[SolderMan 0]

Привет всем,

 

я развожу плату с EP3C25Q240 и хотел бы узнать Вашк мнение.

На плате так же будет 133MHz SDRAM. Пока развожу питание, так как на двухсторонней плате развести все 3 питание достаточно сложно. То, что у меня получилось, я выкладываю сдесь. Есть несколько моментов:

• для питания PLL 2.5В будут реализованы с помошью LT1117, который будет находиться прямо под циклоном в центре
• так же под циклоном будет по паре танталовых электролитов по 10мкф для 1.2В и 3.3В
• каждая нога питания получает керамический кондёр на 100нф

Как Вы думаете, насколько удачен такой подход? И что можно было бы доработать?

 

Заранее спасибо

Дима

[Petr_I 0]

Думаю нормально будет. Делали аналогичным образом на циклоне EP3C5 - работало.

Только микросхему питания под ПЛИС я бы не размещал, они в совокупности могут сильно греться, особенно если питать вольт от 12.

Короче прикиньте мощность рассеивания.

 

 

[Pathfinder 0]

SolderMan, не проверяли ваш проект на предмет целевого импеданса питания в PDN Design Tool от Альтеры?

[Serhiy_UA 1]

Как Вы думаете, насколько удачен такой подход? И что можно было бы доработать?

Интересная топология, для некоторых приложений в самый раз.. Я, правда, сделал 4-х слойку, но там много аналоговых схем, АЦП, ЦАП и прочее.

 

По части 2.5В, использовал линейный стабилизатор LP2985IM5-2.5 (или TPS76425DBVT), на входе 3.3В. Корпус SOT-23-5, рекомендую...

[dinam 1]

Подобную топологию здесь уже выкладывал SM много лет назад :) . Я сам её применяю на двухслойках для Cyclone II. LDO у меня LP3985IM5-2.5, он подешевле и характеристики имеет получше, чем LP2985IM5-2.5.

[ARMik 0]

Только микросхему питания под ПЛИС я бы не размещал, они в совокупности могут сильно греться, особенно если питать вольт от 12.

Короче прикиньте мощность рассеивания.

Автор стабилизатор от 3.3В запитывает

[ViKo 1]

А ну как сгорит стабилизатор под ПЛИС? Бросьте эти чудачества. С обратной стороны поставьте, например.

[vicnic 0]

А ну как сгорит стабилизатор под ПЛИС? Бросьте эти чудачества. С обратной стороны поставьте, например.

Так микросхема стабилизатора и так стоит с обратной стороны.

:rolleyes:

[ViKo 1]

Так микросхема стабилизатора и так стоит с обратной стороны.

Виноват. :laughing:

Я размещал полигоны питания с обеих сторон платы под микросхемой, а земля была на нижнем слое вокруг ПЛИС.

upd. Кстати, если в середине ничего нет, то почему бы это пространство не заполнить, полигоном питания? Или земляным, и соединить его переходными отверстиями с другой стороной, для отвода тепла.

[ilovexilinx 0]

Может вместо толстой дорожки 1.2В залить полигон?

И дорожики по питанию 3.3В и 2.5В от "колец" до конденсаторов сделать потоньше?

[Uree 1]

И дорожики по питанию 3.3В и 2.5В от "колец" до конденсаторов сделать потоньше?

 

А каков сакральный смысл? Везде стараемся делать питания как можно шире, а тут вдруг потоньше... Хочу услышать обоснование такого мнения.

[ViKo 1]

Хочу услышать обоснование такого мнения.

Не может быть обоснования этому мнению. :)

[Uree 1]

На самом деле может. Довольно интересное и редко применяемое:)

Сужение трассы увеличивает ее индуктивность и сопротивление, приближая по свойствам к Ferrite Bead. И в принципе, если правильно подобрать параметры, то в некоторых случаях можно сделать весьма правильное питание:)

Но я видел и применял такие решения в питаниях RF-схем, когда прямо пишут о недопустимостиего реализации в виде плэйна, а только трасса определенной ширины/длины/на слое. Вот только это на частотах около и выше 1ГГц и входные цепи(чипы) для DOCSIS/DVB-x/MoCA.

В остальных случаях аргументы придумать трудно...

[ViKo 1]

Я тоже задумывался над таким решением, но не для ПЛИС. После индуктивности нужно поставить конденсатор на землю. Иначе любой скачок потребления тока приведет к скачку напряжения на этой индуктивности. На питании появляются провалы. Улучшает ли это помехоустойчивость внутри микросхемы?

Одна нога на другую так, вроде, меньше влияют. И от внешних помех. Зато внутренние проявляются. Примерно, так.

[avesat 0]

...

Но я видел и применял такие решения в питаниях RF-схем, когда прямо пишут о недопустимостиего реализации в виде плэйна, а только трасса определенной ширины/длины/на слое. Вот только это на частотах около и выше 1ГГц и входные цепи(чипы) для DOCSIS/DVB-x/MoCA.

В остальных случаях аргументы придумать трудно...

 

Интересно почитать, выложите доку если не трудно.