[SergeySoG 0]

Всем добрый день. Добрались до того момента когда внутренней памяти не хватило на LPC и поставили внешнюю SDRAM на 128 Мбит с организацией 1Mx32x4 banks. Соответственно SDRAM раньше не трассировали и появились вопросы которые хотелось бы задать опытным товарищам.

 

1. Все апноты, и от NXP и от MICRON говорят что хорошо будет работать минимум на 6-и слойной плате с 3-я или 4-я сигнальными слоями с контролем импеданса. В случае с микроновским апнотом ещё понятно, там и для DDR рекомендации. Плата большая, процессор в корпусе BGA256, раньше было 4 слоя теперь судя по всему будет 6 слоёв и сборка не типовая для резонита.

Отсюда вопрос - насколько будет работоспособна память если её трассировать на 4-х слоях? Частота памяти 102МГц планируется. Насколько точно нужно выравнивать линии для такой памяти и контролировать импеданс? Пока приняли решение сделать трассировку на 6-и слоях по всем рекомендациям, но хотелось бы потом на 4 слоя перевести если возможно

 

2. Стекап платы Во всех апнотах приведён 6-и слойный и он естественно не совпадает с типовой сборкой резонита. Составляю стек сам из материалов которые есть в табличке резонита. У меня получается вот так

 

Правильный ли я выбрал стек для этого применения?

 

По трассировке должно получаться что слои L1 и L3 должны быть с контролем импеданса относительно слоя L2 - GND, а слои L4 и L6 быть с контролем импеданса относительно L5-Power Vcc.

 

Если верить калькулятору Saturn PCB Toolkit при таком стэке буду использовать следующие линии. Для клока апнот от NXP допускает от 60 до 80Ом. Используем линии 0,2 мм с импедансом около 70 Ом

 

 

Для всего остального используем линии 0,11мм с импедансом около 87 Ом

 

 

3. Пишут что если трассы данных длиннее 1,5", надо ставить терминаторы у памяти по 22 Ом. У нас пока получается по 49 мм примерно. То есть чуть меньше чем 2". Обязательно терминаторы добавлять? В 2-х отладочных платах память без терминаторов. В одном случае линии могут быть короткими, во втором стоит примерно как у нас но терминаторов нет

 

В общем если сделаю по апнотам с параметрами как написал - заработает?

 

Если болт на рекомендации положить и только выравнять линии и забить на импеданс и сделать на стандартном стэке резонита или вообще на 4-х слойной сколько шансов что будет работоспособно? Про плохой путь чисто практический интерес. Лично видел серийную SRAM на частоте около 80 МГц и там шина адреса и данных разведена очень длинно и с кучей ветвлений и работает безсбойно. Но там SRAM асинхронная, а не SDRAM

 

Предварительная черновая трассировка

 

 

 

 

И ещё вот что не до конца понял. Пишут что EMC процессора потянет от 60 до 100 Ом импеданс, а потом пишут что клоку 65-66 Ом делать, а остальному 80. Правильно ли я понимаю что работать будет в любом случае если импеданс любой линии будет от60 до 100 и главное что бы в группе сигналов импеданс был одинаков, а какой он не сильно роль играет?

[_Sergey_ 0]

100Мгц сложно сделать неправильно.

 

Имхо, 4 слоя вполне пригодны. Крайние сигнальные, в середине питание и земля.

 

Разбежка по длине может быть около 100мм, а то и поболее. Импеданс здесь ещё роли не играет.

[skripach 0]

100Мгц сложно сделать неправильно.

 

Имхо, 4 слоя вполне пригодны. Крайние сигнальные, в середине питание и земля.

 

Разбежка по длине может быть около 100мм, а то и поболее. Импеданс здесь ещё роли не играет.

+1

Главное с перемешиванием сигнальных линий не накосячить , а так надо постараться чтоб не работало.

[SergeySoG 0]

Благодарю за ответы, я этои вопросы задал так как получил некий диссонанс. В интернетах люди пишут что 100 МГц испортить ещё постараться надо, а в апноте от производителя всё серьёзно как на DDR минимум 6 слоёв, контроль волнового, выравнивание.

Получается что производитель тупо перестраховывается и даёт рекомендации такие что при их соблюдении работать будет точно с огромным запасом, и не ориентируется на вопросы увеличения стоимости при их выполнении ?

[_Sergey_ 0]

Благодарю за ответы, я этои вопросы задал так как получил некий диссонанс. В интернетах люди пишут что 100 МГц испортить ещё постараться надо, а в апноте от производителя всё серьёзно как на DDR минимум 6 слоёв, контроль волнового, выравнивание.

Получается что производитель тупо перестраховывается и даёт рекомендации такие что при их соблюдении работать будет точно с огромным запасом, и не ориентируется на вопросы увеличения стоимости при их выполнении ?

 

Производитель не уверен, что правильно оценивает нижнюю границу возможностей конечных юзеров в РСВ-дизайне.

[_pv 1]

в случае когда память как у вас прям рядом с МК я бы и выравниванием для SDR на 100 МГц не заморачивался бы, пользы от него там никакой, кроме вреда :)

50мм по плате это 250пс, сколько там фронты у вашего 100МГц сдрама? 1нс, какой вообще импеданс тогда.

 

не как руководство к действию, да и с bga всё равно не получится, но просто как пример, вот была такая плата, blackfin one, http://www.rowetel.com/?p=20 (с blackfin.uclinux.org проект куда-то потерялся). там блэкфин и 133МГц сдрам на двухслойке вполне себе работали.

[_Sergey_ 0]

Есть ещё более показательный пример, приводил в другой теме.. там ддр2 и провода висят в воздухе из-за неправильной(!) схемы.

 

Надо думать, что производители процессора и памяти не будут приводить этот дизайн в качестве примера.

[SergeySoG 0]

Всех благодарю за ответы - вопрос сильно прояснился. Плату сделали, думаю работать будет если не накосячили схемотехники

 

[megajohn 0]

извиняюсь за поднятие чужой темы, есть в догонку такие ламерские вопросы:

1. линии DATA вполне можно менять между собой для удобства трассировки ? А также линии ADDR ?

2. есть все линии DATA получились к примеру 40мм, то ADDR, CKE, CLK, WE, CS, CAS, RAS, DQM, BA тоже должны быть примерно такой же длины или нет ?

[aaarrr 3]

36 minutes ago, megajohn said:

1. линии DATA вполне можно менять между собой для удобства трассировки ? А также линии ADDR ?

Данные - в пределах октета. Адреса менять чревато.

 

36 minutes ago, megajohn said:

2. есть все линии DATA получились к примеру 40мм, то ADDR, CKE, CLK, WE, CS, CAS, RAS, DQM, BA тоже должны быть примерно такой же длины или нет ?

Не обязательно.

[megajohn 0]

https://groups.google.com/g/sci.electronics/c/eVMPg_4l70M?pli=1

вот еще ссылочку прикреплю, вдруг кому интересно будет почитать по теме

[dimka76 1]

1 hour ago, megajohn said:

https://groups.google.com/g/sci.electronics/c/eVMPg_4l70M?pli=1

вот еще ссылочку прикреплю, вдруг кому интересно будет почитать по теме

просит войти в гугл аккаунт, иначе не отображает

[nat 0]

Приветствую. 

Подскажите, пожалуйста, по поводу lenght match для lpddr4:

Все ли пины (D(DQ), DM, DQS, A, CLK, CKE, CSnX) с ОЗУ должны иметь одинаковую длину или какие-то пины могут иметь разные? Какое разделение идет для lenght match?
Привожу desing guide, с которым работала - http://opensource.rock-chips.com/images/d/d1/RK3399_Design_Guide_V1.0_20170420.pdf (со страницы 93)

[aaarrr 3]

Длины выравниваются внутри групп: данные (DQ, DM, DQS, для каждого байта своя группа) и управление (CA, CS, CKE, CK). Для RK3399 есть документ с задержками сигналов в корпусе.

[Arlleex 5]

4 часа назад, aaarrr сказал:

Длины выравниваются внутри групп...

А в DDR4 преемственность от DDR2 в отношении свапа байтов в слове и битов в байте осталась или нет?