[Dr.Alex 0]

Как можно охарактеризовать предельную частоту, до которой можно применять некий дроссель, если известна его SRF?

Ну типа "гораздо ниже SRF", "чуть ниже SRF", "несколько выше SRF" и так далее..

 

Естественно, требуется чтобы индуктивность на данной частоте была имено индуктивностью, а не непонятно чем..

[GenaSPB 11]

Как раз SRF это частота, на которой индуктивность компенсируется собственной емкостью. У Вас деталь в схеме, есть ещё влияние паразитных параметров монтажа и других участков схемы. А в чём проблема? даже в RFSIM99 можно задать наличие SFR у катушек и смотреть, что будет в схеме?

Скажем так, индуктивность детали никуда не девается и от частоты не зависит, надо учитывать соседей.

 

гораздо ниже SRF

Например, тут индуктивность никуда не девается, но реактивное сопротивление почти "0" - и радости не принесёт.

 

Если надо "затычку" - можно применить последовательно два-три дросселя с разной SFR, можно специальные компоненты под называнием RF CHOKE.

Изменено 1 октября, 2014 пользователем Genadi Zawidowski

[Dr.Alex 0]

Ну правда что ли никто не знает, зачем в доках приводится SRF??

 

Для определённости скажу, что интересуют индуктивности в десятки-сотни наногенри на частотах до 1ГГц..

[Aner 3]

Этого обяснения не достаточно? ---> http://www.sagami-elec.co.jp/file/tech/coil_doc_06e.pdf

[Dr.Alex 0]

Этого обяснения не достаточно? ---> http://www.sagami-elec.co.jp/file/tech/coil_doc_06e.pdf

 

Можно сделать такие выводы::

 

1) Если катушка используется скажем в полосовом или заграждающем фильтре, когда пик или провал АЧХ должен быть задан точно, то её SRF должно быть раз в 10 больше рабочей частоты.

 

2) Если же это ФНЧ, то можно работать как вплоть до SRF, так и недалеко за ней! Потому что импеданс катушки в окрестностях SRF даже выше чем у идеальной! То есть, можно даже взять меньшую индуктивность, чем в случае идеальной катушки!

 

Верно ли?

[Prostograf 0]

Ну правда что ли никто не знает, зачем в доках приводится SRF??

 

Для определённости скажу, что интересуют индуктивности в десятки-сотни наногенри на частотах до 1ГГц..

 

Предыдущий оратор написал все правильно. А чтобы вы поняли сделайте следующие. Постройте две схемы. 1-я схема (идеальный случай) - это порт 1 связан с портом 2 и между ними индуктивность на землю ( ну скажем для примера 10 нГн). А вторая схема - это тоже самое только в параллель индуктивности добавлена емкость 0.1 пФ. И сравнивайте графики входных сопротивлений к примеру ( то есть мнимую и реальную части). И вы все поймете.

 

Для этого примера у вас получится должно, что в 1-й схеме с ростом частоты реальная часть сопротивления входного от 0 Ом на низких частотах приближается к 50 -ОМ, мнимая часть на малых частотах 0 на каких-то максимум и затем опять стремиться к 0 на высоких. Ну это и понятно, потому что индуктивность низкие частоты закорачивает, поэтому на низких частотах ноль и мнимая и реальная, а затем на высоких частотах индуктивность имеет высокий импеданс и никак не влияет на выходные 50-Ом. А вот во второй схеме на частоте приблизительно 5 ГГц произойдет переход мнимой части через ноль при этом реальная точно будет 50_Ом. Это произойдет потому что резонанс, а мы знаем, что у параллельного контура импеданс на резонансе очень большой, поэтому на 50_Ом ный порт выходной он не влияет.

 

А далее если вы не совсем глупы, то увидите сравнивая два графика, что такое SRF. И там же наглядно будет видно где работает ваша индуктивность, а где нет. И ьтам же можно прикинуть можно вам использовать индуктивность за пределами SRF или нет.

 

Если вы например используете ее как блокировку, то вам будет другой пример полезен. Все тоже самое только индуктивность подключается между портами 1 и 2. И смотрите, что на частотах до приблизительно до 2 ГГц ваша индуктивность ведет себя как идеальная, а далее у не резко начинает расти импеданс и вблизи резонанса ( 5 ГГц) он очень большой ( зависит от добротности катушки), а затем он меняет знак но остается большим. И на далее на высоких частотах стремится к нулю. Но стремится очень медленно, поэтому даже на частоте после SRF индуктивность можно использовать в качестве блокировки.

 

Поэтому все зависит от использование катушки. Например, блокировка это или катушка фильтра.

 

Надеюсь вам помогло. Если нет то вы безнадежны....

Изменено 2 октября, 2014 пользователем Prostograf

[Dr.Alex 0]

Предыдущий оратор написал все правильно. А чтобы вы поняли сделайте следующие.

 

Эх... Устал от пишущих ради набора кол-ва постов.. Жаль отключить вас нельзя.. :-о

[Prostograf 0]

Эх... Устал от пишущих ради набора кол-ва постов.. Жаль отключить вас нельзя.. :-о

 

 

По ходу просто так 20 минут потратил.

 

В вашем безнадежном случае при расчетах берите просто индуктивность с паразитной емкостью (вычисляется из SRF) включенной в параллель и будет видно, можно ее использовать в фильтре или нет.

 

[blackfin 16]

Можно сделать такие выводы::

...

Верно ли?

ИМХО, не верно..

 

1. Используя SRF и Q, вычисляете значения параметров эквивалентной схемы для индуктивности, т.е., паразитные C и R.

2. Рисуете в доступном симуляторе (aka PSPICE) всю схему, с учетом схемы_замещения_индуктивности и, при необходимости, схемы_замещения остальных активных и/или пассивных элементов..

3. Задаете целевую функцию, напр. неравномерность коэффициента усиления в полосе пропускания.

4. Далее, синтез искомой схемы с использованием поиска минимума целевой функции.

 

PS. Лет 15 назад попадалась статья в сборнике ИКИ, где подобным способом спроектировали широкополосный (0,1 ГГц .. 2,0 ГГц) усилитель на биполярных транзисторах с неравномерностью в десятые доли дБ.

[Dr.Alex 0]

ИМХО, не верно..

 

1. Используя SRF и Q, вычисляете значения параметров эквивалентной схемы для индуктивности, т.е., паразитные C и R.

2. Рисуете в доступном симуляторе (aka PSPICE) всю схему, с учетом схемы_замещения_индуктивности и, при необходимости, схемы_замещения остальных активных и/или пассивных элементов..

3. Задаете целевую функцию, напр. неравномерность коэффициента усиления в полосе пропускания.

4. Далее, синтез искомой схемы с использованием поиска минимума целевой функции.

 

PS. Лет 15 назад попадалась статья в сборнике ИКИ, где подобным способом спроектировали широкополосный (0,1 ГГц .. 2,0 ГГц) усилитель на биполярных транзисторах с неравномерностью в десятые доли дБ.

 

1. Решение УЖЕ плоховатое, поскоку требует ручного расчёта неких не заданных в доке параметров, которые к тому же немножко виртуальные (вы ведь не думаете, катушка действительно представляет собой L, C, и R?). На самом деле катушка сложнее, нужны s-параметры.

 

2. Даже если найти s-параметры каждой детали и начать моделировать, так это просто несвоевременно. Вы ведь не будете моделировать 10ГГЦ-схему на КТ315? Сначала вы выясните границы применимости деталей, выберете примерно соответствующие вашей задаче, и только потом начнёте моделировать. Именно на этой стадии я и нахожусь. Пытаюсь понять, как соотносить SRF с рабочей частотой.

 

3. Непонятно, зачем нужен усилитель с неравномерностью десятые доли дБ :-))))) Ребята видимо были далеки от цифровой связи.. :-))

[blackfin 16]

1. Решение УЖЕ плоховатое, поскоку требует ручного расчёта неких не заданных в доке параметров, которые к тому же немножко виртуальные (вы ведь не думаете, катушка действительно представляет собой L, C, и R?). На самом деле катушка сложнее, нужны s-параметры.

 

2. Даже если найти s-параметры каждой детали и начать моделировать, так это просто несвоевременно. Вы ведь не будете моделировать 10ГГЦ-схему на КТ315? Сначала вы выясните границы применимости деталей, выберете примерно соответствующие вашей задаче, и только потом начнёте моделировать. Именно на этой стадии я и нахожусь. Пытаюсь понять, как соотносить SRF с рабочей частотой.

 

3. Непонятно, зачем нужен усилитель с неравномерностью десятые доли дБ :-))))) Ребята видимо были далеки от цифровой связи.. :-))

1. Ну, там в ручную L,C,R и не считали. Сразу брали несколько индуктивностей 0402 различных номиналов запаянных на поликоре 0,5 мм и измеряли S-параметры получившихся четырехполюсников.

Потом программа сама считала паразитные C и R. Их, кстати, было около десятка, ЕМНИП. Но для вашего случая это не нужно, если я правильно вас понял.. Вам, вероятно, достаточно будет C и R.

 

2. В схеме использовали транзисторы КТ3102, ЕМНИП.

 

3. Схема использовалась не для связи. У них были какие-то эксперименты с космическим излучением. Но дело было давно, и подробностей я уже не помню, если честно..

[Aner 3]

Можно сделать такие выводы::

 

1) Если катушка используется скажем в полосовом или заграждающем фильтре, когда пик или провал АЧХ должен быть задан точно, то её SRF должно быть раз в 10 больше рабочей частоты.

 

2) Если же это ФНЧ, то можно работать как вплоть до SRF, так и недалеко за ней! Потому что импеданс катушки в окрестностях SRF даже выше чем у идеальной! То есть, можно даже взять меньшую индуктивность, чем в случае идеальной катушки!

 

Верно ли?

Похоже не оч разобрались. Тогда совет пошукать среди брендовых производителей их пояснения, таких как Coils el., TDK, Yageo, и тд.

У них строго практично, технологично, стандартизовано, сертифицировано даже в пояснениях. Мож это и нужно вам.

По 1) полосовые или заграждающие фильтры считаются с учетом того что катушка такая и есть ее модель. Все оч близко как расчеты так и измерения. Не учитываете SRF получаете бяку в любых фильтрах. ...в 10 больше, на 10 dB не аргумент, технический, не инженерный прикид только.

2) С идеальной ничего общего. Идеальная для начала обучения студентов, и затем игры с матаппаратом для докторов.

Индуктивность катушки чисто геомертический параметр, вычисляется соотношениями в единицах метрики, с допусками разбросами (мм, и тп) никак не электрический. Индуктивность больше или меньше - это если грубо, размер например в мм, микронах. Реальные катушки без ёмкостей не бывают по природе, посему любая катушка это контур у которого есть SRF, отсюда и частото зависимый импеданс. И условное зачисление параметра индуктивности "Генри" в электрические величины. Вывод: используя катушку вы всегда используете контур с его частотным параметром SRF. В зависимости от большой или малой величины его емкостной части комплексной.

[saab 2]

Чтобы не париться, лучше S пар. Для конденсаторов ATC 500, к примеру, можно работать

и до селф резананса и после.