Jump to content

    

Bias для GAN транзисторов

Пайка при таких частотах и мощностях просто не применяется- форма капли припоя может нарушить согласование на выходе усилителя вплоть до самовозбуждения. Как проверить согласование выхода усилителя при "холодном" усилителе- слабо представляю. "на грячую" надо городить стенд с  автотюнерами согласования или с ситемой loadPull. Чего все стараются избегать, применяя согласованные усилители.

Про тремоудар по внутренностям усилиителя  ничего не скажу- это надо смотреть на технологию внутренней сборки. Но встречал как то отрыв пассивной струкутры согласования то ли входа то ли выхода из за перегретого хотплейта. Кристалл транзистора был вареный на эвтектику, а согласовалка клееная и отвалилась.

Ну и на серии при настроенной сварке ( если не менять тип сварочной ленты или диаметр проволоки)  сварка как бы не проще пайки. При этом все современные сварочники имеют программную работу- работяга поймал в микроскопе первую площадку и сварочник прошил все по заданной программе. Зато импеданс повторяемый, особенно если сварочник умеет контролировать форму проволоки в воздухе ( 3д траектория иглы).

 

 

Share this post


Link to post
Share on other sites

https://www.rfmw.com/data/TriQuint_Biasing_GaN_on_SiC_HEMT_Devices.pdf

Интесное чтиво какие бывают приколы с байасом нитридных транзисторов. Это конечно скорее к теме защит транзистора от разных шитов и для систем самоконтроля.

Вопрос- кто нибудь дела систему смещения затвора на основе микросхем преобразователей типа LM2662 с управлением напряжением перед перобразователем ( со стороны питания)? Ищестя схема секвенсора с защитой с однополярным питанием по входу.

Share this post


Link to post
Share on other sites

А сколько на неё дают? Ведь сток и затвор заблокированы по ВЧ.

Share this post


Link to post
Share on other sites

В смысле сколько дают на вход LM2662? у нее рабочий диапазон в режиме инвертора от 1.5 до 5 В. Вот столько и дают. Суть в том, что бы сделать усилитель на нитридном транзисторе только с положительным питанием. В отличии от GaAsFet похоже прийдется впихнуть еще и PIN диодный аттнеюатор, чтобы выключать ВЧ на входе транзистора при включении -выключении питания. Ну и хочется изобрести схему секвенсора без микроконтроллера, чтобы всю логику вкл-выкл сам отрабатывал. С микроконтроллером проще, но он спектр портит своей тактовой, если не спит, а если спит то не успевает среагировать на выключение питания.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Сколько времени дают защите?

Share this post


Link to post
Share on other sites
3 hours ago, Plain said:

Сколько времени дают защите?

Миллисекунды. GaN достаточно дубовы к перегрузке по току. Т.е ставится порог по току и быстрый операационник на шунт токоизмерительный и компаратор с защелкой. Драйвер MOSFET ключа быстрый или линейный источник на питание со входом Enable-Disable. Но это уже аварийный режим чтобы при пробое не повредить источник питания и другие каскады. А так защита от пропадания отрицательного напряжения на затворе с отключеним питания и закрытием входного СВЧ аттенюатора. Хуже если потребуют защиты от несогласованной нагрузки- там надо за микросекунды закрыть затвор полностью если не будет циркулятора, который приймет на себя и нагрузку  отраженную волну на время срабатывания защиты.

Share this post


Link to post
Share on other sites

Может есть идеи как сначала -5 вольт получить а потом следом -2.5 ??

Share this post


Link to post
Share on other sites

Create an account or sign in to comment

You need to be a member in order to leave a comment

Create an account

Sign up for a new account in our community. It's easy!

Register a new account

Sign in

Already have an account? Sign in here.

Sign In Now