nikolascha 0 29 июля, 2010 Опубликовано 29 июля, 2010 · Жалоба Вот странички из книги с выводом формулы и примером использования... 1.ZIP Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Ed2000 1 11 декабря, 2010 Опубликовано 11 декабря, 2010 · Жалоба Ищу материалы по МОП-транзисторам с кольцевыми затворами: книги, статьи, правила проектирования, расчёт и т.д. желательно проектные нормы >1мкм Если вопрос актуален советую поискать на сайте ЦЕРН (CERN, www.cern.ch). Там есть база данных называется кажется "indico". В ней по фамилии Anneli ищите радиационно-стойкие транзисторы. Кажется они делали parametric cells для Cadence design kit под КМОП технологию IBM 0,13 или 0,18. Там же было какое-то описание с картинками и соответствующие формулы. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
nikolascha 0 12 декабря, 2010 Опубликовано 12 декабря, 2010 · Жалоба Если вопрос актуален советую поискать на сайте ЦЕРН (CERN, www.cern.ch). Там есть база данных называется кажется "indico". В ней по фамилии Anneli ищите радиационно-стойкие транзисторы. Кажется они делали parametric cells для Cadence design kit под КМОП технологию IBM 0,13 или 0,18. Там же было какое-то описание с картинками и соответствующие формулы. Как-то вы сложно описали способ доступа к информации, только "посвященные" найдут... А более прямых путей у вас нет? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
monitor7 0 12 декабря, 2010 Опубликовано 12 декабря, 2010 · Жалоба ... способ доступа к информации, только "посвященные" найдут. Достаточно гугла:-) h ttp://cdsweb.cern.ch/record/734132/files/...6.pdf?version=1 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
nikolascha 0 15 апреля, 2011 Опубликовано 15 апреля, 2011 · Жалоба Наткнулся в книжке Christian C. E., Eric A. V. Charge-Based MOS Transistor Modeling: The EKV Model for Low-Power and RF IC Design - 2006 - 328 c. на главу "4.6.4 Geometrical Effects" (стр. 53), в которой рассматривают уход тока стока от модуляции длинны канала кольцевого транзистора. Так вот, я так понимаю, что ток стока в кольцевом транзисторе будет иметь меньшую зависимость от напряжения сток-исток, причем эта зависимость в прямом и обратном включении будет разной. Интересный момент для размышлений, как мне кажется... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Losik 1 16 апреля, 2011 Опубликовано 16 апреля, 2011 · Жалоба >>Интересный момент для размышлений, как мне кажется... теоретических размышлений, для практики информация малополезная. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Poluektovich 0 20 декабря, 2012 Опубликовано 20 декабря, 2012 · Жалоба Для транзисторов с формой затвора близкой к квадрату/кругу приведенные формулы работают. А как можно поступить в случае вытянутого прямоугольного транзистора? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Poluektovich 0 20 декабря, 2012 Опубликовано 20 декабря, 2012 · Жалоба Для транзисторов с формой затвора близкой к квадрату/кругу приведенные формулы работают. А как можно поступить в случае вытянутого прямоугольного транзистора? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
xelaukxaxa 0 17 января, 2013 Опубликовано 17 января, 2013 · Жалоба Для транзисторов с формой затвора близкой к квадрату/кругу приведенные формулы работают. А как можно поступить в случае вытянутого прямоугольного транзистора? Можете посмотреть здесь: Modeling of MOS Transistors with Nonrectangular-Gate Geometries TED 1982, ну а потом гуглом раскрутить множество других нужных ссылок. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Poluektovich 0 24 января, 2013 Опубликовано 24 января, 2013 · Жалоба Спасибо. Интересная статья. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Jurenja 1 6 сентября, 2013 Опубликовано 6 сентября, 2013 · Жалоба С корректной экстракцией размеров (L и W) у таких транзисторов обычно проблемы. Популярные тулы хорошо работают только на линейных лэйаутах. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
amartology 0 16 сентября, 2013 Опубликовано 16 сентября, 2013 · Жалоба С корректной экстракцией размеров (L и W) у таких транзисторов обычно проблемы. Популярные тулы хорошо работают только на линейных лэйаутах. Почти всегда проще посчитать все руками и передать параметры в экстрагированный нетлист, чем мучиться с экстракцией через стандартные тулы. Это не говоря уже о том, что из-за изменения длины канала на перегибах транзистор с посчитанными эффективной длиной и шириной будет вести себя не совсем так, как аналогичный линейный. Для цифровых схем разница скорее всего невелика, а с аналоговыми могут быть проблемы. P.S. А еще есть крутая опция не пользоваться кольцевыми транзисторами Кроме приложений, которыми занимаются в ЦЕРНе Anelli и компания, они ни для чего не нужны. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Jurenja 1 18 сентября, 2013 Опубликовано 18 сентября, 2013 · Жалоба P.S. А еще есть крутая опция не пользоваться кольцевыми транзисторами Кроме приложений, которыми занимаются в ЦЕРНе Anelli и компания, они ни для чего не нужны.Бывают еще заказчики в погонах и большинство доступных технологий их не удовлетворяют, а если и удовлетворяют то в недостаточной степени. Вот и приходится... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться