dinam

Хочу попробовать прошивку STM32F303CBT6 по USART1 через CH340X штатной программой. Вот datasheet на неё CH340X pdf В этом видео сразу с первых секунд приводится схема для STM32Fxxx. Кто-нибудь может подтвердить что схема рабочая? Правильно ли я понимаю, что если нет подключения по USB, то при включении CH340X нормально формирует сброс для STM32Fxxx?

Хорошо. Давайте поправим фразу с "внешний мир". Пусть, например, в силу совершенно разных причин на входах и выходах появляются такие напряжения. Я до сих пор не понимаю, как они тестировали на токе - 5 mА, не превышая допустимый -0.3V.

Прозвонил тройку выводов тестером. Звонятся обыкновенные диоды. Да и не помню я такого, чтобы внутри каких либо микросхем стояли защитные Шоттки диоды.

Так как у меня STM32 имеет связь со внешним миром, то в какие-то моменты на его входах и выходах появляются напряжения больше напряжения питания и меньше земли. Читаю datasheet на STM32F303xB на эту тему. Долго искал, что же авторы подразумевают под словосочетанием injecting current. Оказалось это то, что нормальные производители описывают как input clamp current. Пытаюсь понять какие максимально допустимые отрицательные токи можно подать на вход, чтобы его не спалить. И с удивлением обнаруживаю, что никакие! Несмотря на значения в datsheet - 5mA. Сразу возникает ограничение VSS − 0.3, ещё до того как открывается внутренний защитный диод. Ну и нахрена спрашивается это бессмысленное значение - 5mA? Или я чего-то не понимаю? С оutput clamp current вроде как-то попроще. Насколько я разобрался это можно подогнать под - output current source/sunk by any I/O and control pin = 25 mA.

Вы хотите сказать, что два соседних слоя питания и земли или скажем полигоны в них, могут образовать резонанс по питанию? Нет, ну чисто теоретически я понимаю, что два слоя образуют высокодобротный конденсатор. На любой конденсатор можно нарисовать схему замещения в которой есть последовательная индуктивность. Но я геометрически с трудом представляю откуда она берется и тем более её значение. И частоты этого этого возможного резонанса?

Что-то я упустил, вы на какой ток делаете драйвер? На мой взгляд можно и поменьше слоёв, если конечно у вас действующие токи не приближаются к сотне ампер. Вообще я поначалу не был ограничен габаритами платы и делал драйвера на двухслойке из спортивного азарта на те же 6 А. И даже не раз на этом форуме выкладывал осциллограммы, какие чистые фронты у меня получались. Сейчас из-за ограничений по габаритам платы и невозможности развести цифру перешел на 4 слоя. Вам уже ответили, но я немного скажу по другому. Если почитать на тему разводки питания мощных цифровых микросхем, то там активно используют емкость слоев для уменьшения импеданса на высоких частотах. Здесь, конечно не тот случай, но смысл тот же, надо чередовать слои питания и земли ну или силовые слои с питанием или землей, для того чтобы возвратные токи были в соседнем слое. Для начала, наверно, надо использовать схему Кельвина для шунта. Вот пример для 1210. Для меньших габаритов резисторов, тоже получается нормально. Часто использую 0805, для него раньше тоже выкладывал на форуме.

Разрабатывая что-то я не стремлюсь к идеальным параметрам, я стремлюсь к оптимальным, с моей точки зрения. Я привожу практические результаты драйвера шагового двигателя с действующим током на 6 А в каждой обмотке. Повторюсь я не вижу нагрева в тепловизоре силовых транзисторов с резистором в затворе 100 Ом при токе 6 А. Я вижу нагрев в микросхемах импульсных стабилизаторов, в самой микросхеме драйвера (Trinamic), в микроконтроллере, в резисторах шунта и т.д. Поэтому я не считаю такие потери - " весьма большими потерями". Мне кажется вам стоит промоделировать силовую часть в LTspice и вы всё увидите своими глазами.

Не совсем понял, что вы написали. Вы хотите фронты уменьшить или увеличить? Какое значение фронтов в итоге хотите получить? У меня резистор в затворе 100 Ом у BSC097N06NS. LTspice показывает время выключения транзистора 34 нс для 6 А. По осциллографу примерно, тоже самое. Наверно можно, было бы до 50 нс фронты увеличить 😊.

Когда я писал эти слова, то подразумевал мост с силовыми транзисторами и шунтами. Типа такого. Толстыми линиями показаны цепи, индуктивность которых надо минимизировать. Ведь речь в теме изначально шла про мост с внешними транзисторами?

А всё, сообразил. Действительно, когда силовой контур в преобразователе, то там дорожки или даже что-то типа полигонов идет от одной деталюшки к другой деталюшке (по ОДНОЙ и последовательно) и в итоге складываются индуктивность корпусов и контура. Несмотря, что там полигон скорее всего работает только небольшая часть полигона, только там где протекает возвратный ток. А у полигонов питания куча таких контуров и все они работают в параллель. И тут уже расстояние до конденсатора не сильно влияет. Спасибо! Я кстати так и стараюсь в силовых частях делать. Делаю полигоны питания, зашунтированные только электролитами, а уж к нему цепляю силовые контуры с минимальной площадью.

Если электролитам места нет, то ставьте гибридные(полимерные) конденсаторы их разные типы есть :-) Смотрите, например, документик от Panasonic. Лично я вообще не вижу смысла в керамике. Сколько там емкости остаётся при рабочем напряжении? По поводу TVS смысла опять не вижу. Мне нравится документация на TVS фирмы STMicroelectronics. Выкладываю для примера. Посмотрите на каких напряжения они работают, относительно номинальных. Лично у меня раньше конденсаторы и драйверы повыгорают от превышения напряжения. И от каких перенапряжений вы хотите защитится? Если от тех которые при каждом выключении транзистора, то этого не должно быть при правильном выборе конденсаторов и грамотной разводкой. А если от случайной накопленной кинетической энергии движка, то TVS скорее всего не переварят такой выброс энергии. В этом случае, только емкость наращивать или как тут советовали успевать обмотки замыкать. Ну и у полевых транзисторов есть лавинный пробой, про него тоже не следует забывать. ABE0000COL6.pdf smaj30ca.pdf Мне кажется лишний запас транзистора тут во вред. Сравните, например, заряд затвора, необходимый для включения транзистора и сопротивление в открытом состоянии у моего и вашего транзистора. Зачем вам лишний нагрев? А ведь вы можете выбрать и более низковольтный транзистор, чем у меня, с ещё меньшими потерями. Посмотрев на вашу подпись, спрошу. Если почитать на эту тему соответствующие документы для мощных цифровых микросхем, то да, вы правы емкую керамику и гибриды можно не ставить впритык. Если же почитать документы на силовые преобразователи на эту тему, то там всеми способами предлагают уменьшать индуктивность или площадь силового контура. А в него обычно входит силовой (не керамика) конденсатор. Последние не умеют в Power Integrity? Или я чего то не понимаю?

Раньше ставил, а теперь понял, что у меня нет столько денег на емкую керамику. Вообще керамику не ставлю возле транзисторов.

Я для своего драйвера шагового двигателя на действующий ток 6А применил BSC097N06NS на 60 В. Драйвер рассчитан на напряжение питания 48 В. Вам уже указывали, что не нужен большой запас по напряжению, я придерживаюсь такого же мнения. В тепловизоре при токе 6 А на обмотку не видны силовые транзисторы, т.е. они практически не греются. Плата 4х слойка - внешние слои 35 мк, внутренние 18 мк. Для драйвера на 3 А применил STL7N6F7, эти уже видны в тепловизор :-). Основная засада, что корпус у STL7N6F7 неудобный для монтажа, и хрен проконтролируешь качество пайки. По поводу больших электролитов. Придерживаюсь мнения, что весь переменный ток, протекающий через эти конденсаторы, а это скорее всего весь ток обмоток не должен превышать максимальные токи конденсаторов для конкретных частот. Например, применяю Hitano EXR331M63B. У него ток 1,25А на 100 кГц. Две обмотки ШД по 6 А потребляют 6*1.41=8.49 А Т.е. 7 конденсаторов.

Посмотрел, что за диоды. Похоже просто некая альтернатива диодам Шоттки в каких-то конкретных приложениях. Скромно умалчивают о потерях на высоких частотах. Пишут просто - High frequency operation. Может и действительно где-то имеет смысл применять, надо смотреть на цену. Из подобных альтернатив могу вспомнить - Super Barrier Rectifier и её вариацию Trench Super Barrier Rectifiers.

Например, SPV1002. Легко ищется на Digikey если выбрать нереально маленькие падения напряжения при больших токах.

Можно ли как то убрать точку, образующуюся в Т-образном месте соединения шин? На картинке взятой из интернета видна такая точка, а вот если просто шины пересекаются, то этой точки нет. Altium 20.2.8.

У меня было, что купили как-то китайские конденсаторы неизвестного производителя. 0805-X7R-50 В-0,1 мкФ, используемые для фильтрации питания с микросхемами с питанием ниже либо 5 В. И появились отказы и сразу и через какой-то небольшой срок. Стал брать только брендовые, отказы прекратились. Тут кто-то раньше отписывался, что было подобное. Выяснилось - неудачно подсоединил контактные площадки керамического конденсатора. С одной выходил тонкий проводник, а другая подсоединялась к полигону, вроде даже без термобарьеров. При пайке из-за неравномерного нагрева(охлаждения) конденсаторы трескались. Плату переразвели, отказы прекратились.

Вы же заметили, что я упомянул слово практически? Т.е. на временах на которых работают реальные преобразователи практического эффекта нет. Например, вот LTspice показывает даже уменьшение времени при подключении этих конденсаторов. Выкладываю схемку, на которой сам моделировал. Её не подчищал, поэтому там много всякого лишнего. LT1160_.asc Смотрите схему. Сам на такое нарывался, думал разведу всю силовую часть полигонами и будет нормально. Но получилось похуже, чем я ожидал. Поэтому надо рассматривать именно контуры протекания тока. И пытаться уменьшить его индуктивность. И помнить, что уменьшение длины контура, не автоматически уменьшает его индуктивность. Если судить по схеме из первого сообщения, то в ней применяется скорее всего хороший транзистор IPT017N12NM6, в правильном корпусе. Поэтому про индуктивность корпуса можно забыть. Неуверенность в транзисторе проистекает из-за того что, например, у BSC097N06NS сильно различается значение Qrr в datasheet и поведение модели в LTspice(на мой взгляд). Ну не судите так строго, вот автор топика говорит, что рядом стоит куча электролитов с низким импедансом. А от керамики по силовому питанию я тоже особого толка в своих изделиях не увидел. Поэтому вообще её перестал ставить возле силовых элементов. Для того чтобы убедиться, что всё сделано правильно, тыкаете щупом, как на картинке, в выводы электролитических конденсаторов и где-то поближе к силовым транзисторам. Если пульсации не сильно отличаются, значит разводка сделана нормально. Если сильно - переделывать плату. Если и на конденсаторах и на транзисторах пульсации похожи по величине и их хочется сделать поменьше, то менять типы конденсаторов и(или) количество.

Только сейчас обратил внимание на это предложение. Эти конденсаторы практически не снижают время включения и выключения MOSFET. Я вижу три способа. Либо снизить ток, т.е. сквозной ток из-за Qrr либо увеличить время включения транзистора либо в плате что-то подшаманить. Первое делается подбором транзистора MOSFET или подбором к нему диода Шоттки. Если сильно надо можно посмотреть, например, нитрид-галлиевые транзисторы. Второе - увеличением резистора в затворе. Короче у каждого решения есть свои плюсы и минусы. Третье - рассмотреть способы снижения индуктивности, участвующей в колебательном процессе.

Продублирую картинку сюда из моего старого сообщения. Ток 4А, фронт 21,53 нс, что видно на осциллограмме. Плата - двухслойка.

Вы сейчас запугаете народ. Всё там нормально работает и не возбуждается, если транзисторы в планарном корпусе, да лишних петель на плате не делать. Тем более мы же осуждаем силовые кремниевые полевики, для ключевых применений, а не СВЧ транзисторы. А вот нитрид-галлиевые транзисторы, с ними наверно можно хлебнуть возбуждений 😉.

Я применяю конденсаторы между затвором и истоком в схемах с драйверами управления ШД, например, TMC5160A. Только с помощью этого конденсатора удаётся не меняя длительность фронтов спада и нарастания избавиться от сквозного тока. Который возникает от быстрого нарастания напряжения на стоке у закрытого транзистора. Номинал подбираю, моделируя в LTspice. Этот конденсатор приходится использовать, только для некоторых МОSFET, у которых соотношение емкостей затвор-сток и затвор-исток, такое что, при максимальном напряжении питания транзистор открывается.

13 июня пришли 5 спаянных плат, как и заказывал. Плюс ещё одна плата пустая. Плюс куча остатков комплектации, которую я просил, чтобы мне прислали.

Я думаю, что у других производителей плат аналогично, где я заказывал. Размещаете заказ у производителя, он выставляет вам счет. Вы оплачиваете наиболее удобным вас способом. Я выбрал через Али. Вам кидают ссылку, типа такой как вы привели на 1$. Вы увеличиваете эту сумму до цены вашего заказа и оплачиваете.

Я оплатил через Aliexpress для https://www.nextpcb.com/. Так что похоже дело в политике конкретного производителя. Заказал как раз платы с микросхемами.