Поиск
Показаны результаты для тегов 'gan'.
-
Правительство Китая с 1 августа ввело контроль за экспортом галлия, необходимого для производства чипов и полупроводников. Подробности
-
С 1 августа 2023 года правительством Китая были введены ограничения экспорта соединений галлия (GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs и InSb и др.), применяемых для производства полупроводниковых чипов. Подробнее
-
Компания Power Integrations объявила о расширении семейства микросхем конверторов обратного хода InnoSwitch™4-CZ в сочетании с микросхемами ClampZero™ и недавно анонсированным корректором коэффициента мощности HiperPFS™-5 на основе GaN. Новые ИС позволяют соответствовать спецификации USB PD 3.1 для адаптеров и зарядных устройств мощностью до 220 Вт. Подробнее
-
Макро Групп начала сотрудничество с производителем GaN СВЧ транзисторов из Швеции – Noletec. Компания Noletec начала поставки СВЧ транзисторов, изготовленных по технологии Gan-on-SiC и предлагает свою продукцию для диапазонов частот L, S, C, X и мощностями до 100 Вт и выше. Подробнее
-
Компания WAVEPIA расширила линейку своих продуктов 12 Вт усилителем на диапазон 2-6 ГГц – WPGM0206012M. Подробнее
-
Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей при построении источников питания на примере POL-преобразователей. Также в статье рассказывается об особенностях интегральной микросхемы LMG5200 со встроенными нитрид-галлиевыми транзисторами от Texas Instruments. Силовые транзисторы обладают высокой скоростью переключений и позволяют уменьшить габариты источников питания, а также увеличить их КПД. Отсутствие необходимости использования громоздких радиаторов делает возможным создание новых компактных форм-факторов для блоков питания и модулей, в том числе для тех, что используются в беспроводных зарядных устройствах. Компании Texas Instruments и Efficient Power Conversion (EPC) сосредоточили свои усилия на разработке силовых компонентов для приложений, требующих компактных габаритов и высокой эффективности. Читать далее >>
-
Во многих приложениях нитрид-галлиевые транзисторы обеспечивают более высокую эффективность по сравнению с аналогичными кремниевыми ключами. Несмотря на это, в течение многих лет технология GaN-транзисторов не получала широкого распространения из-за специфических особенностей управления затвором и проблем, связанных с созданием надежных драйверов и цепей защиты. Монолитные интегральные GaN-микросхемы, объединяющие силовые GaN-транзисторы, драйверы, управляющую логику, цепи защиты и питания решают перечисленные выше проблемы и позволяют реализовать высокочастотные источники питания, обладающие высоким КПД, низкой стоимостью и повышенной надежностью. В данной статье рассказывается о преимуществах интегральных GaN-микросхем, которые могут быть использованы для увеличения эффективности и плотности мощности AC/DC- или DC/DC-преобразователей. Подробнее...
-
Электронные компоненты на базе широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), становятся все более доступными и популярными. Они все чаще применяются при создании высоковольтных и мощных приложений, в частности автомобильных силовых установок и инверторов. Эти устройства позволяют работать с высокими напряжениями (от 600 В до 1700 В), а также с высокими частотами коммутаций, что обеспечивает рост эффективности, уменьшение габаритных размеров и снижение массы силовых приложений, а это в свою очередь дополнительно повышает эффективность транспортного средства. Эффективность имеет огромное значение особенно для электромобилей (EV) и автомобилей с гибридной силовой установкой (HEV). Именно высокая эффективность гарантирует увеличение дальности автономной езды и позволяет разработчикам использовать малогабаритные аккумуляторы в небольших автомобилях. Однако для работы с новыми транзисторами на базе широкозонных полупроводниковых материалов необходимы специализированные драйверы, что требует пересмотра традиционных схемных решений. Читать далее...
