Sergey_VV 0 13 августа, 2017 Опубликовано 13 августа, 2017 · Жалоба Очень хочется самому разобраться с моделированием в TCAD, но поскольку накатывает срочность, возможно, целесообразно ускорить некоторые этапы этого процесса. Задача по моделированию. Материал - кремний. Моделируемый прибор - простой планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор. По описанию последовательности технологических процессов (тип вводимой примеси, сопротивление слоя, доза и энергия ионной имплантации, температуры и среды разгонки, необходимо смоделировать прибор в 1D и 3D вариантах. Построить график распределения диффундирующих примесей по глубине (простейший 1D вариант), а затем эти же распределения реализовать в 3D структуре с простой топологией, после чего построить вольт-амперные характеристики прибора (в т.ч. пробивные всех p-n переходов, коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером). Если опытный пользователь TCAD согласится принять участие в проекте, об остальном договоримся. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Sergey_VV 0 16 августа, 2017 Опубликовано 16 августа, 2017 (изменено) · Жалоба Очень хочется самому разобраться с моделированием в TCAD, но поскольку накатывает срочность, возможно, целесообразно ускорить некоторые этапы этого процесса. Задача по моделированию. Материал - кремний. Моделируемый прибор - простой планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор. По описанию последовательности технологических процессов (тип вводимой примеси, сопротивление слоя, доза и энергия ионной имплантации, температуры и среды разгонки, необходимо смоделировать прибор в 1D и 3D вариантах. Построить график распределения диффундирующих примесей по глубине (простейший 1D вариант), а затем эти же распределения реализовать в 3D структуре с простой топологией, после чего построить вольт-амперные характеристики прибора (в т.ч. пробивные всех p-n переходов, коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером). Если опытный пользователь TCAD согласится принять участие в проекте, об остальном договоримся. Или кто подскажет, как запустить в действие TCAD, если я только что скачал «Sentaurus TCAD 2012 SP2 G-2012.06 SP2 на VMWare» и новая«VMWare»? С чего начать, кто посоветует? О только что скачанной версии читаем после распаковки в readme: RedHat Linux Enterprise Linux 5 Update 5 x86 root/123456 Created via VMWare Workstation 7.1.2 Label: rh5u5_x86_gold_v1 Всего 10 Гб. То же самое содержится в readme версии, скачанной несколько лет назад ============================== А также есть новая виртуальная машина VMware: VMware Workstation v10.0.1 Build 1379776 Final Eng_Rus Как это всё запустить в работу? Изменено 16 августа, 2017 пользователем Sergey_VV Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
baumanets 13 26 сентября, 2017 Опубликовано 26 сентября, 2017 · Жалоба Если работа для студента - ещё ничего. Но если для завода - надо калибровать процесс. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться