byRAM 24 24 марта, 2021 Опубликовано 24 марта, 2021 · Жалоба Интересно, а существуют ли SiGe диоды Шоттки с германиевым металло-полупроводниковым переходом и кремниевой пластиной? Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ded2016 4 25 марта, 2021 Опубликовано 25 марта, 2021 · Жалоба 15 hours ago, byRAM said: Интересно, а существуют ли SiGe диоды Шоттки с германиевым металло-полупроводниковым переходом и кремниевой пластиной? Что-то мне кажется, что сейчас вообще германий не используют для новых приборов. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
byRAM 24 25 марта, 2021 Опубликовано 25 марта, 2021 (изменено) · Жалоба 23 минуты назад, ded2016 сказал: Что-то мне кажется, что сейчас вообще германий не используют для новых приборов. Нарыл какие-то НИОКРЫ США по этой теме. Результаты говорят о том, что промышленное применение такие диоды если найдут, то только в радиоэлектронике, но не в силовой электронике. А SiGe - всё ещё живая и востребованная технология. Изменено 25 марта, 2021 пользователем byRAM Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ded2016 4 25 марта, 2021 Опубликовано 25 марта, 2021 · Жалоба 4 hours ago, byRAM said: применение такие диоды если найдут, то только в радиоэлектронике, но не GaN - тоже вроде начали СВЧ разрабатывать, не сразу получилось и решили они для начала силу попробовать... А вообще то Германий не плохо изучен - у него в отличии от кремния и разбросы большие получаются и наклоны характеристик пологие - как следствие не очень хороши и не очень повторяемые, поэтому кремний и вытеснил Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
wim 6 25 марта, 2021 Опубликовано 25 марта, 2021 · Жалоба Я уже несколько лет вместо Шоттки использую FERD - изобретение наших, работающих за бугром. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
byRAM 24 25 марта, 2021 Опубликовано 25 марта, 2021 · Жалоба 23 минуты назад, wim сказал: Я уже несколько лет вместо Шоттки использую FERD - изобретение наших, работающих за бугром. Очень интересное решение! Спасибо, буду изучать, не знал о таких. Пока поставлю PDS1045, они есть на складе и идеально устанавливаются вместо Si7137. ds30539.pdf Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ded2016 4 25 марта, 2021 Опубликовано 25 марта, 2021 (изменено) · Жалоба 4 hours ago, wim said: Я уже несколько лет вместо Шоттки использую FERD - изобретение наших, работающих за бугром. Я много раз смотрел в сторону этих диодов, но не впечатляют они меня. В приведенной вами статье они сравниваются с какими то плохими Шоттками. У того же 2ДШ680АС9, с которого начинался данный топик 0,48 В на 40А (20А на один) - во всем рабочем диапазоне температур (на минусах раза в 2 выше правда), 30В обратного напряжения и 4 мА обратный ток. - т.е. делает эти Field Effect Rectifier Diodes по всем сравниваемым параметрам. Кстати, наши Шоттки очень даже не плохие именно по прямому падению, автору стоит посмотреть разные, разных производителей. Для разных токов у разных заводов есть лидеры по прямому падению. Тоже в свое время была тема, для которой важно было именно падение. Изменено 25 марта, 2021 пользователем ded2016 Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
ded2016 4 25 марта, 2021 Опубликовано 25 марта, 2021 (изменено) · Жалоба 4 hours ago, byRAM said: Пока поставлю PDS1045, они есть на складе и идеально устанавливаются вместо Si7137. ds30539.pdf 427.21 kB · 10 downloads А мне кажется, что именно по прямому падению на 5А, выбранный вами ранее 2ДШ680 лучше Сами сравните. Изменено 25 марта, 2021 пользователем ded2016 Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
byRAM 24 26 марта, 2021 Опубликовано 26 марта, 2021 · Жалоба 12 часов назад, ded2016 сказал: А мне кажется, что именно по прямому падению на 5А, выбранный вами ранее 2ДШ680 лучше Да, так и есть, он же 20-Амперный, а этот - 10-Амперный. Но его корпус плохо лёг на текущую трассировку полигонов, созданную для MOSFETов. А этих можно по 2 штуки поставить на каждый канал, чтобы уменьшить падение. 2ДШ680 придётся монтировать либо вверх тормашками, приклеив на свободном участке ПП, либо с доработкой топологии, если она возможна в принципе. Кроме того, Вы не учитываете второй критерий - диапазон изменения прямого напряжения от температуры. У 2ДШ680АС9 он составляет почти 0,2В в диапазоне температур -60...+60 на 5 А. У PDS1045 он примерно такой же на 5 А, но уже в диапазоне -65...+85 градусов Цельсия. Если оценить для моего диапазона -40...+70 да ещё с учётом возможности разделения тока между 2 диодами, то по этому критерию выбора явное преимущество у PDS1045. Я оценил этот диапазон не более 0,15 В, что вполне приемлемо для для максимальной нестабильности напряжения питания. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
byRAM 24 29 июня, 2021 Опубликовано 29 июня, 2021 · Жалоба Да, практические работы со схемой подтвердили, что моё последнее решение обеспечивает необходимую стабильность питания. Решение надёжное, а потери не такие ужасные, учитывая тот факт, что большую часть времени схема работает при температурах выше НКУ. Рекомендую на напряжениях 12 В и выше именно такую развязку, а не сомнительные схемы на контроллерах и полевиках. Всем спасибо, обсуждать больше нЕчего. Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться