Stefan1

Здравствуйте, подскажите пожалуйста, как определить фазу из мнимой составляющей? Вопрос появился при попытке вывода S параметров из напряжения падающей и отраженной волны.

Я пробовал уже, но то, что хотел сделать - не получилось. В итоге нашел проще способ.

Тогда надо знать всю эквивалентную схему по которой они считают этот импеданс и ее параметры.

Это не такой корпус. У меня корпус - КТ25, для мощного СВЧ транзистора, наподобие: PH1214_12M.pdf

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста как можно рассчитать/измерить индуктивность истокового вывода в мощном СВЧ МОП транзисторе по схеме с общим истоком?

Тут как раз дело в том, чтобы эту зависимость для емкости задать максимально совпадающей с реальной, т.к. и без этого в моделе много чего неточного. Как мне уже подсказали, я использовал программу TableCurve, где очень все хорошо получилось.

Получаю зависимость C, мкФ от U, В. Затем подставляю эту зависимость в эквивалентную схему транзистора. Эта схема имеет несколько нелинейных элементов, зависящих от U, один из них эта емкость. Таким образом я могу описать поведение транзистора при различных напряжениях. В частности можно посмотреть как изменяется импеданс транзистора.

Эта зависимость нужна для описания емкости транзистора. А модель сама описывает поведение транзистора, когда он работает в режиме.

Используя программу TableCurve удалось получить функцию, наиболее точно совпадающую с точками из данной таблицы. Программа - отличная, вот только результат почему-то не сохраняет, точнее сохраняет, но в виде таблицы, что не очень наглядно. Спасибо всем за помощь!

Порядок точности измерений - десятые доли. Так что здесь хорошо бы добиться совпадения целых чисел.

Хочется по-точнее, т.к нужно добиться максимального совпадения экспериментального результата с расчетом. Сложно пока оценить какой вклад вносит это выражение в результаты моделирования, т.к. есть ещё аналогичные выражения, влияющие на результат.

Софт - матлаб.

Благодарю за информацию, Taradov Alexander! Функция эта нужна для задания зависимости проходной ёмкости LDMOS транзистора для расчёта его эквивалентной схемы.

Благодарю, _Anatoliy! А как построить аппроксимацию сплайнами по кускам? Это уравнение я так понимаю и есть такая аппроксимация? Хотелось бы понять сам принцип построения таких функций.

Чем точнее, тем лучше. В принципе сходимость с таблицей в числах до запятой (т.е. в целых числах) была бы идеальной.

Я пробовал аппроксимировать через полином 9 степени в программе advanced grapher - не получается, т.к. слишком большое отклонение. Гиперболическая тоже не подходит. Здесь нужна какая-то сложная функция, как мне кажется.

Здравствуйте! Подскажите как можно по графику построить функцию? Мне нужно построить формулу, которая довольно точно опишет этот график:

Благодарю, Kate25!

Добрый день! Подскажите как рассчитать индуктивность микрополосковой линии толщиной 0.5, шириной 0.5 мм, диэлектрической проницаемостью 9.6 для частоты 1.3 ГГц.

Все, разобрался уже сам.

sp1noza, напишите свою почту, я могу скинуть вам статью.

Всем привет! Может кто подскажет как в микровэйве построить график зависимости КПД (PAE). У меня программа пишет, что входная мощность не может быть меньше 0, а у меня она и так больше 0. Использую порт PORT_PS1. В чем тут дело и каким портом тут лучше задавать мощность?

Благодарю, EUrry! Попробую подобрать что-нибудь подходящее.

Возник вопрос: как можно задать частотно зависимый генератор (источник) тока? Т.е. в полосе допустим 1 ГГц - 1,5 ГГц он мощность выдает, а вне полосы мощность плавно уходит на нет

Благодарю за статью, uskov! Почитаю, отпишусь.