Jump to content

    

Создание высоковольтного полумоста на базе GaN-микросхем LMG3410x

Силовые GaN-транзисторы, входящие в состав семейства LMG3410x, часто называются транзисторами с повышенной подвижностью электронов. Скорость переключений этих транзисторов очень высока и может задаваться в диапазоне от 30 В до 100 В/ нс при рабочих напряжениях 380 В...480 В. При таких скоростях переключений разработчики должны уделять повышенное внимание компоновке и трассировке печатной платы. Это связано с тем, что паразитные индуктивности и емкости способны приводить к существенному снижению эффективности или даже к катастрофическим отказам устройства. При попытке выжать максимум мощности из GaN-ключей также могут возникнуть проблемы с перегревом и дальнейшей деградацией транзисторов. В статье рассматриваются вопросы компоновки и трассировки печатной платы, обсуждается выбор компонентов силовой схемы, даются советы по построению системы отвода тепла. Предлагаемые рекомендации позволят избежать озвученных проблем и не допустить снижения эффективности.

Читать далее >> 
 

LMG3410EVM-018.png (24 KB)
Edited by terraelectronica

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now
Sign in to follow this