terraelectronica 0 6 сентября, 2019 Опубликовано 6 сентября, 2019 (изменено) · Жалоба Силовые GaN-транзисторы, входящие в состав семейства LMG3410x, часто называются транзисторами с повышенной подвижностью электронов. Скорость переключений этих транзисторов очень высока и может задаваться в диапазоне от 30 В до 100 В/ нс при рабочих напряжениях 380 В...480 В. При таких скоростях переключений разработчики должны уделять повышенное внимание компоновке и трассировке печатной платы. Это связано с тем, что паразитные индуктивности и емкости способны приводить к существенному снижению эффективности или даже к катастрофическим отказам устройства. При попытке выжать максимум мощности из GaN-ключей также могут возникнуть проблемы с перегревом и дальнейшей деградацией транзисторов. В статье рассматриваются вопросы компоновки и трассировки печатной платы, обсуждается выбор компонентов силовой схемы, даются советы по построению системы отвода тепла. Предлагаемые рекомендации позволят избежать озвученных проблем и не допустить снижения эффективности.Читать далее >> Изменено 6 сентября, 2019 пользователем terraelectronica Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
