Перейти к содержанию
    

Как предотвращается пробой транзисторов в конечных каскадах усилитей мощности?

В параметрах транзисторов есть предельно допустимое напряжение эмиттер-база. В мощных ВЧ/СВЧ транзисторах это напряжение несколько вольт.
Как в усилителях мощности класса В,С предотвращается превышение этого параметра во время отрицательной полуволны, т.е. когда от предыдущего каскада подается запирающее напряжение?

 

 

Изменено пользователем _alex__

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Каскад с общей базой? Что стоит в цепи постоянного тока база-эмиттер?

Изменено пользователем Boriskae

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

On 11/2/2021 at 11:55 AM, Boriskae said:

Каскад с общей базой? Что стоит в цепи постоянного тока база-эмиттер?

 

Меня ни конкретная схема интересует, а вообще. Нужно ли как-то ограничивать обратное напряжение БЭ(напряжение запирающей полуволны) транзисторов в схемах с отсечкой?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Никогда не встречал подобного ограничения. Вероятно, обратное напряжение эмиттер-база согласуется (с запасом) с нормой на выходную мощность и коэффициент передачи.

По-любому можно попробовать в каком-либо симуляторе посмотреть соотношение положительных и отрицательных полуволн входного напряжения при питании от предоконечного каскада класса А.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

On 11/4/2021 at 7:17 PM, _alex__ said:

Меня ни конкретная схема интересует, а вообще. Нужно ли как-то ограничивать обратное напряжение БЭ(напряжение запирающей полуволны) транзисторов в схемах с отсечкой?

Опыт показал, что надо, в некоторых каскадах пришлось убрать смещение эмиттер-база, чтобы избегать пробоя. Причём пробой может не только выжигать транзистор, а например создавать автогенерацию.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

On 11/6/2021 at 11:37 AM, Boriskae said:

Опыт показал, что надо, в некоторых каскадах пришлось убрать смещение эмиттер-база, чтобы избегать пробоя. Причём пробой может не только выжигать транзистор, а например создавать автогенерацию.

А диоды используются? К примеру параллельно БЭ включить, что б шунтировать отрицательную полуволну.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

On 11/9/2021 at 12:06 AM, _alex__ said:

А диоды используются? К примеру параллельно БЭ включить, что б шунтировать отрицательную полуволну.

Не пробовали, это надо диод тогда в структуру кристалла вписывать.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

На каждом транзисторе чаще всего стоит:
1. Генераторный.
2. Усилительный
3. Класс усиления А, АB.. и т.д.
Приводится схема в которой меряли параметры на 1-2 частоты. Там тоже стоит режим работы.
Рнилерс он же NXP тот же, на все транзисторы всё указывает.
Моторолла она же Freescale тоже на всё указывает.
Видимо это и будет задавать диапазон параметров.
Транзисторы припаивают к теплоотводу.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете написать сейчас и зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, авторизуйтесь, чтобы опубликовать от имени своего аккаунта.

Гость
Ответить в этой теме...

×   Вставлено с форматированием.   Вставить как обычный текст

  Разрешено использовать не более 75 эмодзи.

×   Ваша ссылка была автоматически встроена.   Отображать как обычную ссылку

×   Ваш предыдущий контент был восстановлен.   Очистить редактор

×   Вы не можете вставлять изображения напрямую. Загружайте или вставляйте изображения по ссылке.

×
×
  • Создать...