Jump to content

    

Ural

Участник
  • Content Count

    38
  • Joined

  • Last visited

Community Reputation

0 Обычный

About Ural

Recent Profile Visitors

475 profile views
  1. Разряжается до нуля ТОЛЬКО постоянно подключенной нагрузкой (резистором). Схемотехнически этого допускать нельзя. Конечное напряжение зарядки 4,5в только маркетинговый ход, позволяет максимально зарядить аккумулятор, до 100% от теоретически возможной емкости. Одновременно на порядок и более уменьшает количество циклов заряда-разряда, но это и требуется производителям. Есть еще вариант, что Li-Pol - это устройство из аккумулятора и платы контроля заряда (разряда). На выводах устройства может быть полный 0. Однако, если замерить напряжение на выводах самого аккумулятора (тех, что под полупрозрачной пленкой), то окажется, что это напряжение не менее 2,5 Вольт. Тогда заряд именно аккумулятора (через два вывода) полностью восстанавливает работу всего устройства.
  2. А Ваш коллега точно режим LoRa включил в этих модулях? Простейший расчет показывает, что при допуске на кварцы +-30 ppm максимальный уход несущей составит 868*30=26 кГц. Т.е. для ухудшения связи не более чем в два раза требуется применить LoRa с полосой не менее 26*2=52 кГц. Ну и фактор расширения (Spreading) выбрать в соответствии с желаемой или скоростью или дальностью. Если все это соблюсти, то получается вполне нормальная связь "...на копеечных модулях и копеечных референс дизайнах".
  3. Факт. Вот я, начинающий в компьютерах. Когда мне нужно было "заливать" мое ПО в STM32H750, то у STM FlashLoader не поддерживал именно этот тип. Ни оконное приложение, ни консольное. Я уж и *.STmap доделывал, и *.bat менял подходящие. Пришлось самому по их протоколу писать оконное (мне так нагляднее) приложение - обращаюсь к микросхеме, определяю требуемый тип, стираю требуемый сектор (в H750 он один), перед записью загружаю свой *.bin-файл и провожу запись. Для всего этого нужны только выводы Rx, Tx, Reset, Boot0. Да еще Builder 5 (или Delphi). Повторить то же в стороннем микроконтроллере - не вопрос.
  4. Вы не указали, что означают слова "умер Li-Pol". Если напряжение на клеммах (контактах) аккумулятора низкое (менее 0,5 номинала) или равно 0 - почти однозначный переразряд, как здесь и указывалось. Если напряжение в допустимых пределах, но очень быстро разряжается - химическая потеря емкости (обычно при несоблюдении допустимого порога заряда или при превышении допустимого количества циклов или превышении условий заряда). Вообще с аккумуляторами Li-Pol (их недостатками) почти все "прозрачно", т.е. понятно, просто нужно их ответственно использовать.
  5. В соответствии с п.3.1 Правил форума прошу удалить мой второй зарегистрированный ник TrestConsom.
  6. Недавно я вспомнил (нашел записи) ник (имя) и пароль, зарегистрированные мною давно. В соответствии с п.3.1 Правил форума прошу удалить мой второй зарегистрированный ник TrestConsom. Для подтверждения принадлежности этого ника мне сейчас продублирую это сообщение.
  7. Попробуем подсчитать - "ток ... обычно 50 мА, ... емкость от 2000 мА[*час]". Получаем время непрерывной работы от 40 часов. Каждые 40 часов менять батарею? Если все же ток "... обычно 1 мА", т.е. при импульсном токе 2000 мА соотношение времени работы к времени паузы (сна) 2000/1, то самое то - литий-тионил-хлоридные батареи. При номинальном разрядном токе 1 мА у них (батарей) номинальное напряжение от 3,4 вольта (-40 градусов) до 3,7 вольта (+70 градусов). Емкость при -40 градусах меньше в 2 раза, чем при +20. Однако для обеспечения заданного тока 2 А при импульсной передаче не забыть конденсатор емкостью не менее 4700 мкф. Конденсатор тоже не из обычных.
  8. Все микросхемы, какие поддерживают JEDEC, у производителей сразу об этом у пишут. Например, все указанные Winbond. К тому же SPI еще не QSPI, потому все проще.
  9. Ошибся, загрузка в микросхему на SPI сразу с SD. Это самообновление загрузчика в SPI-микросхеме через UART. Bin-загрузчик из носителя на SPI у Allwinner перегружается в ОЗУ с нулевого адреса носителя. Смещение есть только в тех загрузочных носителях, где намечается наличие файловой системы (SD, eMMC, получается и NAND), но на запуск в ОЗУ смещение не влияет.
  10. Прошу прощения, но лучше я начну сначала. Мой загрузчик находится в SPI0 (припаянная микросхема). Чтобы его загрузить, я создал особый загрузчик на SD, где инициализировал аппарат SPI (и дополнительные интерфейсы). Конечный загрузчик в микросхему на SPI0 перекачал через интерфейс UART. Аналогично вместо SPI можно поставить NAND (хотя мне никогда не требовалось). Другой способ вряд ли получится, потому как будет порождение самим собой самого себя.
  11. Так показанный пример и говорит, что загрузочный сектор в NAND смещен также как и в SD на 8 кБайт. Или Вы интересуетесь процессом аппаратного обращения в A10 с NAND-контроллером?
  12. Есть на http://linux-sunxi.org/Replace_NAND_with_eMMC_howto пример замены NAND SD-картой. Получается, что в NAND для bin-загрузчика нужно такое-же смещение в 8 кБайт, как и в загрузчике на SD. Т.е., Вы через загрузчик на SD-карте (или USB) этот бинарник (загрузчик) на знаете с какого адреса писать в NAND?
  13. Абсолютно полностью поддерживаю Ваше мнение.
  14. "... ни при какой разумно малой толщине этого воздушного промежутка". Во-первых, воздушного промежутка. Во-вторых, разумно малая толщина - это больше 10...30 мкм. При толщинах единиц мкм проявляется значительная реактивная (емкостная) составляющая тока. Это все о защите человека от поражения током.
  15. Есть в "Правилах устройства электроустановок" (ПУЭ) и других нормативных документах понятие - "Напряжение до и свыше 1000 в". Эта граница, 1000 вольт, возникла из физического явления - ионизация среды (атмосферного воздуха) под воздействием приложенной разности потенциалов. При нормальных условиях (атмосферное давление и температура окружающего воздуха) напряжение начала ионизации воздуха находится в диапазоне 850...950 вольт. Словесно принято значение 1000 вольт. Т.о. при напряжении заведомо ниже 850 вольт ионизация воздушного промежутка между двумя токопроводящими электродами не произойдет ни при какой разумно малой толщине этого воздушного промежутка. Такое положение ("ни при какой малой толщине"), кстати, упоминалось в одном из ГОСТов советских времен. Напряжение ионизации невоздушного промежутка между двумя электродами ограничивается материалом промежутка и определяется нормативными документами (ТУ, ГОСТ и проч.) на эти материалы. При низкой частоте переменного тока (50...400 Гц) влиянием емкостной (реактивной) составляющей полного тока в целях защиты человека от поражения электрическим током пренебрегают. На более высоких частотах это влияние нужно учитывать.