[Tanya 4]

Вот смотрю даташит на 2n3904. Там максимальный ток закрытого при 30 вольтах не должен превышать 50 нА.

Есть также график от температуры - там при комнатной температуре - меньше 1 нА тоже при 30 вольтах.

А что будет при напряжении порядка вольта? Может быть, кто-нибудь знает?

Измерять не очень хочется...

[DS 0]

Будет чуть меньше. А при нескольких вольтах - почти такой же. Это ток неосновных носителей, они обратным полем высасываются из перехода, а проводимость опрелеяется их количеством.

[ledum 0]

Смею предположить обратный ток задолго до напряжения лавинного пробоя в кремниевом транзисторе прямо пропорционален корню квадратному из напряжения. http://dssp.petrsu.ru/book/chapter4/part3.shtml - там вроде говорится, что генерационный ток J_ген на два порядка выше J_s - все-таки дрейфовый ток (испр.) - дрейфовый от напряжения не зависит - для кремния (ИМХО в некоторых формулах вместо J₀ должно быть J_s). Т.е. на 1В обратный ток коллектора должен быть раз в 5-6 меньше тока при 30В при одной и той же температуре.

Изменено 20 октября, 2011 пользователем ledum

[=AK= 17]

Смею предположить обратный ток задолго до напряжения лавинного пробоя в кремниевом транзисторе прямо пропорционален корню квадратному из напряжения.

Э-хе-хе, не поленился и открыл свои институтские конспекты по ОРЭ. Итак, обратный ток p-n перехода:

1) Тепловой ток. От напряжения почти не зависит, однако для кремниевых приборов его не учитывают в силу мизерности

2) Ток термогенерации. Возникает в i-области, а при росте напряжения размер i-области увеличивается. Примерно пропорционален корню квадратному от напряжения.

3) Ток утечки. Зависит от чистоты обработки поверхности.

4) Канальный ток. Это основная составляющая для кремниевых планарных приборов.

 

А в сумме - х.з. :)

[ledum 0]

1 - согласен

2 - согласен

3 - в принципе да, но 3904 - эпитаксиально планарный - сильно подозреваю, что у него основная часть перехода в тушке кристалла, довольно чистая, утечки малые, он еще и относительно малошумящ - косвенный признак малости этой соствляющей.

4 - я так понял канальный ток = дрейфовый. Почти не зависит от напряжения.

Осталось точно узнать, что превалирует 2 или 4.

[=AK= 17]

4 - я так понял канальный ток = дрейфовый.

Защитная пленка SiO₂ на поверхности становится заряженной положительно, в p-области дырки уйдут от поверхности, а собственные электроны подойдут к поверхности. Произойдет инверсия проводимости и образуется канал с n-проводимостью, по которому течет ток утечки. Однако величина этого тока мала, единицы нА.

[ledum 0]

Защитная пленка SiO₂ на поверхности становится заряженной положительно,

Я учил всю эту фигню достаточно давно, чтобы забыть. Лет 30 тому назад. Поэтому это ЕМНИП. Но уже тогда нам давали, что в малошумящих ВЧ транзисторах наносятся пленки с подобной кремнию кристаллической решеткой - дабы избежать нарушения решетки в приповерхностных зонах и образования глубоких уровней-ловушек в запрещенной зоне - борьба с одним из источников фликкер шума. И отнюдь это не SiO₂. Типа нитриды - сейчас уже не помню чего. Так вроде делались на Кристалле 140УД24 http://www.chipinfo.ru/dsheets/ic/140/ud24.html (сейчас его параметры ниже среднего, но тогда были ничего) и в Томилино первые партии 142ЕН5 и 142ЕН10 - так нам говорили разработчики из Фрязинского Истока, для которых они разрабатывались.

Изменено 21 октября, 2011 пользователем ledum

[DS 0]

Что-то сдается мне, что упомянутые лекции относятся к очень лохматым годам и написаны в основном про германий. Для кремния на комнате тепловые эффекты пренебрежимо малы. На первое место должны вылезать дефекты полупроводника - проводимость за счет неосновных носителей, которые спокойненько проходят через переход.

Про приповерхностные зоны правильно, только это для низких частот, чтобы 1/f шум сминимизировать. Как раз было реализовано ad в прототипе, с которого драли уд24.

[ledum 0]

Там четко даны цифры как для перехода на германии, так и для кремния. Но в них имеется зависимость от геометрии и степени легирования - это неизвестные для нас степени свободы в 3904. Хотел в Оркаде попробовать есть ли в модели Гуммеля-Пуна - что-то типа ISC и NC, учитывающее I_кб(V_кб) - но он есть только на работе, а я сейчас в отпуске.

24 драли с Интерсила - там же в ссылке прототип указан. На самом деле тогда драли целую гамму чипов оперов,в том числе и АД - к нам на завод пееребрался технолог с Кристалла - и во многих операх конца 80-х они использовали такие методы борьбы с фликер-шумами. Причем за счет применения наращивания слоев гомогенных диэлектриков они неплохо превзошли прототипы. Но я о НЧ шумах упомянул как о косвенном свидетельстве чистоты поверхности и приповерхностных слоев в том числе и таких транзисторов.

[Designer56 0]

140УД24- это КМОП усилитель с компернсацией дрейфа и смещения прерыванием. Малошумящие прецизионные биполярные у Кристалла в те времена были УД17, 25,26. Но это все имело прототипом усилители PM.

[ledum 0]

140УД24- это КМОП усилитель с компернсацией дрейфа и смещения прерыванием. Малошумящие прецизионные биполярные у Кристалла в те времена были УД17, 25,26. Но это все имело прототипом усилители PM.

Да, в принципе прототипами УД17, 25, 26 были OP07, OP27, OP37 Precision Monolithics, но в 1990, когда мне в руки попали эти оперы, это уже было подразделение AD ЕМНИП. На самом деле первоначально УД24 была другой - тоже прецизионный, тоже малошумящий, но быстрый опер, но что-то с ней не сложилось и ее индекс дали другой чипе - у меня был, как бы сейчас назвали Кристалловский роадмэп, там нумерация и состав чипов несколько отличается от нынешней. Если вдруг фамилия Цепкалов (вроде один из основных разработчиков оперов на Кристалле) Вам что-то говорит - Вы, я так понял на Сырецкой часто бывали, то за соседним столом у меня сидел его сын и был конструктором-механиком на некоторых изделиях, по которым я был ведущим, поэтому информашка тоже была почти из первых рук.

Изменено 23 октября, 2011 пользователем ledum

[Designer56 0]

Говорит, но он не был одним из основных разработчиков ОУ. Я их всех знаю хорошо, поскольку где- то с 1986 г. там бывал не реже раза в месяц. 24-й- это аналог LT1052, который, собственно, есть улучшенный Интерсил. 24-й сразу делали по заказу как ПКД усилитель. Для Бурана. Завлаб Рысин Валентин Сергеевич за него орден трудового Красного Знамени получил. Я как раз был там, и видел его с этим орденом. Интересно, что 24-й им пришлось разрабатывать с нуля, поскольку фирма LT использовала уникальный даже для запада техпроцесс- на подложку N- типа. Так мне разработчики объяснили. И поэтому все транзисторы, топологию само собой, её в любом случае приходится делать, пришлось делать самим. Сохранился только принцип ПКД. Да, слбственно, МС никогда не сдирали, как это представляют многие- по фото топологии. Все приходилось делать заново. Использовали схемные решения, да.

[ledum 0]

Да, слбственно, МС никогда не сдирали, как это представляют многие- по фото топологии. Все приходилось делать заново. Использовали схемные решения, да.

Здесь трудно не согласиться - мой однокурсник участвовал в успешном сдирании Интела 386 там же - практически это была новая разработка, во всяком случае по конструкции и технологии. Ну и оба - и Ц-в младший, и технолог с Кристалла с гордостью говорили, что их чипы, как правило, превосходили прототипы.

[Designer56 0]

Да, так и было. 580ВМ80 с приемкой по тактовой частоте превосходил прототип 8080 в 2 раза.

[Herz 5]

Да, так и было. 580ВМ80 с приемкой по тактовой частоте превосходил прототип 8080 в 2 раза.

А 8080 тоже был с приёмкой?