Morgan_94

Добрый день. Прошу помочь разобраться с LoadPull анализом и утилитой Network syntesis. Интересует правильная последовательность действий, как ее вижу я: 1 - открываю шаблон, настраиваю, задаю в вх/вых тюнеры импеданс в cong форме (форма представления рис.1) -> запускаю скрипт анализа -> выбираю только основную выходную рабочую частоту без анализа гармоник -> настройки -> анализ 2 - подгружаю график с PAE и Pload -> выбираю интересующую точку на диаграмме Смита -> правлю тюнер выходного импеданса; 3 - запускаю скрипт анализа -> выбираю только основную входную рабочую частоту без анализа гармоник -> анализ 4 - подгружаю график с PAE и Pload -> выбираю интересующую точку -> правлю тюнер входного импеданса. 5 - запускаю анализ -> смотрю графики Gain, Pout(Pin), PAE и вижу, например, что КПД(PAE) и близко по значениям не подходит к значениям полученным на графиках выше (п.2,4), далее смотрю VSWR, а там также далеко до идеала, значения получаются в диапазоне 3 - 4. По network syntesis: 1 - задаю во вкладке Goals поиск точки по PAE и Pload из LoadPull данных, получаю цепь согласования и далее проверяю ее через отдельный лист схематика добавляя ZFREQ, прописывая повторно точку из графика LoadPull. Затем смотрю VSWR, который имеет огромные значения ->делаю вывод, что цепь спроектирована неправильно. Рис 2 - 4. Настройки Network Synt. На втором рисунке так и не понял почему не хочет прописываться цель в 14 dbm. Рис 1.

Добрый день, прошу помочь правильно рассчитать transducer gain по s параметрам. Думаю, что я просто неправильно загружаю значения, нужно загрузить нормализованный импеданс в комплексной форме. Грузит же коэффициент отражения. S-параметры прикрепил, они прописаны в форме dbMagnitude/angle(?). GtMax должен быть около 17, расчет дает 60. Тему только изучаю, прошу сильно не тыкать и помочь). TGA2227_VD08_VC02_125ma_25C (1).s2p

Последовательность включения будет соблюдена, в линии истока GAN будет mosfet, который откроется с задержкой после того как будет подано отрицательное напряжение на ОУ Х3. Я посчитал, что это вопрос к этой теме не относиться и не стал это расписывать.

У меня нет структурной схемы. Задача: сделать схему обратной связи для GAN транзистора, но не под конкретную модель, а условно универсальную. Коллеги делали схему на двух дифференциально включенных ОУ. Первый ОУ работал аналогично моей схеме, второй ОУ включался по дифференциальной схеме, на один вывод подавалось напряжение с DAC контролера (положительное), на второй выход приходило напряжение с первого ОУ. Их разность умножалась на коэффициент обвеса второго ОУ и полученное выходное напряжение подавалось через повторитель на затвор GAN транзистора. Первый минус это схемы был в том, что подавая высокое напряжение с DAC на второй ОУ ( выше 1 В) можно было легко получить на затворе GAN положительное напряжение. Второй минус - это то, что резисторы ОУ нужно пересчитывать под каждый конкретный GAN транзистор. Я удаляю после первого ОУ постоянную составляющую, затем умножаю в не инвертируемом усилителе амплитуду переменного сигнала (добавление потенциометра позволит мне регулировать ОУ и даст возможность применять эту схему в разных GAN). А затем в третьем ОУ я снова подаю постоянную отрицательную составляющую. Такая схема должна помочь избавится от неопределённостей описанных выше. Ну и на выходе схемы хотел добавить ограничитель напряжения , чтобы точно не получить белый дым в GAN транзисторе. https://www.qorvo.com/products/p/QPA2213 например. Понимаю, что не всегда получается корректно донести свои мысли, мои извинения за то, что нагружаю.

Пока откинул ограничитель на ОУ с диодом, не получается добиться стабильной работы, R319 при разных напряжениях уменьшает/увеличивает амплитуду переменки, а без него ограничитель не работает. Поставил rail to rail. Беспокоит только, то, что в момент ограничения ОУ будет в насыщение и может выдать побочные продукты в спектр RF транзистора. Как считаете? Я выбрал ОУ с минимальным напряжением смещения. Я просто хочу к постоянному отрицательному напряжению смещения, подмешивать только функцию переменного напряжения, а не переменное + постоянное напряжение (получаемое на первом ОУ). Так, как мне показалось, будет информативнее при регулировке. Или я не правильно понял вашу мысль?. Запуск RF транзистора тоже будет поэтапным, напряжение истока будет подаваться в самый последний момент.

Уважаемые форумчане прошу вас помочь разобраться, как правильно подключить ограничитель напряжения. Собрал такую схему в Microcap (проект прикрепил): Первый ОУ (Х1) снимает напряжение с токового резистора и усиливает его в пять раз -> С3 отсекает постоянную составляющую -> не инвертированный усилитель на ОУ (Х2) усиливает переменный сигнал в N - раз (поставлю потенциометр, чтобы регулировать глубину связи) -> на положительный вход ОУ Х3 подается отрицательный уровень смещения для RF транзистора, на второй ход подается сигнал с X2. В итоге на выходе Х3 получаем: Растет ток в истоке RF транзистора -> увеличивается падение напряжения на токовом резисторе -> уменьшается отрицательное напряжение затвора транзистора -> уменьшается ток истока. Далее на Х4 пытаюсь поставить ограничитель отрицательного напряжения на ОУ (как это должно работать): Напряжение ограничение задается на положительном входе Х4. Цель, чтобы при регулировке не выйти из диапазона рабочего напряжения смещения и не получить белый дым. Проблемы возникают в этом узле схемы. 1 - ослабление глубины связи при уменьшении напряжения смещения: Выход Х3: 2 - выбросы напряжения в первый момент времени в область положительных значений, когда работает ограничитель напряжения. Проблема не всегда выскакивает при анализе во временной области. Хотелось бы получить стабильную работу схемы при подаче напряжения смещения Х3 от -3 до 0 В при различных напряжениях ограничения Х4. Конденсаторами схему пока не обвешивал. Буферный каскад перед ограничителем напряжения не помог. Bias_new_cir.inx Bias_new.cir Bias_new.TNO

Вам нужно чтобы проинтегрированная выходная мощность сигнала в спектре была ниже P1db конечного усилителя на значение пик фактора. Так как у вас есть запас по суммарному усилению от 10 до 15 дБм над точкой P1db , но при этом вам нужен отступ в 10 дБм от точки P1db для пик-фактора, то возможно вам вообще не нужен выходной каскад усиления, например, если у вас там стоит какой-нибудь чип с КУ 20 дБ. Оценивать по OIP3 усилительных устройств.

По пунктам 1 и 4 вопросы снимаю, разобрался. По второму вопросу затык. Waveport получается подцепить только в режиме Terminal, а в этом режиме symetry не активен.

Добрый день. Прошу подсказать, как правильно выполнить симметрию в объекте. Хочу разделить для ускорения расчетов эрзац-рупор на 4 части. Symetry_ex.aedt

Добрый вечер! Прощу помочь разобраться, как сделать отображение всего частотного спектра на выходном порте. Conv1.emp

В проектах пока простые коаксиалы стоят. Что касается 32K10A-40ML5 Rosenberger собрал по даташиту на будущее. Работал со схематиком разок давно, посчитал, что быстрее так , чем там ковыряться.

Добрый день. Проектирую offset stripline делитель Wilkinson-а и Hybrid Coupler. В обоих случаях вместо резистора (нагрузки для гибрида, для вилкинсона в качестве изолятора) подключаю файл c s-параметрами аттенюатора Gat 30+ Mini-Circuits. Cоотвественно, в обоих случаях, я делаю переход от stripline к CPWG для возможности выполнения поверхностного монтажа аттенюатора. Возникает вопрос в правильности включения s-параметров аттенюатора. Для получения подходящих выходных данных terminal solution в варианте с гибридом центральная проводящая область между двумя портами шунтируется переходом на землю: В случае с Wilkinson шунтирование переходом на землю наоборот все ломает, а без него все работает. Вопрос в правильности шунтирования/не шунтирования, как правильно включать s-параметры.? Проекты прикрепил. Cпасибо. Stripline Hybrid.aedt Wilkinson.aedt

Спасибо, теперь стало понятней. Хм, прошу простить , что криво нарисовал и ввел в заблуждение, естественно согласен с вами.

Прошу посмотреть проект, правильно ли я имитировал циркулятор в проекте HFSS. А как по вашему мнению возвратный ток попадает с RF ground на Drop циркулятор? Прям с торца платы сразу на корпус циркулятора? Circ.aedt Circ.s2p

Добрый день. Прошу подсказать как cимитировать в HFSS Drop in вентиль в плате. Первый момент: Ширина моего микрополоска 50 Ом 0,65 мм, ширина вывода вентиля 0,8 мм. Хотелось бы понимать какое рассогласование это вносит, что можно предпринять. Второй момент: Моя плата многослойная. RF Ground микрополоска внутри стека. Из-за разрыва в плате под вентиль возвратный ВЧ ток проложит путь на проводящую подложку через ближайшие via?. Правильно ли будет разместить via как на скрине. Возможно я не понятно изложил свои мысли. Стрелочками попытался показать возвратный ВЧ ток в моем представлении.