shf_05 0 12 апреля, 2011 Опубликовано 12 апреля, 2011 · Жалоба добрый день. подскажите, пожалуйста: планируется использовать полевой ключевой транзистор mosfet (макс. мощность напр. 100ватт) в усилителе аналоговых сигналов частота от десятков кГц до сотен кГц, в полумостовой схеме вых. каскад, рассеиваемая мощность при этом например 70вт на транзистор. какие при этом будут ограничения на использование его в таком режиме, вроде необходимо снизить мощность, следует ли опасаться шнурования токов и разрушения канала (или это явление возникает на более низких частотах), насколько вообще такой вых. каскад будет "управляем", помню некоторые пр-ли прямо советовали не использовать их ключевые тр-ры в лин. режиме. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Methane 0 12 апреля, 2011 Опубликовано 12 апреля, 2011 · Жалоба помню некоторые пр-ли прямо советовали не использовать их ключевые тр-ры в лин. режиме. Это какие? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Mahagam 0 12 апреля, 2011 Опубликовано 12 апреля, 2011 · Жалоба без резистора в затворе очень вероятно возбуждение со всеми вытекающими. у меня обычный линейный усилитель на таких транзисторах есть. отменно работает Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
shf_05 0 12 апреля, 2011 Опубликовано 12 апреля, 2011 · Жалоба Это какие? точно не припомню, St или IR, постараюсь найти доку. на вскидку гугл выдал http://powerelectronics.com/power_semicond...ithstand_stress http://www.irf.com/7BBFCFD6-3EA4-466D-A0AF...tes/an-1155.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Methane 0 12 апреля, 2011 Опубликовано 12 апреля, 2011 · Жалоба точно не припомню, St или IR, постараюсь найти доку. на вскидку гугл выдал http://powerelectronics.com/power_semicond...ithstand_stress IXYS похоже из пальца "изобретение" высосал. ИМХО, не превышайте то, что транзюк может рассеять и все ок будет. http://www.irf.com/7BBFCFD6-3EA4-466D-A0AF...tes/an-1155.pdf 404 Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
shf_05 0 12 апреля, 2011 Опубликовано 12 апреля, 2011 · Жалоба 404 странно, тоже не могу открыть, выложу когда на работу приду. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Methane 0 12 апреля, 2011 Опубликовано 12 апреля, 2011 · Жалоба странно, тоже не могу открыть, выложу когда на работу приду. Ну а своими словами? Почему транзюк который держит импульсную мощность в десятки киловатт, не тянет долговременную в сотни? Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
AlexeyW 0 12 апреля, 2011 Опубликовано 12 апреля, 2011 · Жалоба Почему транзюк который держит импульсную мощность в десятки киловатт, не тянет долговременную в сотни? Импульсная мощность ведь зависит от длительности импульса, в пределе энергия импульса должна давать нагрев рабочей зоны канала не более конкретной температуры - в даташитах соответствующие кривые часто приводятся. ТО-247 вроде обычно держат две-три сотни ватт непрерывно при идеальном охлаждении, меньшие корпуса - десятки ватт. Но только все эти цифры для идеального охлаждения. А шнурования тока быть не должно, поскольку сопротивление канала растет с температурой. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
VCO 0 12 апреля, 2011 Опубликовано 12 апреля, 2011 · Жалоба Мужики, может я чего не понимаю, но ключевые MOSFETы совсем не рассчитаны на линейный режим: Начнём с того, что у ключевых MOSFETов в обратке канала диод Шоттки стоит, который усугубляет нелинейность.. Далее, переходная характеристика так сжата, что надо очень хорошо постараться для введения MOSFET-ключа в нужный линейный (малосигнальный) режим. Да и корпус ключевых MOSFETов не рассчитан на отвод огромной постоянной мощности... Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
shf_05 0 13 апреля, 2011 Опубликовано 13 апреля, 2011 · Жалоба Мужики, может я чего не понимаю, но ключевые MOSFETы совсем не рассчитаны на линейный режим: Начнём с того, что у ключевых MOSFETов в обратке канала диод Шоттки стоит, который усугубляет нелинейность.. Далее, переходная характеристика так сжата, что надо очень хорошо постараться для введения MOSFET-ключа в нужный линейный (малосигнальный) режим. Да и корпус ключевых MOSFETов не рассчитан на отвод огромной постоянной мощности... да я со всем этим согласен, и усилок делать не мне, вот мой коллега "сделал и доволен", а у меня масса сомнений относительно будущего данного изделия. на вышеописанные доводы он отмахивается- ерунда все это- "будет и мощность и линейность", однако первый экземпляр быстро сгорел, правда под воздействием внешней помехи (типа наносек. импульса). А шнурования тока быть не должно, поскольку сопротивление канала растет с температурой. шнурование происходит в "паразитном биполярном транзисторе", здесь в кратце описано http://www.kit-e.ru/articles/powerel/2006_10_96.php вот пдфка от IR an_1155.pdf Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Methane 0 13 апреля, 2011 Опубликовано 13 апреля, 2011 · Жалоба вот пдфка от IR Пишут что "все плохо". Спасибо. Не знал. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
shf_05 0 13 апреля, 2011 Опубликовано 13 апреля, 2011 · Жалоба да, не утешительно, вот я и спрашиваю, кто в практике встречался, может есть "более подходящие" полевики или все не так плохо. пс- "такие же по характеристикам" но линейные стоят в разы и десятки раз дороже вот в чем дело Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Methane 0 13 апреля, 2011 Опубликовано 13 апреля, 2011 · Жалоба да, не утешительно, вот я и спрашиваю, кто в практике встречался, может есть "более подходящие" полевики или все не так плохо. пс- "такие же по характеристикам" но линейные стоят в разы и десятки раз дороже вот в чем дело Может IGBT попробовать? А просо биполярные поставить? ЗЫ: не встречался с такой проблемой. И первый раз услышал. Думаю что аудио усилки еще делают, и там проблема должна была вылезти в полный рост. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
shf_05 0 13 апреля, 2011 Опубликовано 13 апреля, 2011 · Жалоба Может IGBT попробовать? А просо биполярные поставить? про игбт надо подумать, есть ли подходящие. основная задумка автора- дешевизна и простота построения усилка на mosfet, низкое вых. сопротивление полевика и др. плюсы, сейчас усил. на биполярных, вот хочется на полевых построить, усил питается от 220В постоянки, биполярники такие подобрать трудно. а УМЗЧ наверно используют обычные полевики или ШИМ усилители на ключах . Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться
Timmy 1 13 апреля, 2011 Опубликовано 13 апреля, 2011 · Жалоба У IXYS есть "линейные" силовые MOSFET с пониженной крутизной и рейтингом для линейного режима. Суффикс "L" и "L2". УМЗЧ обычно делают на каких-то японских(которые к тому же плоские, а не вертикальные), забыл, как называются, но они 220 вольт вроде не держат и достаточно дорогие. Зато крутизна реально низкая, особенно на малых токах, так что рабочая точка для полумоста устанавливается без проблем. Цитата Поделиться сообщением Ссылка на сообщение Поделиться на другие сайты Поделиться