есть, а щупы одни и те же.

Где-то читал что сопротивление выравнивающих резисторов должно быть примерно равно сопротивлению открытого канала и их включают для балансировки токов стока. И что их даже ставит не обязательно, потому что разброс в параметрах мосфет очень малы, а раброс в сопротивлении резисторов будет намного больше первого разброса и может быть даже хуже. Вот еще визуализирую описание пиковых выбросов на затворах для схемы 1. Картинка не моя, но выбросы похожы. Свою нечем запечатлеть к сожалению. Пробовал и бусины ставить, не помогло. Удалось немного снизить амплитуду выбросов увеличением затворных резисторов.

Да чтож такое?.. Ну нет там 3-х ниток по 5см. Все транзисторы на своей одной широкой нитке 3см длиной, все в куче практически, хотя... а, ладно, все равно нафантазируете еще что-нибудь. Ну если кроме иронии нечего написать, то так и скажите открытым текстом куда мне идти, я вполне пойму реакцию гуру на мой вопрос. Прошу простить за резкость, если что. В первой схеме такие есть, но не очень быстродействующие, во вторую тоже перекочуют. Еще был разговор про супрессоры, возможно они и будут установлены. Хорошо бы, но 3Вт мощности лишних и места не так много... нужен здоровый компромисс какой-то.

Но 24В подключены относительно общего провода, а не истока и будет 24В-Uнагр, т.е. в худшем случае ~16В при 8В на АКБ. Ну а то что номинал все равно выбран неудачно и нужен сдвоенный стабилитрон согласен. С целью использовать в качестве верхних ключей n-MOSFET, а не p-MOSFET. Пока писал уже ответили за меня:)

Но выходили из строя как раз IRF3205 в верхнем плече (схема2), у которых 110/80А и управление было от 24В.

А не подскажите в корпусе SOD80 или похожем мелком корпусе такие бывают, чтобы легко доставабельные? А то поиск не сильно многословен был, выдал только серии RSB от Rohm? в корпусе SOD-323. Посмотрел, вроде подходит, но купить их негде.

Немного подкорректировал схему в соответствии с советами. Добавил стабилитроны VD14, VD15 в затворы и заменил диоды VD9, VD12 на супрессоры. Только не знаю можно ли стаблитроны включать до затворных резисторов или нужно после резисторов на каждый из затворов по стабилитрону? Если и так можно, то возможно ли заменить стабилитрон VD14 в таком включении на диод, например на 4148?

Возможно не так выразился, имелось в виду расстояние от выходных транзисторов драйвера до затворов, я же не сказал что ограничители стоят в стороне от затворов. Ограничтели расположены максимально близко к затворам, на сколько это возможно.

Стандарты действительно не читал, но знаю что бывает и больше 60В. Супрессор установлен по питанию и расположен в правильном углу, прямо на клеммах питания, если вы о нем. Без "иронических детективов" никак не обойтись?

А диодные растяжки не подходят? Или нужно параллельно mosfet супрессоры ставить вместо диодов? В первой схеме там по питанию супрессор на 18В вроде нарисован, VD13. Да, задумка. Смысл - универсальность. Выходит из строя в бортсети. На столе работает нормально, правда жестоких тестов не устраивал, кроме как искрил проводами при токе 10А. Нагрев транзисторов при нагрузке 120Вт и 100% ШИМ не более 45°С.

Как ни странно дешевле. По крайней мере у нас в лесу.

Добрый день. Помогите, пожалуйста, довести до ума схемы на MOSFET, возможно исправить ошибки. Схемы работают в борт. сети авто. Rload в схемах - лампы накаливания 12В с проводами 2-3м. Нагрузка может быть в 2-х каналах сразу или в одном из каналов. По первой схеме особых вопросов нет, разве что нужны ли подтягивающие затвор резисторы и стабилитроны для защиты З-И от перенапряжения? Еще есть небольшие пиковые выбросы на затворах, порядка 2-3В. Их никак не удается убрать, кроме как уменьшить путем увеличения сопротивления затворных резисторов, но не боле 100Ом, т.к начинают затягиваться фронты или увеличением емкости С9, С10, но увеличивать до бесконечности не дает конструктив. Какие еще более-менее простые меры можно принять для того чтобы избавиться от этих выбросов и увеличить надежность схемы? На полную правильность второй схемы тоже не претендую, т.к. по причине небольшого опыта работы с MOSFET она была честно передрана из какого-то заграничного источника и подкорректирована под свои цели. В частности был добавлен DC-DC на 24В для возможности использования в качестве верхних ключей n-MOSFET. С этой схемой есть одна неприятная проблема. Периодически выходит из строя один из VT11, VT12. Сопротивление И-С становится порядка 10-12Ом и транзистор плавит все вокруг, причем все компоненты в затворных цепях и второй транзистор целые. Один из транзисторов может выйти из строя сразу после включения или проработать неделю, месяц, а потом сгорает. Подскажите, пожалуйста, физику процесса выхода из строя MOSFET в данной схеме и как это можно предотвратить и увеличить надежнось схемы? Схемы собраны на печатных платах, самая большая длина затворных проводников не больше 25мм, ширина 0.5мм. Все компоненты смд, кроме MOSFET. Силовые проводники длиной не более 30мм, шириной 4-5мм. Спасибо всем откликнувшимся.

Возле коннектора на конце кабеля AVRISP MK2 переламываются жилы. Обрежь и переобожми, и будет счастье.

Мышь A4-Tech SWOP-48, 3 кнопки, 1 колесико. Драйвера разные ставил, но что-то мало помогало.

Когда ставишь галочку в чек-боксе "режим совместимости с MS-Intellimouse" в настройках мышки, то начинает работать прокрутка по вертикали как обычно, но зато горизонтальная прокрутка колесиком перестает работать во всех приложениях.