_Pasha 0 7 октября, 2011 Опубликовано 7 октября, 2011 · Жалоба Попался патент. Думаю интересный, короткий и по теме. Спасибо. Интересно даже не только для ZVS :) Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 8 октября, 2011 Опубликовано 8 октября, 2011 · Жалоба Автор предлагал его для active clamp и не задумывался, что такой подход к управлению MOSFET поможет спасти транзистор от вреда паразитных структур в его составе. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 23 марта, 2012 Опубликовано 23 марта, 2012 (изменено) · Жалоба Публикую схемотехническое решение адаптивного драйвера MOSFET, сберегающего ключи от вреда паразитного диода ZVS MOSFET DRIVER for RESONANT and PHASE-SHIFT TOPOLOGY MOSFET DRIVER : включение транзистора на fotkidepo.ru: Для любителей низковольтных BUCK топологий - глубокое исследование тонких моментов (которые всплывали в этой теме) http://www.tesisenred.net/bitstream/handle....pdf?sequence=1 Изменено 24 марта, 2012 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
_Pasha 0 26 марта, 2012 Опубликовано 26 марта, 2012 (изменено) · Жалоба Спасибо! Экспериментов с выходом ключа из насыщения не проводили? Изменено 26 марта, 2012 пользователем _Pasha Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 26 марта, 2012 Опубликовано 26 марта, 2012 (изменено) · Жалоба Многократно проводил... но резистор, параллельный IRLML5103 или отсутствовал или был с мозгами...(CD4093 было достаточно) Результат работы схемы с простым решением - отработка короткого замыкания на fotkidepo.ru: Ток нарастает плавно до 150 Ампер. Характерен всплеск напряжения на затворе, вызванный ёмкостью сток-затвор и индуктивностью истока - применение диода с затвора на плюс питания драйвера снижает индуцированное напряжение затвор-исток и всплеск тока транзистора. Вариант драйвера без "лишних деталей" состоит из : 2 сборки диодов ВАТ54S, 3 транзисторов в SOT23, стабилитрона, 2 резисторов, 1 конденсатора и диод на сток, BYV26C, например. Изменено 26 марта, 2012 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 27 марта, 2013 Опубликовано 27 марта, 2013 (изменено) · Жалоба Вот уж год прошел... И намедни нашлось первое упоминание адаптивного драйвера ! 1981 год. http://hal.archives-ouvertes.fr/docs/00/24..._16_6_333_0.pdf Эра биполярных транзисторов ещё впереди - ждём первенца от Fairchild. Для mosfet применял такое решение - ADAPTIVE ZVS DESAT OVER-CURRENT PROTECTED MOSFET DRIVER Позднее его модернизировал - заставил срабатывать раньше, чтоб нелинейность ёмкости сток-исток не вмешивалась в работу, и добавил небольшое отрицательное смещение для управления затвором - меньше сказывается паразитная индуктивность цепи истока при прерывании тока. Изменено 27 марта, 2013 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 12 августа, 2013 Опубликовано 12 августа, 2013 (изменено) · Жалоба Внутренние диоды MOSFET не перестают удивлять - Coping with Poor Dynamic Performance of Super-Junction MOSFET Body Diodes https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejji.../2_183/_article теперь и forward recovery не устраивает... может дело в паразитных индуктивностях корпуса ? и ещё одна пища для размышлений на картинке Изменено 12 августа, 2013 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 13 августа, 2013 Опубликовано 13 августа, 2013 · Жалоба и почему же никто не захотел глумиться над картинкой ? все силы забрал PowerInt ? вот в RC-IGBT та же песня - электроны мешают дыркам работать в диоде http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+IG...13a6ec9c25f6017 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 0 14 августа, 2013 Опубликовано 14 августа, 2013 · Жалоба и почему же никто не захотел глумиться над картинкой ? И в чем должно состоять глумление? вот в RC-IGBT та же песня - электроны мешают дыркам работать в диоде Где-то в соседней теме Вы призывали избавиться от полевиков и и применить IGBT - ;) По мне, в IGBT причин возникновения всяких глубоких проблем как минимум не меньше, чем в MOSFET (скорее, даже больше). :bb-offtopic: Так получилось, что первым моим источником был полный мост на 1,5kW с PFC, который, неожиданно для меня, получился похожим на Phase-Shift Full Bridge (во всяком случае, ZVS держал практически во всем диапазоне нагрузки) . Собрано было это чудо на новейших в то время IRFP460 (пожечь которые пришлось, конечно). И даже работало надежно - несмотря на все недостатки ключей. Если бы тогда довелось прочитать эту тему - забил бы на силовую немедленно и навсегда. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 14 августа, 2013 Опубликовано 14 августа, 2013 · Жалоба Картинки из последних постов всё таки оптимистические - подача положительного напряжения на затвор способствует рекомбинации медлительных дырок и накоплению злобного заряда. но вот с выходной ёмкость SJ MOSFET пока неполное понимание у меня - когда транзистор выключаю = она хорошо работает как снаббер, затягивается фронт напряжения на стоке, но когда на стоке закрытого транзистора напряжение резко уменьшается на осциллограмме не замечаю выходной ёмкости ключа... плавности нет. может смотрю не туда... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 19 августа, 2013 Опубликовано 19 августа, 2013 (изменено) · Жалоба и где тут S-образность ? от корпуса - 5 мм, тут же снаббер 1000 пФ 2 кВ NP0. закрытие SJ MOSFET STW88N65M5 на 10 Амперах на fotkidepo.ru: момент включения на 15 Амперах - заброс в минус = 50 Вольт ! на fotkidepo.ru: колебания напряжения на затворе - это фактически игра индуктивности истока. но горе тому, кто ставит трансил прямо на выводы транзистора ! Изменено 19 августа, 2013 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 20 августа, 2013 Опубликовано 20 августа, 2013 (изменено) · Жалоба Всё таки некоторые открытия возможны... Суть опыта - параллельно работающей стойке (коммутируемый ток около 17 Ампер) подключаю снаббер МКР 1000 пФ и токоизмерительный резистор 0,22 Ома snubber 1000pF: А теперь вместо ёмкости подключаю MOSFET STW88N65M5 с перемычкой затвор-исток off : on : желтый канал - 4,5 Ампера на клетку, снабберный транзистор чуть тёплый. Вот такие ZVS-пироги ! Снаббер односторонний, заряд перемещается из структуры когда напряжение на стоке давно равно 0 ! Так что диод - НЕ лишний, с ним гораздо спокойнее... gate voltage with diode on source-drain : Изменено 20 августа, 2013 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
крупный радиолюбитель 1 20 августа, 2013 Опубликовано 20 августа, 2013 (изменено) · Жалоба Суть опыта - параллельно работающей стойке.. Стойка моста, или сток-исток ключа? Интересный результат. HEX, спасибо за идею! Только что опробовал, в качестве нелинейного снаббера STB42N65M5. Шикарно. Казалось бы идея на поверхности, останавливала косность мышления, на первый взгляд два ключа параллельно, по выходной ёмкости. Ан нет. Дмитрий, такого оптимального выключения при ZVS я ещё не видел, поздравляю! Корпус D2PAK на соплях, греется прилично, но выделяемая мощность, ориентировочно, менее ватта. Изменено 20 августа, 2013 пользователем thickman Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
НЕХ 4 20 августа, 2013 Опубликовано 20 августа, 2013 (изменено) · Жалоба а мне-то даже взгрустнулось... думал, включение при ZVS без потерь - а транзистор-пустышка ещё 350 нс выдавал 4,5 Ампера, выводя накопившийся заряд через контрольный резистор и открытый силовой ключ. при этом у него на стоке был + похоже, что ещё 100 нс можно было не переживать, что начнёт проводить body-диод... а то, что на стоке отрицательное напряжение - это обман. интересно будет повторить это с новыми 4-выводными ключами, исключающими индуктивность цепи истока. Изменено 20 августа, 2013 пользователем НЕХ Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Integrator1983 0 21 августа, 2013 Опубликовано 21 августа, 2013 · Жалоба Только что опробовал, в качестве нелинейного снаббера STB42N65M5. Шикарно. Казалось бы идея на поверхности, останавливала косность мышления, Тут уже несколько раз всплывала идея использования медленного диода в качестве снаббера. Это не одного поля идеи? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
