Jump to content

    
Sign in to follow this  
terraelectronica

Создание высоковольтного полумоста на базе GaN-микросхем LMG3410x

Recommended Posts

Силовые GaN-транзисторы, входящие в состав семейства LMG3410x, часто называются транзисторами с повышенной подвижностью электронов. Скорость переключений этих транзисторов очень высока и может задаваться в диапазоне от 30 В до 100 В/ нс при рабочих напряжениях 380 В...480 В. При таких скоростях переключений разработчики должны уделять повышенное внимание компоновке и трассировке печатной платы. Это связано с тем, что паразитные индуктивности и емкости способны приводить к существенному снижению эффективности или даже к катастрофическим отказам устройства. При попытке выжать максимум мощности из GaN-ключей также могут возникнуть проблемы с перегревом и дальнейшей деградацией транзисторов. В статье рассматриваются вопросы компоновки и трассировки печатной платы, обсуждается выбор компонентов силовой схемы, даются советы по построению системы отвода тепла. Предлагаемые рекомендации позволят избежать озвученных проблем и не допустить снижения эффективности.

Читать далее >> 
 

LMG3410EVM-018.png (24 KB)
Edited by terraelectronica

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this