_alex__ 0 30 октября, 2021 Опубликовано 30 октября, 2021 (изменено) · Жалоба В параметрах транзисторов есть предельно допустимое напряжение эмиттер-база. В мощных ВЧ/СВЧ транзисторах это напряжение несколько вольт. Как в усилителях мощности класса В,С предотвращается превышение этого параметра во время отрицательной полуволны, т.е. когда от предыдущего каскада подается запирающее напряжение? Изменено 30 октября, 2021 пользователем _alex__ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Boriskae 1 2 ноября, 2021 Опубликовано 2 ноября, 2021 (изменено) · Жалоба Каскад с общей базой? Что стоит в цепи постоянного тока база-эмиттер? Изменено 2 ноября, 2021 пользователем Boriskae Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
_alex__ 0 4 ноября, 2021 Опубликовано 4 ноября, 2021 · Жалоба On 11/2/2021 at 11:55 AM, Boriskae said: Каскад с общей базой? Что стоит в цепи постоянного тока база-эмиттер? Меня ни конкретная схема интересует, а вообще. Нужно ли как-то ограничивать обратное напряжение БЭ(напряжение запирающей полуволны) транзисторов в схемах с отсечкой? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
V_G 8 4 ноября, 2021 Опубликовано 4 ноября, 2021 · Жалоба Никогда не встречал подобного ограничения. Вероятно, обратное напряжение эмиттер-база согласуется (с запасом) с нормой на выходную мощность и коэффициент передачи. По-любому можно попробовать в каком-либо симуляторе посмотреть соотношение положительных и отрицательных полуволн входного напряжения при питании от предоконечного каскада класса А. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Boriskae 1 6 ноября, 2021 Опубликовано 6 ноября, 2021 · Жалоба On 11/4/2021 at 7:17 PM, _alex__ said: Меня ни конкретная схема интересует, а вообще. Нужно ли как-то ограничивать обратное напряжение БЭ(напряжение запирающей полуволны) транзисторов в схемах с отсечкой? Опыт показал, что надо, в некоторых каскадах пришлось убрать смещение эмиттер-база, чтобы избегать пробоя. Причём пробой может не только выжигать транзистор, а например создавать автогенерацию. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
_alex__ 0 8 ноября, 2021 Опубликовано 8 ноября, 2021 · Жалоба On 11/6/2021 at 11:37 AM, Boriskae said: Опыт показал, что надо, в некоторых каскадах пришлось убрать смещение эмиттер-база, чтобы избегать пробоя. Причём пробой может не только выжигать транзистор, а например создавать автогенерацию. А диоды используются? К примеру параллельно БЭ включить, что б шунтировать отрицательную полуволну. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Boriskae 1 15 ноября, 2021 Опубликовано 15 ноября, 2021 · Жалоба On 11/9/2021 at 12:06 AM, _alex__ said: А диоды используются? К примеру параллельно БЭ включить, что б шунтировать отрицательную полуволну. Не пробовали, это надо диод тогда в структуру кристалла вписывать. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Hitokiri111 0 16 ноября, 2021 Опубликовано 16 ноября, 2021 · Жалоба На каждом транзисторе чаще всего стоит: 1. Генераторный. 2. Усилительный 3. Класс усиления А, АB.. и т.д. Приводится схема в которой меряли параметры на 1-2 частоты. Там тоже стоит режим работы. Рнилерс он же NXP тот же, на все транзисторы всё указывает. Моторолла она же Freescale тоже на всё указывает. Видимо это и будет задавать диапазон параметров. Транзисторы припаивают к теплоотводу. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться