Перейти к содержанию

    

Вопрос по трассировке SDRAM и LPC43xx

Всем добрый день. Добрались до того момента когда внутренней памяти не хватило на LPC и поставили внешнюю SDRAM на 128 Мбит с организацией 1Mx32x4 banks. Соответственно SDRAM раньше не трассировали и появились вопросы которые хотелось бы задать опытным товарищам.

 

1. Все апноты, и от NXP и от MICRON говорят что хорошо будет работать минимум на 6-и слойной плате с 3-я или 4-я сигнальными слоями с контролем импеданса. В случае с микроновским апнотом ещё понятно, там и для DDR рекомендации. Плата большая, процессор в корпусе BGA256, раньше было 4 слоя теперь судя по всему будет 6 слоёв и сборка не типовая для резонита.

Отсюда вопрос - насколько будет работоспособна память если её трассировать на 4-х слоях? Частота памяти 102МГц планируется. Насколько точно нужно выравнивать линии для такой памяти и контролировать импеданс? Пока приняли решение сделать трассировку на 6-и слоях по всем рекомендациям, но хотелось бы потом на 4 слоя перевести если возможно

 

2. Стекап платы Во всех апнотах приведён 6-и слойный и он естественно не совпадает с типовой сборкой резонита. Составляю стек сам из материалов которые есть в табличке резонита. У меня получается вот так

 

Правильный ли я выбрал стек для этого применения?

2018-03-17_15-55-59.png

 

По трассировке должно получаться что слои L1 и L3 должны быть с контролем импеданса относительно слоя L2 - GND, а слои L4 и L6 быть с контролем импеданса относительно L5-Power Vcc.

 

Если верить калькулятору Saturn PCB Toolkit при таком стэке буду использовать следующие линии. Для клока апнот от NXP допускает от 60 до 80Ом. Используем линии 0,2 мм с импедансом около 70 Ом

 

2018-03-17_15-54-19.png

 

Для всего остального используем линии 0,11мм с импедансом около 87 Ом

 

2018-03-17_15-53-49.png

 

3. Пишут что если трассы данных длиннее 1,5", надо ставить терминаторы у памяти по 22 Ом. У нас пока получается по 49 мм примерно. То есть чуть меньше чем 2". Обязательно терминаторы добавлять? В 2-х отладочных платах память без терминаторов. В одном случае линии могут быть короткими, во втором стоит примерно как у нас но терминаторов нет

 

В общем если сделаю по апнотам с параметрами как написал - заработает?

 

Если болт на рекомендации положить и только выравнять линии и забить на импеданс и сделать на стандартном стэке резонита или вообще на 4-х слойной сколько шансов что будет работоспособно? Про плохой путь чисто практический интерес. Лично видел серийную SRAM на частоте около 80 МГц и там шина адреса и данных разведена очень длинно и с кучей ветвлений и работает безсбойно. Но там SRAM асинхронная, а не SDRAM

 

Предварительная черновая трассировка

 

 

2018-03-17_16-15-49.png

 

 

И ещё вот что не до конца понял. Пишут что EMC процессора потянет от 60 до 100 Ом импеданс, а потом пишут что клоку 65-66 Ом делать, а остальному 80. Правильно ли я понимаю что работать будет в любом случае если импеданс любой линии будет от60 до 100 и главное что бы в группе сигналов импеданс был одинаков, а какой он не сильно роль играет?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

100Мгц сложно сделать неправильно.

 

Имхо, 4 слоя вполне пригодны. Крайние сигнальные, в середине питание и земля.

 

Разбежка по длине может быть около 100мм, а то и поболее. Импеданс здесь ещё роли не играет.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты
100Мгц сложно сделать неправильно.

 

Имхо, 4 слоя вполне пригодны. Крайние сигнальные, в середине питание и земля.

 

Разбежка по длине может быть около 100мм, а то и поболее. Импеданс здесь ещё роли не играет.

+1

Главное с перемешиванием сигнальных линий не накосячить :biggrin: , а так надо постараться чтоб не работало.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Благодарю за ответы, я этои вопросы задал так как получил некий диссонанс. В интернетах люди пишут что 100 МГц испортить ещё постараться надо, а в апноте от производителя всё серьёзно как на DDR минимум 6 слоёв, контроль волнового, выравнивание.

Получается что производитель тупо перестраховывается и даёт рекомендации такие что при их соблюдении работать будет точно с огромным запасом, и не ориентируется на вопросы увеличения стоимости при их выполнении ?

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты
Благодарю за ответы, я этои вопросы задал так как получил некий диссонанс. В интернетах люди пишут что 100 МГц испортить ещё постараться надо, а в апноте от производителя всё серьёзно как на DDR минимум 6 слоёв, контроль волнового, выравнивание.

Получается что производитель тупо перестраховывается и даёт рекомендации такие что при их соблюдении работать будет точно с огромным запасом, и не ориентируется на вопросы увеличения стоимости при их выполнении ?

 

Производитель не уверен, что правильно оценивает нижнюю границу возможностей конечных юзеров в РСВ-дизайне.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

в случае когда память как у вас прям рядом с МК я бы и выравниванием для SDR на 100 МГц не заморачивался бы, пользы от него там никакой, кроме вреда :)

50мм по плате это 250пс, сколько там фронты у вашего 100МГц сдрама? 1нс, какой вообще импеданс тогда.

 

не как руководство к действию, да и с bga всё равно не получится, но просто как пример, вот была такая плата, blackfin one, http://www.rowetel.com/?p=20 (с blackfin.uclinux.org проект куда-то потерялся). там блэкфин и 133МГц сдрам на двухслойке вполне себе работали.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Есть ещё более показательный пример, приводил в другой теме.. там ддр2 и провода висят в воздухе из-за неправильной(!) схемы.

 

Надо думать, что производители процессора и памяти не будут приводить этот дизайн в качестве примера.

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Всех благодарю за ответы - вопрос сильно прояснился. Плату сделали, думаю работать будет если не накосячили схемотехники

 

Поделиться сообщением


Ссылка на сообщение
Поделиться на другие сайты

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать учетную запись

Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти
Авторизация