Перейти к содержанию
Поиск
    

xelaukxaxa

Свой
 Профиль  Обзор контента

  • Постов

    639

  • Зарегистрирован

  • Посещение

 Тип контента 

Сообщения, опубликованные xelaukxaxa

  1. Опубликовано · Пожаловаться

    Микрокап 10.0.4 - единственный софт, который не смог понять не тривиальный синтаксис

    PSPICE файла с макромоделью IGBT транзистора (последнего из приведенных мной выше).

    А именно - не смог распознать немного усложненные определения функций. Как-то это озадачивает.

    Все остальные софты делали это легко.

  2. Опубликовано · Пожаловаться

    ну и хорошо, правда мне непонятно как это возможно - в разных ядрах решать численными методами один дифур или систему дифуров. Микрокап такого не могет

    В HSPICE помимо многоядерности есть HPP (HSPICE Precision Parallel) - ooooчень эффективная штука для решения

    как одиночной так и многих задач до 16 ядер параллельно.

    Хотя сейчас все уважаемые компании имеют что-то подобное.

  3. Опубликовано · Пожаловаться

    он пока еще не задействует 2 -4 ядра ( или может я ошибаюсь - версия 6.0 у меня последняя, но есть новее).

    Для transient анализа это пофигу, они все только в одном ядре делаются у популярных спайс симуляторов , а для Performance анализа может быть ускорение, например в Микрокапе 10-м это уже дает результаты.

    Некоторым клиентам, избалованным гибкостью вывода разных графиков в микрокапе с его возможностью использования широкого класса функций постобработки графиков, отсутствие некоторых подобных возможностей будет не хватать в симетриксе. Силовой электроники это мало касается, там на 101% чего надо того и достаточно.

    Про плюсы симетрикса я промолчу - их слишком много (для меня в частности).

    В версии SIMetrix 7.1 поддержка до 16 ядер.

    Бедность постобработки графиков я уже заметил.

    Но как я понимаю здесь есть язык скриптов. Может он поможет с графиками.

    По сравнению с возможностями Cadence IC5141 калькулятором это небо и земля.

    Спасибо за комментарии.

     

    А от SIMPLIS польза есть какая-нибудь?

  5. Опубликовано · Пожаловаться

    Надеюсь знаете. Если будет превышение параметров в схеме для элементов, то LTspice не обругается, а просто выдаст белиберду.

    Да не знаю конечно. Я на LTspice вообще первый раз считал.

    Мои основные симуляторы до сих пор были Spectre и HSPICE (analog IC design).

    Но так как они не дали приемлемых результатов и данной области (CMOS drivers for IGBT transistors),

    то я и ищу алтернативу. Пока нашел только SIMetrix.

  6. Опубликовано · Пожаловаться

    Хуже по времени расчетов или сходимости?

    LTspice не сходится: time step too small для .TRAN в первой же переключательной точке.

    Для второй схемы расчет шел 2 часа пока я его не прервал. Расчет шел, но дальше 75% не продвигался.

    При этом при первом переключении на 15% времени расчета был взбрык до 40КВ при максимальном

    напряжении питания 450В. И, как следстие, результат - полная ахинея.

     

    HSPICE не смог смог сойтись даже в начальной нулевой точке TRAN анализа (Windows версия).

    В других подобных мостовых схемах с IGBT транзисторами HSPICE (Linux версия) даже начинает

    считать, но потом где-то на 1/3 или половине расчета затыкается и начинает

    выдавать несуразные напряжения и токи: гигавольты и килоамперы для схемы

    с максимальным напряжением 450В и 50А. При этом усиленно чего-то считает и продолжает

    расчет до принудительного прерывания.

     

    К слову Spectre в этих случаях просто встает с сообщением о несходимости для TRAN анализа.

    И никакими играми с точностью расчетов (RELTOL,ABSTOL,VNTOL), методами расчета (TRAP, GEAR) или

    способом расчета (conservative, liberal) не удается провести требуемые расчеты.

     

    Именно поэтому наткнувшись на очень хороший результат от SIMetrix, пытаюсь найти его скрытые

    подводные камни перед включением его в стандартный Design Flow для силовой переключательной электроники.

     

    Для информации: для моделирования IGBT использовались LIB файлы от INFINEON-

    IK_GXXXN60T_L2.lib, IXX_N60H3_L2.lib и IFX_IGBTRCD1F_prod.lib.

    Скачаны напрямую с сайта INFINEON.

  7. Опубликовано · Пожаловаться

    Сравнил. Еще хуже чем HSPICE.

    Micro-Cap и PSPICE несколько лучше. Из трех моделей смогли одну просчитать

    в три раза медленней SIMetrix. Пока наилучший результат у SIMetrix.

  9. Опубликовано · Пожаловаться

    Попробовал SIMetrix 5.6 для моделирования моста на IGBT транзисторах.

    До этого моделировал схему в HSPICE с огромными проблемами по сходимости.

    Модели IGBT переводил в HSPICE из PSPICE (INFINION model).

    В SIMetrix моделирование просто летало без проблем в принципе.

    Может у кого есть больше опыта использования SIMetrix и у него есть огромные недостатки?

    Очень прошу поделиться.

    Или порекомендуете другой, более продвинутый симулятор?

  10. Опубликовано · Пожаловаться

    Кстати, Jurenja, вы случайно не знаете нынешний порядок цен на разбор сборки или кристалла

    за полный цикл-получили образец-выдали схему и спецификацию?

     

    Могу предложить услуги по разработке таких чипов в нашей компании.

    Работаем с Тайванем VIS и Китаем CSMC

    http://www.vis.com.tw/visCom/english/c_tech/c_index.jsp - техногогия UHV BCD 0.5UM 5V to 800V

    http://www.csmc.com.cn/csmc-3.aspx - техногогия 1.0µm 5V to 700V BCD.

     

    Стоимость цикла разработки до образцов - от 100K USD.

    Обращайтесь если надумаете.

  13. Опубликовано · Пожаловаться

    Для транзисторов с формой затвора близкой к квадрату/кругу приведенные формулы работают. А как можно поступить в случае вытянутого прямоугольного транзистора?

    Можете посмотреть здесь:

    Modeling of MOS Transistors with Nonrectangular-Gate Geometries TED 1982,

    ну а потом гуглом раскрутить множество других нужных ссылок.

  14. Опубликовано · Пожаловаться

    Все продвинутые фабрики используют для квалификации своего

    технологического процесса JEDEC STANDARD.

    В частности наиболее информативным является JEDEC стандарт

    JP001 FOUNDRY PROCESS QUALIFICATION GUIDELINES (Wafer Fabrication Manufacturing Sites).

    По вашему вопросу смотрите в нем например таблицу 10.3.1 P2ID test requirements, где есть

    Reference procedure, Test parameters, Test structures и так далее.

    Так что всегда начинайте раскручивать вопрос со стандартов.

  15. Опубликовано · Пожаловаться

    Выходной сигнал пьезодатчика не напряжение, а заряд. Усилители заряда (классические, из книжек) имеют нулевое входное сопротивление.

    1. Во-первых не нулевое, а равно сопротивлению в цепи обратной связи, деленное на коэффициент усиления (Ку) ОУ,

    если не учитывать входные токи ОУ.

    2. Во-вторых, по мере увеличения частоты (а интересует диапазон 3...60000кГц), Ку как известно падает.

    Если брать ОУ с частотой единичного усиления 20МГц, то на частоте 60кГц усиление всего около 300.

    При сопротивлении в цепи обратной связи порядка 100МОм, активное входное сопротивление будет порядка 3.3МОм.

    Правда при емкости в цепи обратной связи 1нФ, реактивное входное сопротивление окажется около 10 Ом.

     

    Но меня собственно беспокоит не это, а э.д.с. шумов ОУ, которые на низкой частоте имеют усиление более 40дБ ввиду низкого

    порядка 100кОм выходного сопротивления датчика.

    Реально ли в этом случае иметь приведенный ко входу усилителя шумовой заряд 10фКл во всей полосе?

  16. Опубликовано · Пожаловаться

    Выяснил, что выходное сопротивление может падать

    до нескольких сот или даже единиц кОм

    (Materials for High Temperature Acoustic and Vibration Sensors: A Review 1994).

    А на сколько падает при этом выходное напряжение датчика?

    Может кто сталкивался?

     

  19. Опубликовано · Пожаловаться

    Позволю дать свой совет.

    Если речь идет об исключительно российской разработке,

    выбор исполнителя по отзывам, на мой взгляд, оптимальный вариант.

    Выберете знакомых - кому более менее доверяете, и сопоставляйте.

    На мой взгляд леса рук от наших реальных компаний для подобного проекта у Вас не будет.

    Везение в грамотном выборе исполнителя - признак мастерства.

  20. Опубликовано · Пожаловаться

    Побывал как-то в дизайн центре ON Semiconductor в Бостоне,

    так они вместо Cadence используют Laker для аналогового проектирования.

    Мотивируют ценой и достаточно хорошим качеством Laker.

  21. Опубликовано · Пожаловаться

    Если возможно, залейте пожалуйста следующие библиотеки:

    . . io

    . . . tpz013g3_140c

    . . . . apollo

    . . . . . tpz013g3_140b

    . . . . . . 5lm

    . . . . . . 6lm

    . . . . fb_tpz013g3_140c

    . . . . . tpz013g3_140b_apf4lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_apf5lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_apf6lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_apf7lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_apf8lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_apt4lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_apt5lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_apt6lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_apt7lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_apt8lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_doc.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_docl.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_gds4lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_gds5lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_gds6lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_gds7lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_gds8lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_lpe.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_mdt.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_sdc.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_sdcl.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_sef4lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_sef5lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_sef6lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_sef7lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_sef8lm.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_spi.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_syn.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_synl.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_vit.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_vlg.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140c_rln.tar.gz

    . . . . . tpz013g3_140b_applnote.pdf

     

    Заранее благодарен.

  22. Опубликовано · Пожаловаться

    Вот вычитал, что в менторовской айси стейшн появилась такая фича, как автоматизированное формирование симметричных структур для построения массивов согласованных элементов. А где еще есть такая фича?

     

    У кэденса был Neocell, который еще и разводил симметричные структуры.

    Я его не пробовал, но слышал - некоторым нравится.

  23. Опубликовано · Пожаловаться

    Более или менее типичные параметры по 0.35um HV process

    можно посмотреть здесь:

    http://www.xfab.com/fileadmin/X-FAB/Downlo..._Data_sheet.pdf

    Но вообще HV технологии здорово разнятся в зависимости от требуемой области применения.

    Особые хитрости так-же связаны с областью применения.

  24. Опубликовано · Пожаловаться

    Assura RCX может выводит экстракт паразитных параметров в следующих форматах:

    SPICE, DSPF, Transistor Dspf, Extracted View, LVS Extracted View, SPEF, Transistor Spef, SPECTRE

    МОЖИТЕ СКАЗАТЬ: чем эти форматы отличаются друг от друга и какой формат лучше все подходит

    для моделирования воздействия паразитных параметров в аналоговой схеме?

     

    Форматы SPICE, DSPF, Transistor Dspf, SPEF, Transistor Spef, SPECTRE - это текстовые файлы.

    Форматы Extracted View, LVS Extracted View - это view базы данных библиотеки.

    При этом LVS Extracted View не содержит паразитные RC (точнее RLCK) элементы и используется для LVS.

    Таким образом: для аналогово моделирования с паразитами в ADE environment используют Extracted View.

  25. Опубликовано · Пожаловаться

    Подскажите можно ли результаты экстракта паразитных параметров (Assure RCX extracted View) av_extracted подключить к symbol, что бы промоделировать полученную ячейку в составе тестовой схемы (schematic) в Analog Environment.

     

    Подключать ничего не надо.

    Просто в switch_view_list для AE необходимо прописать av_extracted view перед symbol view.

×
×
  • Создать...